[发明专利]金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器无效
| 申请号： | 00806830.5 | 申请日： | 2000-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1349658A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | V·魏因里希;G·欣德勒;C·马祖雷－埃斯佩约 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在高ε介电体/铁电体电容器制法中,产生具有中央基层区(11)和侧向包围它并填充Si的沟槽(13)的结构化层(10)。在其上淀积金属层(14),并经填充Si的沟槽(13)硅化。通过硅化的金属层段(18)的氧化,它移入沟槽(13)内,其中在基层区(11)上形成基极(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 金属硅 化物层 结构 以及 法制 电容器 | ||
【主权项】：
1.金属层结构化方法，具有以下步骤：—在衬底(9)上产生一结构化层(10)，其中，结构化层(10)具有一个预结构化基层区(11)以及一个侧向包围基层区(11)的由硅，尤其是由多晶硅构成的隐埋层区(12)；—把金属层(14)沉积到结构化层(10)上；—对金属层(14)硅化至少在处于隐埋层区(12)内的段(18)，使得在那里形成金属硅化物层段(18)；—氧化处在隐埋层区(12)的金属硅化层段(18)，其中它向结构化层(10)的隐埋层区(12)内移动，使得至少金属区域(19)留在基层区(11)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
