[发明专利]半导体叠层衬底、晶体衬底和半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00121630.9 | 申请日： | 2000-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1282111A | 公开（公告）日： | 2001-01-31 |
| 发明（设计）人： | 河合弘治 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在中间夹有由AIN组成的分隔层和由GaN组成的缓冲层的由蓝宝石组成的基底衬底上,生长了由GaN组成的半导体晶体层。分隔层和缓冲层被分布成线形形式,而腐蚀剂的流通孔被制作在中间夹有由SiO2组成的抗生长膜的这些层的侧面中。于是,腐蚀剂流过流通孔,抗生长膜和分隔层被腐蚀,而基底衬底被容易地隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 晶体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在基底衬底和制作在基底衬底上的半导体晶体层中间夹有分隔层的半导体叠层衬底，它包含：用来使腐蚀分隔层的腐蚀剂在其中流过的流通孔。
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