[发明专利]使用组合化学品原位清洗半导体制造装置的方法和系统

摘要

提供一种用于原位清洗半导体制造装置(10)的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明在各步骤中利用两分开的含氟化学品,该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地,粉末状和致密膜状固体淀积物,以及两者的组合,在室(12)表面和相关装置元件上堆积。这两种类型的淀积物通过本发明被选择性地去除掉。这种组合清洗步骤的选择性,得到了改善的清洗技术。在另一实施方案中,通过在分开的步骤中使用不同的化学品,并按不同所需序列进行实施该步骤,本发明的方法和系统提供了进行清洗室(12)和相关装置的方法。

主权项

1.一种清洗半导体制造装置中的淀积物的方法，其中，该半导体制造装置中具有包含粉末状和致密膜状淀积物的不同类型的淀积物，其特征在于，装置使用两分开步骤进行清洗，各所述步骤使用不同含氟化学品以选择性地清洗不同的淀积物。