[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 00103788.9 | 申请日: | 2000-03-10 |
公开(公告)号: | CN1286498A | 公开(公告)日: | 2001-03-07 |
发明(设计)人: | 伊藤仁一;中濑泰伸;渡边哲也;森嶋哉圭 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/108 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题在于得到具有良好的存储单元的构图可控性的布局结构的半导体装置。存储单元阵列区1的1个存储单元单位的存储单元的元件构成要素(有源区10—15、21—23和多晶硅区31—42)的图形与外周用虚设单元区3的虚设单元的图形相同,而且两者的图形相对于边界线BCI呈线对称的关系。另外,存储单元阵列区1的1个存储单元单位的存储单元的图形与电源布线区2的虚设单元的图形相同,而且两者的图形相对于边界线BC2呈线对称的关系。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于:具备:半导体衬底;在上述半导体衬底上形成的、将存储单元配置成阵列状的存储单元阵列区;以及在上述半导体衬底上与上述存储单元阵列区邻接地配置的、具有虚设单元的存储单元阵列邻接区,在上述存储单元阵列区与上述存储单元阵列邻接区的边界线的附近区域中,以与上述存储单元的至少一部分的图形相对于上述边界线呈线对称的关系来形成上述存储单元阵列邻接区的上述虚设单元的至少一部分的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00103788.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的