[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00100747.5 | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1264165A | 公开（公告）日： | 2000-08-23 |
| 发明（设计）人： | 小此木坚祐;大桥拓夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/311;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基片的表面在等于或者高于1050℃的温度下或在等于或高于7.5纳米/分钟的氧化速度下被氧化,以形成厚度等于或者大于1500nm的一氧化物薄膜。当该氧化物薄膜被除去时,在基片表面存在的凹陷的密度等于或小于氧化处理之前的凹陷的密度,而那里存在的凹陷的深度等于或小于50nm。可以防止元件隔离耐电压降低,并且可提高小型化高集成的半导体器件的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其中基片的表面在等于或比1050℃更高的一个温度下受到氧化处理，以形成厚度等于或者比1500nm更厚的一氧化物薄膜，其后除去该氧化物薄膜，从而将在所述基片的表面上存在的凹陷的密度减少到等于或小于氧化处理前凹陷的密度的一个值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
