[发明专利]一种制备基于氮化镓发光二极管的方法在审
| 申请号： | 00129633.7 | 申请日： | 2000-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1147937C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张国义;丁晓民;秦志新 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以氮化镓为基础的III-族氮化物半导体材料制备半导体器件方法。本发明提供了一种将衬底生长发光二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极，相反的背面做为出光面，并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓发光二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制，提高了发光二极管有源区发光的出射率，而且提高了发光二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件，例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 基于 氮化 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备基于氮化镓发光二极管的方法，其特征在于：将衬底生长发光二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极，相反的背面做为出光面，并且采用倒装焊接方法进行封装；即将一个P-电极作为光反射膜，反射有源区所发出的向该电极传播的光，使反射光再次经过有源区，并且由背面出射出来；作为光反射膜的P-电极其电极层的厚度为(2n+1)n12λ，其中n为正整数，n12为P-电极层材料在有源区发出的光波长的λ下的折射率。
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