[发明专利]垫高源/漏极区的半导体组件制造方法有效
| 申请号： | 01110417.1 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1378253A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈怡曦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体组件制造方法,在基板上形成垫高的源/漏极区域的半导体组件。此源/漏极区域的垫高部在后续的金属硅化制造工艺做为反应的原料,避免消耗源/漏极区中原本存在的硅。形成一垫高用硅材料层于基板上,置于待形成的半导体组件的源/漏极区。在垫高用硅材料层上依序形成栅极介电质层和栅极电极层,形成栅极结构。依序进行轻掺杂布植,形成边墙间隔物及进行重掺杂布植。此垫高用硅材料层,用做金属硅化反应的原料,进行自动对准金属硅化制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 垫高 漏极区 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：包括下列步骤：设一垫高用硅材料层于一基板上，并且置于待形成的半导体组件的源/漏极区；于该垫高用硅材料层和暴露的该基板上，设一栅极介电质层；于该栅极介电质层上，设一栅极电极层；蚀刻该栅极电极层，于待形成的半导体组件的栅极区上形成一栅极结构；对该垫高用硅材料层和该基板，进行轻掺杂布植；于该栅极结构的侧边，设边墙间隔物；以及对该垫高用硅材料层和该基板，进行重掺杂布植。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01110417.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
