[发明专利]具有沟槽分离的半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01112168.8 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1333551A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 坂本治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 改进的具有沟槽分离的半导体装置制造方法,在半导体晶片(101)上形成具有用来在刻字区的上部分也形成沟槽分离用沟(105)的开口部的保护膜图形(104)。将保护膜图形(104)作为掩模使用,对半导体晶片(101)的表面进行蚀刻并形成沟槽分离沟(105)。在除去保护膜图形(104)后在上述半导体晶片(101)上形成氧化膜(106)使其埋入沟槽分离沟(105)。用化学机械研磨法研磨氧化膜(106)以形成沟槽分离(108)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 分离 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有沟槽分离的半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在具有刻印了用来识别晶片的刻字的刻字区和形成集成电路的电路区的半导体晶片101上形成光致抗蚀膜104的第1工序；有选择地使上述光致抗蚀膜104的上述刻字区和上述电路区的上部分曝光并接着进行显影、由此在上述半导体晶片101上形成具有用来在上述刻字区和上述电路区的上部分形成沟槽分离用沟105的开口部的保护膜图形104的第2工序；使用上述保护膜图形104作为掩模对上述半导体晶片101表面进行蚀刻并形成沟槽分离沟105的第3工序；除去上述保护膜图形104的第4工序；在上述半导体晶片101上形成氧化膜106使其埋入上述沟槽分离沟105的第5工序；利用化学机械研磨方法研磨上述氧化膜106并由此形成沟槽分离的第6工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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