专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含硅的热或光固化性组合物-CN201480057606.7有效
  • 吉田尚史;田代裕治 - AZ电子材料(卢森堡)有限公司
  • 2014-10-14 - 2019-04-09 - C08L83/14
  • 一种热或光固化性组合物,其包含聚硅氧烷、在热或者光的作用下能产生酸或碱的聚合引发剂以及溶剂,所述聚硅氧烷通过使由式:R1nSi(X)4‑n(式中,R1为烷基或芳基等,X为氯原子或者烷氧基,n为0~2)表示的硅化合物(i)、以及由下述式(b)或者(c)(式中,R2~R7为烷基等,M1以及M2为亚芳基或亚烷基等,Y1~Y6为氯原子或者烷氧基)表示的硅化合物(ii)在碱催化剂或者酸催化剂下进行反应而获得。该组合物可形成厚膜,通过涂布于基板,然后进行加热或者曝光,根据需要进行显影,然后进行低温加热焙烧,从而形成固化膜。
  • 光固化组合
  • [发明专利]薄膜封装电池的制造方法-CN201480061532.4有效
  • 白井悟史;阿久津伸明;高塚巧也 - 日产自动车株式会社;汽车能源供应公司
  • 2014-10-16 - 2019-04-09 - H01M10/058
  • 薄膜封装电池形成为将发电元件(4)和电解液一并收纳在壳体(5)的内部而成的扁平的矩形形状,在端子(2、3)自薄膜封装电池的一边(11A)导出的状态下,沿着壳体的四周的缘部进行密封。在电解液注入工序中,对于以端子向侧方突出的姿势将除壳体的上边以外的三边(11A~11C)密封而成的袋状体(13)而言,从其开口的上边(11D)侧注入电解液。在该电解液注入工序之前的局部密封工序中,只对袋状体的开口的上边(11D)之中的、有端子(2、3)导出的一边(11A)的附近的一部分(21)进行局部密封,从而防止在注入电解液时电解液发生泄露。
  • 薄膜封装电池制造方法
  • [发明专利]一种降低晶体管阵列中的寄生泄漏的方法、装置及设备-CN201480055853.3有效
  • S·瑞德尔;D·加米埃;B·H·佩 - 弗莱克因艾伯勒有限公司
  • 2014-10-07 - 2019-04-09 - H01L27/12
  • 一种操作包括晶体管阵列的装置的方法,其中该装置包括:第一导体层,其限定了多个源极导体,每个源极导体与相应的晶体管组相关联,以及多个漏极导体,每个漏极导体均与相应的晶体管相关联;半导体层,其限定了在所述晶体管阵列的所述源极与漏极导体之间的半导体沟道;第二导体层,其限定了多个栅极导体,每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联,以及一个或更多个存储电容器导体,其电容性耦接至相应的晶体管组的漏极导体的至少一部分;其中该方法包括:使用栅极导体使所述晶体管在接通和截止状态之间切换;以及使用存储电容器导体降低半导体层的一个或多个部分的导电性,所述半导体层的一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。
  • 降低晶体管阵列中的寄生泄漏
  • [发明专利]喷嘴叶片与杆体的接合结构、接合方法-CN201380080887.3有效
  • 新井贵;大坪瞳 - 三菱重工发动机和增压器株式会社
  • 2013-12-16 - 2019-04-09 - F02B39/00
  • 本发明的目的在于,提供一种喷嘴叶片与杆体的接合结构、接合方法以及可变容量式涡轮增压器,通过抑制喷嘴叶片的轴部与杆体的焊接部的焊接金属的高温裂纹,能够抑制在使用喷嘴叶片以及杆体时该焊接部发生断裂。所述喷嘴叶片与杆体的接合结构具有:喷嘴叶片(2),其配置于用于将排气引导至可变容量式涡轮增压器(500)的涡轮(34)的排气流路上,并具有轴部(2a);杆体(1),其具有与轴部的一端侧的周面(72)嵌合的嵌合面(42a),用于向轴部传递转矩来调节喷嘴叶片的翼角,喷嘴叶片与杆体的焊接部(40)的焊接金属(50)形成为,在轴部的径向上,焊接金属的中心位置(64)比嵌合面的位置(17)更靠内侧。
  • 喷嘴叶片接合结构方法以及可变容量涡轮增压
  • [发明专利]磁阻效应元件、自旋MOSFET和自旋传导元件-CN201480063796.3有效
  • 佐佐木智生;及川亨 - TDK株式会社
  • 2014-11-19 - 2019-04-09 - H01L29/82
  • 本发明提供一种磁阻效应元件,其具备:半导体通道层(7),经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A),经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B),半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成,第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm‑3的浓度,第3区域的杂质浓度为1×1019cm‑3以下,第1区域和第2区域隔着第3区域而分离,第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。
  • 磁阻效应元件自旋金属氧化物半导体场效应晶体管传导
  • [发明专利]非水电解质充电电池以及使用该非水电解质充电电池的蓄电电路-CN201480061145.0有效
  • 板谷昌治 - 株式会社村田制作所
  • 2014-11-04 - 2019-04-09 - H01M4/13
  • 本发明提供一种高温环境下的可靠性较高且因低电阻化而具有优异的充放电率特性的非水电解质充电电池以及使用该非水电解质充电电池的蓄电电路。该非水电解质充电电池将在正极集电体上形成正极活性物质层而成的正极、在负极集电体上形成负极活性物质层而成的负极、设置成夹在正极与负极之间的间隔物、以及非水类电解液封入在外包装材料内,该非水电解质充电电池中,正极活性物质层包含层状晶体结构的锂过渡金属氧化物,负极活性物质层包含具有尖晶石型晶体结构锂钛氧化物,负极活性物质层的厚度在20.0μm以上、33.4μm以下,并且正极活性物质层的厚度与负极活性物质层的厚度的比率满足下式(1)的条件:0.59≤(正极活性物质层的厚度/负极活性物质层的厚度)≤1.50……(1)。
  • 水电充电电池以及使用电路

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