[发明专利]电荷发生半导体基板用凸起形成装置、电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板

摘要

本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成即,至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时,使该晶片直接接触后热装置(170),除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷,或者,通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此,与以往相比可以降低所述晶片的带电量,所以,可以防止所述晶片的热电破坏,而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。

主权项

1.一种电荷发生半导体基板用凸起形成装置，包括：在将伴随温度变化而产生电荷的电荷发生半导体基板(201、202)加热到形成凸起所必要的凸起焊接用温度的状态下，在形成在所述电荷发生半导体基板上的电路中的电极上，形成所述凸起的凸起形成头(120)；其特征在于：包括：在向所述加热的所述电荷发生半导体基板上焊接凸起之后，在冷却所述电荷发生半导体基板时，利用由于该冷却而产生的温度下降，除去在该电荷发生半导体基板上产生的电荷的加热冷却装置(110、160、170)；对所述加热冷却装置进行用于在所述焊接之后，冷却所述电荷发生半导体基板的温度下降控制的控制装置(180)。