[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 00106016.3 申请日: 2000-04-07
公开(公告)号: CN1270418A 公开(公告)日: 2000-10-18
发明(设计)人: 尾崎史郎;枝泽健二;杉山和弘 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种半导体器件及其制造方法,其中,若把半导体芯片在薄膜基片上进行键合时的键合条件设定为某一定条件,则薄膜基片的第1连接端子和半导体芯片的凸出电极相结合的部分的下面的粘合剂被吸出到周围,在粘合层上形成开口部。并且,在第1连接端子与凸出电极相结合的部分从粘合层的上面翘起来的状态下,对半导体芯片进行支承。因此,能防止热膨胀系数的差异引起第1连接端子与凸出电极的结合部分产生裂纹或导通不良。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于具有:半导体芯片(23),它具有多个电极(24);基片(11),用于搭载上述半导体芯片(23);以及多个连接端子(15),其分别具有两个端,且分别于上述半导体芯片(23)对应配置,上述各连接端子(15)的一个端被固定在上述基片(11)上,另一端与上述电极相结合,而且独立于上述基片(11)。
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