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[发明专利]一种叠片卷绕式锂离子电池卷芯的制备方法-CN201610410425.9在审
发明人：陈萍;刘成士;李瑜;江家嘉 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01M10/0587 文献下载
摘要：本发明提供一种叠片卷绕式锂离子电池卷芯的制备方法，先将连续的正极片分割成一个个带有正极耳的正极单片；再将正极单片依次整齐地排布在连续的上、下两层隔膜之间，并将正极单片与上、下两层隔膜进行复合成连续体；最后与负极片卷绕成叠片卷绕式卷芯，并使得卷芯上的正、负极耳分别对齐。本发明的制备方法即具有卷绕的制片效率高的优势，又具有叠片电池性能发挥好的优势，并同时解决了叠片电池极片移位的问题。
一种卷绕锂离子电池制备方法

[发明专利]一种微孔铝箔的制备方法及由该方法制得的微孔铝箔-CN201610323953.0在审
发明人：张升亮 -专利权人：张升亮
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01M4/80 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，特别涉及一种微孔铝箔的制备方法及由该方法制得的微孔铝箔。该微孔铝箔制备方法包括如下步骤：(1)将5g‑300g的反应物和分散剂共同加入到1L溶剂中混合均匀，使用研磨设备精细研磨30‑1440min，分散得浆料，过筛，备用；(2)将步骤(1)制得的过筛浆料均匀涂覆在厚度5um－50um的铝箔上，涂层厚度控制1‑50um，对涂层干燥处理5‑60min；(3)采用清洗剂清洗步骤(2)中铝箔上的涂层即得。该方法制得的微孔铝箔表面微孔大小在微米尺度且分布均匀，避免了导电性能不均衡和影响铝箔机械性能；可有效增加铝箔表面粗糙度和接触面积，大大改善电子导电性，而微孔的存在也增加了活性材料接触通道，改善了离子导电性能。
一种微孔铝箔制备方法法制

[发明专利]一种新型锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201610313181.2在审
发明人：王汝娜;申兰耀;周恒辉;高原 -专利权人：北大先行科技产业有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型锂离子电池正极材料及其制备方法。该正极材料的通式为Li_y(Ni_aCo_bX_c)O₂，其中X为除Mn之外的≥+3价的元素，包括Ti、Zr、Ce、W、V、Cr、Sn、Sr、Mo、Sc、La、P、Nb、Y、Ga中的一种或几种；0.9≤y≤1.1，0.3≤a≤0.8，0.1≤b≤0.5，0.01≤c≤0.3，a+b+c＝1，c≤a且c<b。该正极材料在锂离子电池正极材料LiNiCoMnO₂的基础上，考虑到Mn的价态变化造成的材料破坏，采用X元素取代Mn，X元素本身不会发生价态变化，能对晶格结构起到很好的支撑和稳定作用，从而有效的提升材料的循环性能。
一种新型锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锂改性材料及其制备方法-CN201610338193.0在审
发明人：吕金钊;程浩然;张焕;李进潘;薛嘉渔;赵成龙;王瑛 -专利权人：山东玉皇新能源科技有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锂改性材料，属于电化学技术领域，改性材料由微纳结构组成，包括钛酸锂LTO、钛酸锌ZFO和氮掺杂碳纳米管NCNTs。本发明制备工艺简单，条件温和，成本低，重复性好，便于规模化制备，合成出的复合材料颗粒粉体细小且分布均匀，克服了钛酸锂单独作为锂离子电池负极材料时电子电导率低、能量密度低的问题。材料在电化学测试中呈现出较高的初始放电容量和循环比容量、良好的倍率性能和循环稳定性，相比于目前已商业化应用的钛酸锂，该材料能量密度可以提高20‑40%，是一种理想的锂离子电池负极材料，在便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域具有潜在应用前景。
一种钛酸锂改性材料及其制备方法

[发明专利]一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管-CN201410734575.6在审
发明人：郑亚开;唐莹;韦一;彭应全;陈真 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平结构的双极型有机场效应管载流子迁移率不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，通过光刻法形成纵向叠加N型有源层与P型有源层的结构，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型与P型有源层的交界面，增大了界面处激子的离解率，因而增大载流子迁移率。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管可为制备高性能的双极型场效应管提供一种全新思路，对有机分立器件的发展或许有重大影响。
一种纵向结构双极型有机场效应

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089246.X在审
发明人：赖腾宪;郭祐祯;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层以及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。电流阻挡层包括主体以及多个分别从主体朝向第一电极延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极配置于电流分散层上，且包括焊垫以及多个从焊垫延伸的指部。这些指部位于这些延伸部上方，其中这些延伸部的宽度大于对应指部的宽度，延伸部沿着一排列方向排列，且在排列方向上，较靠近发光二极管芯片边缘的延伸部具有较小的宽度。本发明具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]一种由硫酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法-CN201610419905.1在审
发明人：刘科高;徐勇;李静;吴海洋;石磊 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种由硫酸铜和硝酸镓制备铜铟镓硒光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将硫酸铜、氯化铟、水合硝酸镓、二氧化硒放入溶剂中，并调整 pH值为4.0～7.0，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品进行干燥，得到铜铟镓硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟镓硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为铜铟镓硒相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟镓硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
一种硫酸铜硝酸制备铜铟镓硒光电薄膜方法

[发明专利]氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法-CN201610110324.X在审
发明人：王书荣;陆熠磊;李志山;蒋志;杨敏;唐语 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜锌锡硫薄膜电池的方法，具体包括以下步骤：将钠钙玻璃衬底用丙酮、酒精、去离子水超声清洗，用重铬酸钾溶液浸泡，最后用去离子水超声清洗，用氮气吹干备用。将钠钙玻璃衬底放入磁控溅射系统中沉积1μm的钼背电极；以SLG/Mo/ZnO/Sn/Cu的顺序进行射频溅射，沉积600~800nm的铜锌锡氧预制层。将预制层在氮气下低温热处理，随后高温硫化得到铜锌锡硫薄膜吸收层，并制备成完整的电池结构。本发明的优点在于：（1）铜锌锡预制层在硫化后很难生成平坦吸收层，铜锌锡氧预制层硫化后表面平整并且没有针孔。（2）引入氧原子避免了硫化过程中体积突然膨胀，使薄膜脱落。(3)氧化锌在底部能起到阻挡层的作用，抑制硫化过程中生成硫化钼。
氧化锌溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池方法

[发明专利]一种带有电池片双层玻璃的制作方法-CN201410458237.4在审
发明人：徐久立 -专利权人：南通久立安全玻璃有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种带有电池片双层玻璃的制作方法，它涉及玻璃技术领域，它的制作方法为：钢化；制作电池片：采用三层PVB树脂胶片，在中间一层0.38mm的胶片上根据多晶硅电池片的大小，在中间的胶片上刻出电池片的空位；将电池片放入空位内，采用电池片专用焊带进行电路连接，然后将电池片盖上0.38mm的PVB树脂胶片；热轧合并：将带有电池片的胶片放入两层玻璃之间，将两层玻璃压上，接着进行0.38mmPVB树脂胶片与玻璃之间的热轧合并；高温、高压聚合：将平压出来的玻璃进入高压釜进行高温聚合，其温度为140‑160℃，压力为11‑12公斤，时间为7‑8小时；包装；它使用寿命长，效果高，结构简单，制作工艺简单，节省时间。
一种带有电池双层玻璃制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及其制造方法-CN201610040764.2在审
发明人：尹成功;裴轶;吴传佳 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法，所述高电子迁移率晶体管器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层提供载流子运动的沟道；位于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层向沟道层中供应载流子并阻挡沟道层中的载流子流向势垒层；位于所述势垒层上的源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间；所述栅极下方沟道层内的载流子浓度沿栅宽方向为非固定值，且为非单调变化。本发明使用沟槽刻蚀技术或离子注入技术，控制栅极下方沟道层内载流子浓度按照需求变化，实现转移跨导曲线的平坦化，从而达到改善高电子迁移率晶体管器件线性度的目的。
电子迁移率晶体管器件及其制造方法

[发明专利]一种基于超材料的自旋电子学器件-CN201610401143.2在审
发明人：安正华;勾鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于超材料的自旋电子学器件。本发明自旋电子学器件是由磁性金属材料和非磁性金属材料组合而成的复合超材料体系，其上层为两个类似开口谐振环结构背靠背组成的金属结构，该金属结构单元周期性的附在绝缘衬底上，其尺寸是亚波长量级，下层为周期性金属长条以及宽度渐变的长条，在金属长条最窄处有磁性金属薄膜。非磁性金属材料的结构共振可以将电磁波最大效率地集中在结构内部，即完美吸收模式；同时，利用铁磁材料中电子自旋进动与电荷电流的非线性耦合产生的自旋整流效应，吸收电磁波从而产生直流电压信号。因此将磁性金属材料置于体系中电磁场以及电流最强的位置，吸收因结构共振产生的电磁波，产生可以利用的直流电压。
一种基于材料自旋电子学器件

[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、液晶显示装置-CN201610457788.8在审
发明人：吕晓文 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法、液晶显示装置，该TFT阵列基板包括基板以及设置于基板上的TFT；TFT包括半导体层以及设置于半导体层上的源极和漏极，其中，半导体层与源极和/或漏极的接触面呈凹凸结构。通过上述方式，本发明能够减小半导体层和金属层之间的接触电阻，提高TFT器件的电学特性。
一种 tft 阵列及其制作方法液晶显示装置

[发明专利]具有双侧堆叠结构的集成电路封装-CN201610089028.6在审
发明人： M·J·李 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路封装件，其可以包括附接到第二集成电路管芯的前表面的第一集成电路管芯。由成型复合物制成的中间层被形成为以“扇出”布置围绕第二集成电路管芯，同时留下第二集成电路管芯的表面暴露出来。因此，然后在中间层中形成一组通孔，并且该组通孔被填充有导电材料。这种配置形成双侧堆叠结构。该堆叠结构还可以适用于层叠封装的封装件和扇出晶片级芯片尺寸的封装件，其中该堆叠结构在两个异构或同构集成电路封装件之间形成。
具有堆叠结构集成电路封装

[发明专利]DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法-CN201510015033.8在审
发明人：凡会建;李文化;彭志文 -专利权人：特科芯有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明公开了DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法，包括晶圆芯片，胶层和基板，还包括增加层，增加层的底面覆盖新的DAF膜，其先与基板结合，其通过五个步骤来完成；上述技术方案通过晶圆假片的背面覆盖新的DAF膜先与基板结合，有效地改善分层而又不影响产品电气特性。
daf 粗糙硅片结合克服芯片分层方法

[发明专利]加工装置的卡盘台-CN201610073584.4在审
发明人：塚本真裕;富樫谦 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种加工装置的卡盘台，在对接有粘结带的粘结层时能够抑制粘结带的贴附。加工装置的卡盘台通过保持面吸引并保持隔着粘结带而在环状框架的开口处固定有晶片的框架组件上的露出晶片的面，其特征在于，具有：圆形区域，其构成形成有与吸引源连通的多个吸引孔的该保持面；以及围绕该圆形区域的环状的外周区域，该圆形区域小于晶片的直径，该外周区域大于晶片的直径且小于该环状框架的内径，在该外周区域的与该粘结带接触的上表面形成有抑制该粘结带的贴附的凹部。
加工装置卡盘