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- [发明专利]半导体装置-CN201580020290.9有效
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森诚悟;明田正俊
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罗姆股份有限公司
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2015-04-16
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2020-01-24
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H01L27/04
- 本发明的半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。
- 半导体装置
- [发明专利]电解液循环型电池-CN201580026414.4有效
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矢野敬二
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住友电气工业株式会社
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2015-05-12
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2020-01-24
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H01M8/18
- 提供一种易于控制电解液温度的电解液循环型电池。电解液循环型电池包含电池单元和将电解液循环至所述电池单元的循环通道。所述电解液循环型电池包含：热交换器，所述热交换器安装在所述循环通道内并配置为对所述电解液进行冷却；旁路流动通道，所述旁路流动通道将所述热交换器的电解液流入侧和电解液流出侧相互连接从而绕过所述热交换器；和流量可变机构，所述流量可变机构能够改变流经所述热交换器的所述电解液的流量和流经所述旁路流动通道的所述电解液的流量。
- 电解液循环电池
- [发明专利]半导体器件-CN201480080447.2有效
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荒木康弘
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瑞萨电子株式会社
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2014-07-09
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2020-01-24
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H04N5/374
- 本发明涉及在活性区域内具有两个光电转换元件的半导体器件，其目的在于，缩短将光电转换元件和第一晶体管连接的布线的长度，减小布线电容的值。在半导体衬底(SUB)上多个像素区域呈矩阵状排列，多个像素区域分别具有活性区域(AR)、两个光电转换元件(PD)、两个浮动电容区域(FD)和第一晶体管(AMI)。多个像素区域分别包括两个传输晶体管(TX)，两个传输晶体管(TX)分别具有两个光电转换元件(PD)的每一个和两个浮动电容区域(FD)的每一个。第一晶体管(AMI)在像素区域内，在两个浮动电容区域(FD)中的一个浮动电容区域(FD)与另一个浮动电容区域(FD)排列的方向上，配置在一个浮动电容区域(FD)与另一个浮动电容区域(FD)之间。
- 半导体器件
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