[发明专利]半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 00808934.5 | 申请日： | 2000-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1355934A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | H·舍丁;A·舍德贝里 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L29/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,张志醒 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体元件,该元件包括在衬底层上的高掺杂层并被从元件表面延伸穿过高掺杂层的至少一个沟道所限定,该元件还包括衬底层和高掺杂层之间的子层。所述的子层用与掩埋集电极相同类型的掺杂剂掺杂,但是浓度更低。还公开了制造这种元件的方法。子层使衬底层和子集电极层内的电位线分布更均匀,由此避免形成特别致密的电位线区域。因为电位线致密的区域击穿电压低,避免太致密的电位线意味着增加元件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，该元件包括衬底层(101；201；301)上用相反类型掺杂的高掺杂层(103；203；303)并被从元件表面延伸穿过高掺杂层(103；203；303)的至少一个沟道所限定，所述的元件的特征在于：该元件包括衬底层(101；201；301)和高掺杂层(103；203；303)之间的子层(121；221；321)，所述的子层(121；221；321)用与掩埋集电极(103；203；303)相同类型的掺杂剂掺杂，但是掺杂浓度更低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
