[发明专利]垫高源/漏极区的半导体组件制造方法

权利要求书

1.一种垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：包括下列步骤：

设一垫高用硅材料层于一基板上，并且置于待形成的半导体组件的源/漏极区；

于该垫高用硅材料层和暴露的该基板上，设一栅极介电质层；

于该栅极介电质层上，设一栅极电极层；

蚀刻该栅极电极层，于待形成的半导体组件的栅极区上形成一栅极结构；

对该垫高用硅材料层和该基板，进行轻掺杂布植；

于该栅极结构的侧边，设边墙间隔物；以及

对该垫高用硅材料层和该基板，进行重掺杂布植。

2.如权利要求1所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该垫高用硅材料层是为多晶硅所构成，其厚度是由后续的金层硅化制造中使用的金层材料量和反应条件所决定。

3.如权利要求1所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中设该垫高用硅材料层的步骤更包括下列步骤：

设一牺牲介电质层于该基板上；

利用光蚀刻工艺，蚀刻该牺牲介电质层为一栅极掩膜，用覆盖待形成的半导体组件的栅极区；

于该栅极罩掩膜和该基板上，设一硅材料层；

去除该硅材料层置于该栅极的上方和外围的部分，用以形成该垫高用硅材料层于源/漏极区；以及

去除该栅极掩膜。

4.如权利要求3所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中去除部分的该硅材料层的步骤中，是利用栅极光罩为掩膜的方式完成。

5.如权利要求3所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中去除部分的该硅材料层的步骤中，是利用化学机械式研磨方式达成。

6.如权利要求3所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该硅材料层是为多晶硅所构成，其厚度是由后续的金层硅化工艺中使用的金层材料量和反应条件所决定。

7.如权利要求1所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中设该垫高用硅材料层的步骤更包括下列步骤：

设一硅材料层于该基板上；

设一介电质层于该硅材料层上；

根据一栅极光罩和使用光蚀刻，蚀刻该介电质层在待形成的半导体组件的栅极区的部分，借以暴露出该硅材料层；

热氧化该硅材料层中暴露的部分，形成一热氧化物层；以及

去除该热氧化层和该介电质层的残余部分。

8.如权利要求7所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该垫高用硅材料层是为多晶硅所构成，其厚度是由后续的金层硅化工艺中使用的金层材料量和反应条件所决定。

9.如权利要求1所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该栅极介电质层于该垫高用硅材料层之上的部分，是于形成该栅极结构的步骤中一并去除。

10.如权利要求1所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该栅极介电质层于该垫高用硅材料层之上的部分，是于形成该边墙间隔物的步骤中一并去除。

11.一种垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：漏极包括下列步骤：

设一垫高用硅材料层于一基板上，并且置于待形成的半导体组件的源/漏极区；

于待形成的半导体组件的栅极区上，设该半导体组件的一栅极结构，该垫高用硅材料层和该栅极结构中的电极为隔离状态；以及

布植该垫高用硅材料层和该基板于待形成的半导体组件的源/漏极区，以形成该半导体组件的源/漏极；

借此，该垫高用硅材料层在后续的金层硅化制造中，可用以与一金属材料层反应，于该半导体组件的源/漏极上形成自动对应金层硅化物区。

12.如权利要求11所述的垫高源/漏极区的组件制造方法，其特征是：其中该垫高用硅材料层是为多晶硅所构成，其厚度是由后续的金层硅化工艺中使用的金层材料量和反应条件所决定。