[发明专利]半导体器件和用于制造该半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 00109222.7 申请日: 2000-06-15
公开(公告)号: CN1165989C 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 池上五郎 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱海波
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在半导体器件中,具有块状电极的半导体片状器件和具有片状电极的互连板被定位为相互正对,分布有填充物的树脂插入在所述块状电极和所述片状电极之间,并且块状电极和片状电极相重叠,在重叠电极部分进行热压连接,在它们之间保留填充物,而利用所述树脂把半导体片状器件与互连板粘接在一起。
搜索关键词: 半导体器件 用于 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有块状电极的半导体片状器件;具有片状电极的互连板;以及其中分布有无机填充物的树脂;其特征在于,所述块状电极与所述片状电极被定位为相互正对,分布有填充物的所述树脂插入在所述块状电极与所述片状电极之间,并且所述填充物被保留在形成于所述电极之间的重叠边界部分中,所述重叠部分通过热压连接,使得该半导体片状器件与互连板被所述树脂所粘合,以及所述填充物被保留在所述块状电极和所述片状电极之间的重叠部分的50%或更多之中。
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