[发明专利]使用组合化学品原位清洗半导体制造装置的方法和系统

权利要求书

1.一种清洗半导体制造装置中的淀积物的方法，其中，该半导体制造装置中具有包含粉末状和致密膜状淀积物的不同类型的淀积物，其特征在于，装置使用两分开步骤进行清洗，各所述步骤使用不同含氟化学品以选择性地清洗不同的淀积物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述装置用于淀积包含硅的膜和难熔金属膜。

3.如权利要求2所述的方法，其中，包含硅的膜选自：SiO_x、B_ySiO_x、P_zSiO_x、B_yP_zSiO_x、SiN_x、SiC_x、W_xSi和非晶态或多晶硅膜，并且难熔金属膜选自：W、Ta、Mo、Co、Ti和Ni。

4.如权利要求1所述的方法，其中，含氟化学品选自：氟化氢(HF)、原子氟(原子F)、无水氟化氢(aHF)和ClF₃。

5.如权利要求4所述的方法，其中，原子F由等离子发生器产生。

6.如权利要求4所述的方法，其中，原子F由下列任意一种化合物产生：NF₃、CF₄、C₂F₆、C₃F₈、SF₆F₂或CIF₃。

7.如权利要求1所述的方法，其中，两分开步骤之一使用无水氟化氢(aHF)以选择性去除粉末状淀积物。

8.如权利要求1所述的方法，其中，两分开步骤之一使用原子F以选择性清洗致密膜状淀积物。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该方法在低于或等于100Torr的压力下进行。

10.一种原位清洗包含粉末状和致密膜状硅酸酯淀积物的室的方法，包含下列步骤：

首先用第一含氟清洗气体清洗掉粉末状或致密膜状淀积物的其中之一，其中该第一含氟清洗气体主要蚀刻一种类型的淀积物；并且

其次用第二含氟清洗气体清洗掉粉末状或致密膜状淀积物中的另外一种，其中该第二含氟清洗气体主要蚀刻另一种类型的淀积物。

11.如权利要求10所述的方法，其中，硅酸酯淀积物可以任意包含：SiO_x、B_ySiO_x、P_zSiO_x、B_yP_zSiO_x、SiN_x、SiC_x、W_xSi和非晶态硅或多晶硅。

12.如权利要求10所述的方法，其中，第一和第二含氟化学品选自：氟化氢(HF)、原子氟(原子F)、无水氟化氢(aHF)和ClF₃。

13.如权利要求12所述的方法，其中，原子F由下列任意一种化合物产生：NF₃、CF₄、C₂F₆、C₃F₈、SF₆、F₂或CIF₃。

14.如权利要求10所述的方法，其中，第一和第二含氟气体分别为aHF和原子F。

15.如权利要求10所述的方法，其中，第一含氟气体为aHF，并主要被用于清洗粉末状淀积物。

16.如权利要求10所述的方法，其中，第二含氟气体为原子F，并主要被用于清洗致密膜状淀积物。

17.如权利要求10所述的方法，其中，重复进行第一和第二清洗步骤中的任意一个或者两个。

18.如权利要求10所述的方法，其中，第一和第二清洗步骤在低于或约等于100Torr的压力下进行。