[发明专利]一种高温碳化硅半导体材料制造装置无效
| 申请号： | 00109107.7 | 申请日： | 2000-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1124371C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李晋闽;孙国胜;朱世荣;曾一平;孙殿照;王雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高温碳化硅半导体材料制造装置，包括前级进样室、样品传递装置、样品生长装置、插板阀和抽气设备；其中样品传递装置、前级进样室、插板阀和样品生长装置通过标准CF或标准VCR依序连接密封在一直线上；前级进样室和样品生长装置的下方连接有一抽气设备；本发明其是兼有高生长速率和原位及实时监测的新型碳化硅宽带隙材料的高真空制造装置，能够克服上述现有技术的技术缺陷，能够满足碳化硅器件对材料的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 碳化硅 半导体材料 制造 装置 | ||
【主权项】：
1、一种高温碳化硅半导体材料制造装置，包括前级进样室、样品传递装置、样品生长装置、插板阀和抽气设备；其特征在于：其中样品传递装置、前级进样室、插板阀和样品生长装置通过标准依序连接密封在一直线上；前级进样室和样品生长装置的下方连接有一抽气设备，该装置兼有原位及实时监测的技术措施。
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