[发明专利]制造半导体电容器的方法无效
| 申请号： | 00122616.9 | 申请日： | 2000-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1336685A | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | 王贤愈;黄志坚;吴坤霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/283;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种形成电容器的方法,包含射频等离子体清洗步骤,以除去原始氧化层或金属氧化物。等离子体清洗步骤是使用至少含氟原子气体或含氯原子气体作为清洗气体,然后活化此清洗气体形成等离子体清洗气体,再将此等离子体清洗气体与电容器的电极表面接触。以此法形成的电容器可以减少漏电流并获得稳定的电压系数。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电容器的方法，其特征在于所述方法至少包含下列步骤：提供一半导体衬底；在所述底材上形成第一导体层，以形成电容器的下电极；清洗所述第一导体层的表面；形成一介电层，覆盖已清洗过的下电极表面；以及形成第二导体层，覆盖所述介电层，以形成该电容器的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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