[发明专利]半导体存储装置及其测试方法有效
| 申请号： | 00816447.9 | 申请日： | 2000-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1402873A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;稻叶秀雄;草刈隆 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/407;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有与DRAM相同的存储单元、以SRAM技术条件动作的半导体存储装置，其目的是提供一种芯片尺寸小、消耗功率低、价格便宜，并且不会由于地址中含有时滞而引起访问的延迟和存储单元破坏的半导体存储装置。ATD电路(3)根据从外部发送的地址(Address)的变化使地址变化检测信号(ATD)生成单触发脉冲。此时，使地址的每个字节口生成单触发脉冲，然后进行合成，由此即使地址中含有偏差，也产生一次单触发脉冲。首先，更新控制电路(4)使用生成的更新地址(R_ADD)，在单触发脉冲的发生期间进行更新。然后，由于单触发脉冲下降，生成锁存控制信号(LC)，将地址取出到锁存器(2)，对存储单元阵列(6)进行访问。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有：需要更新的多个存储单元；更新地址生成电路，生成与作为所述更新对象的存储单元对应的更新地址信号；地址变化检测电路，响应输入地址信号，生成地址变化检测信号；控制电路，响应所述地址变化检测信号，对与所述更新地址信号对应的存储单元进行更新，然后访问与所述输入地址信号对应的存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00816447.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图案、布线、电路板、电子源和图像形成装置的制造方法
- 下一篇：开关
