[发明专利]半导体晶片装置及其封装方法无效
申请号: | 00134164.2 | 申请日: | 2000-11-30 |
公开(公告)号: | CN1149651C | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 陈怡铭 | 申请(专利权)人: | 卡门国际投资有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H05K3/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐娴 |
地址: | 英属维京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 一种半导体晶片装置及其封装方法,本方法包括:一半导体晶元具有一设置焊垫的安装表面,每一焊垫上形成一导电触点;在安装表面上形成感光薄膜层;利用一光掩模进行光蚀刻处理,使导电触点露出;在感光薄膜层上以导电胶形成导电体,各导电体形成触点连接部、延伸部和电连接部。本装置包括半导体晶元,其具有一设有焊垫的安装表面,每一焊垫上有导电触点;一感光薄膜层设在安装表面上;设在薄膜层上的导电体具有一触点连接部、一延伸部和一电连接部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 装置 及其 封装 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体晶片装置的封装方法,半导体晶片装置适于安装在一个具有数个焊垫的衬底上,包括如下步骤:提供一个半导体晶元,其具有一个设置有数个焊垫的焊垫安装表面,每一个焊垫上形成一个导电触点,焊垫的位置不对应于衬底上的焊点位置;在晶元的焊垫安装表面上形成一感光薄膜层;把一覆盖感光薄膜层对应于导电触点部分的光掩模置放在感光薄膜层上,并且对感光薄膜层进行曝光处理;在移去光掩模后,以化学冲洗手段把感光薄膜层被光掩模覆盖部分中的至少一部分冲洗去除,以使导电触点露出;以导电金属胶在感光薄膜层上形成导电体,各导电体具有一与对应导电触点电连接的触点连接部、一与触点连接部电连接且作为电路轨迹的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置与衬底上对应焊点位置对应的电连接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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