[发明专利]制造具有沟道区保护膜的薄膜晶体管面板的方法

说明书

本发明基于并主张2000年4月28日提交的在先日本专利申请2000-129661和2000年6月2日提交的2000-165516权益，这里引入其全文。

本发明涉及一种制造用于例如有源矩阵类型液晶显示装置中的薄膜晶体管面板的方法，特别是，涉及一种可降低具有沟道区保护膜的薄膜晶体管的制造成本的制造薄膜晶体管面板的方法。

在制造应用于有源矩阵类型液晶显示装置的薄膜晶体管面板中，制备-透明衬底，例如由玻璃构成并提供薄膜晶体管面板的基底。为了提高生产率，制备一具有对应于多个薄膜晶体管面板的尺寸的大的透明衬底，并且将对应于多个面板的部分共同地准备到一预定的制造步骤，之后将大的透明衬底分成单独的面板，以用于随后的制造步骤。另外，在制造具有作为开关元件的薄膜晶体管的薄膜晶体管面板的情况下，在例如一包括薄膜晶体管的栅电极的栅极线(扫描信号线)的表面上形成一阳极氧化膜，以提高击穿电压。此外，在薄膜晶体管中发生绝缘击穿，或者，由例如在大的透明衬底被分成单独的面板之前的定向膜所经历的摩擦处理产生的静电、或由分开后的接触由例如静电的高电压所充电的另一物质的单独面板来改变薄膜晶体管的电压-电流特性。此时，进行对静电的测量。

说明已有技术的图20是表示在具有对应于多个薄膜晶体管面板的尺寸的玻璃衬底上形成像素电极等的状态下的薄膜晶体管面板的等效电路的平面图。具有对应于多个薄膜晶体管面板的尺寸的玻璃衬底1沿点划线所示的分割线2分割，以被分割成单独的面板。这种情况下，由分割线2包围的区域形成面板形成区3，包围面板形成区3的区域形成面板非形成区4。另外，由双点划线包围的面板形成区3的区域形成显示区5，包围显示区5的区域形成非显示区6。

在显示区5内布置有布置成矩阵的多个像素电极7，与这些像素电极7相连接的多个薄膜晶体管8，布置在行方向上的向薄膜晶体管8提供扫描信号的多个扫描信号线9，布置在列方向上的向薄膜晶体管8提供数据信号的多个数据信号线10，布置在行方向上并在像素电极7和辅助电容线11之间形成一辅助电容部Cs的多个辅助电容线11，包括布置来包围多个像素电极7的跨接线12的保护环13，布置在保护环13的外面的多个保护元件14，每个保护元件由两个彼此面对的其间插入扫描信号线9的保护薄膜晶体管组成，和布置在保护环3的外面的多个保护元件15，每个保护元件由两个彼此面对的其间插入数据信号线10的保护薄膜晶体管组成。此外，布置有电源线16以在面板非形成区4中形成一格子(lattice)。

每个扫描信号线的左边缘部分通过布置在由非显示区6内的虚线所表示的半导体芯片安装区17中的输出侧上的连接垫(扫描电极端子)18连接到电源线16上。每个数据信号线10的上部边缘部分通过布置在由非显示区6内的虚线所表示的半导体芯片安装区19中的输出侧上的连接垫(扫描电极端子)20连接到电源线16上。输入侧上的连接垫21、22分别布置在半导体芯片安装区17、19内，通过接线24连接于形成在非显示区6内的预定位置上的外部连接端子23。这些外部连接端子23连接于电源线16。每个辅助电容线11的左边缘部分通过布置在保护环13的右侧部分的外部上的一公用线25和一连接垫26连接于电源线16。顺便提及，公用线25有时连接于保护环13。

包含于布置在扫描信号线侧上的保护元件14内的上侧的保护薄膜晶体管的栅极G和源极S与扫描信号线9相连接，特定保护薄膜晶体管的漏极连接于保护线13上。另一方面，包含于扫描信号线侧上的保护元件14内的下侧的保护薄膜晶体管的栅极G和源极S与保护环13相连接，特定薄膜晶体管的漏极D连接于扫描信号线9上。此外，包含于数据信号线侧上的保护电路15内的左侧的保护薄膜晶体管的栅极G和源极S与保护环13相连接，特定薄膜晶体管的漏极D连接于数据信号线10上。另外，包含于布置在数据信号线侧上的保护元件15内的右侧的保护薄膜晶体管的栅极G和源极S与数据信号线10相连接，特定薄膜晶体管的漏极D连接于保护环13上。

现参照图21来描述上述构造的薄膜晶体管面板的制造方法。在图21所示的第一层形成步骤S1中，在玻璃衬底的上表面上形成如Al膜或Al合金膜等Al基金属膜(未图示)。接着，在图21所示的光刻胶形成步骤S2中，在Al基金属膜上的上表面上形成第一光刻胶膜。另外，在图21所示的扫描信号线形成步骤S3中，将第一光刻胶用作掩膜来蚀刻该Al基金属膜，然后剥离第一保护膜。