[发明专利]制造具有沟道区保护膜的薄膜晶体管面板的方法无效
| 申请号： | 01115548.5 | 申请日： | 2001-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1321914A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 东俊明;宫川达也 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用干蚀刻处理形成一种保护薄膜晶体管的沟道区的保护膜。因此,即使半导体膜中有缺陷,也不会在栅极绝缘膜中形成针孔。于是,即使包括栅极的扫描信号线等仅由具有未在表面上形成阳极氧化膜的A基金属膜形成,栅极绝缘膜的击穿电压也不会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 沟道 保护膜 薄膜晶体管 面板 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造薄膜晶体管面板的方法，包括以下步骤：形成包括一连接垫和一栅极区的扫描信号线，其整个区域包括在衬底上由导电金属膜构成的表面；在所述衬底和所述扫描信号线上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成一半导体膜；在所述半导体膜上形成一保护膜-形成膜；通过干蚀刻来形成保护膜-形成膜的图案，以在对应于所述栅极区的所述半导体膜的区域内形成保护膜；形成从所述保护膜的两侧连接于曝露在外面的所述半导体膜的一个区域的漏极和形成连接于另一区域的源极；形成一上绝缘膜以覆盖漏极、源极和栅极绝缘膜；和形成一连接于所述上绝缘膜上的所述源极的透明电极。
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