[发明专利]制造具有沟道区保护膜的薄膜晶体管面板的方法

权利要求书

1．一种制造薄膜晶体管面板的方法，包括以下步骤：

形成包括一连接垫和一栅极区的扫描信号线，其整个区域包括在衬底上由导电金属膜构成的表面；

在所述衬底和所述扫描信号线上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成一半导体膜；

在所述半导体膜上形成一保护膜-形成膜；

通过干蚀刻来形成保护膜-形成膜的图案，以在对应于所述栅极区的所述半导体膜的区域内形成保护膜；

形成从所述保护膜的两侧连接于曝露在外面的所述半导体膜的一个区域的漏极和形成连接于另一区域的源极；

形成一上绝缘膜以覆盖漏极、源极和栅极绝缘膜；和

形成一连接于所述上绝缘膜上的所述源极的透明电极。

2．如权利要求1的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：所述导电金属膜由铝或铝合金制成。

3．如权利要求1的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：所述栅极绝缘膜和所述保护膜-形成膜是由相同的材料制成的。

4．如权利要求1的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：所述形成所述透明电极的步骤包括在对应于所述源极的所述上绝缘膜的区域内形成一接触孔，和在对应于所述扫描信号线的所述连接垫的所述上绝缘膜和所述栅极绝缘膜的区域内形成接触孔。

5．如权利要求4的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：所述形成所述透明电极的步骤进一步包括在所述绝缘膜的整个表面上形成一透明导电金属膜，所述绝缘膜具有形成于对应于所述源极和所述扫描信号线的所述连接垫的区域内的接触孔，对所述透明导电金属膜进行干蚀刻处理以形成所述透明电极。

6．如权利要求5的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：当对该透明导电金属膜进行干蚀刻处理时，去除形成于所述扫描信号线的所述连接垫上的所述透明导电金属膜。

7．如权利要求6的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：使用由碘化氢气体和惰性气体组成的混合气体，通过反应离子蚀刻来进行所述透明导电金属膜的干蚀刻处理。

8．如权利要求7的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：所述惰性气体与所述碘化氢气体的流率比在0.2和0.5之间的范围内。

9．如权利要求5的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：当对所述透明导电金属膜进行干蚀刻处理时，所述在衬底的周围部分的衬底的加热温度设置得比在衬底的中心部分的高。

10．如权利要求9的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：设置所述衬底的加热温度，以使衬底的周围部分中的加热温度比衬底的中心部分温度高20℃至30℃。

11．如权利要求4的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：形成所述透明电极的所述步骤进一步包括在所述具有在对应于所述源极和所述扫描信号线的所述连接垫的部分中形成接触孔的上绝缘膜的整个表面上，形成一具有比ITO膜低的电阻系数的第一透明导电金属膜，和在所述第一透明导电金属膜上形成一ITO膜。

12．如权利要求1的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：形成所述扫描信号线的所述步骤包括使用具有低电阻系数的导电金属膜形成一第一扫描信号线，和对所述第一扫描信号线进行金属电镀。

13．如权利要求12的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：形成所述透明电极的所述步骤包括在对应于所述源极和所述扫描信号线的所述连接垫的所述上绝缘膜的部分中形成接触孔。

14．如权利要求12的制造薄膜晶体管面板的方法，其特征在于：形成所述透明电极的所述步骤进一步包括在所述上绝缘膜的整个表面上形成一透明导电金属膜，所述上绝缘膜具有在对应于所述源极和所述扫描信号线的所述连接垫的部分中形成的接触孔，并对所述透明导电金属膜进行干蚀刻处理，以形成所述透明电极。