[发明专利]结构化的含金属氧化物层的制法无效
| 申请号： | 00137511.3 | 申请日： | 2000-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1156905C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | W·哈特纳;G·欣德勒;V·温里希;M·阿尔斯特德特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/3105;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;孙黎明 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在含金属氧化物层(32)的结构化时出现的边缘区(32A)的损伤可以通过修复层(34)的淀积和接着的热处理得以补偿，因此出现从修复层(34)进入受损边缘区(32A)的材料流。含金属氧化物层(32)可以形成DRAM存储器单元的存储电容器(3)的介质。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 金属 氧化物 制法 | ||
【主权项】：
1.结构化的、含金属氧化物层(32)的制造方法，包含以下工艺步骤：-衬底的准备；-含金属氧化物层(32)淀积到衬底上；-所述含金属氧化物层(32)的结构化；-沉积覆盖所述含金属氧化物层至少到边缘区(32A)的修复层(34)，该修复层至少包含一种在所述含金属氧化物层(32)内也含有的元素，但由于结构化在所述边缘区(32A)内按照化学计量关系其量不足；以及-这样进行热处理，使该元素从所述修复层(34)向所述含金属氧化物层(32)的边缘区(32A)的受损区扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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