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[发明专利]有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管-CN201510900239.9在审
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光二极管封装结构包括：第一封装膜层、位于所述第一封装一侧表面的第二封装膜层，以及形成于所述第一封装膜层以及所述第二封装膜层之间的散射粒子，所述散射粒子用于对入射光形成散射。本发明还涉及一种有机发光二极管的封装方法及具有所述发光二极管封装结构的有机发光二极管。所述有机发光二极管封装方法、封装结构及发光二极管在阴极封装膜层内形成所述散射粒子，所述散射粒子可以对环境光或者杂散光形成散射作用，以降低所述阴极对光线的反射，因此能够提高有机发光二极管的对比度的清晰度。
有机发光二极管封装结构方法

[发明专利]基于ITO纳米线网络的电阻开关及制备方法-CN201510852064.9在审
发明人：李强;弓志娜;王江腾;云峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于ITO纳米线网络的电阻开关及制备方法，利用电子束蒸镀的方式在镀有金属铝(Al)的蓝宝石基底上制备ITO纳米线网络，然后在ITO纳米线形成的网络薄膜上表面涂银(Ag)导电胶，构成Ag/ITO/Al三明治结构的电阻开关。本发明首次发现ITO纳米线构成的网络薄膜具有电阻开关效应，制备成Ag/ITO/Al三明治结构电阻开关具有良好的开关特性，且稳定性较好，电阻开关特性能够在室温下稳定循环300次以上。本发明中利用电子束蒸镀的方式制备ITO纳米线网络工艺简单，能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，本发明能够作为用于制备电阻开关非挥发性存储器的原始模型。
基于 ito 纳米网络电阻开关制备方法

[发明专利]一种发光二极管灯丝及其制备方法-CN201410438955.5在审
发明人：王磊;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管灯丝及其制备方法，其中，所述发光二极管灯丝包括：第一基板，第二基板，与所述第一基板相对设置，导电线路，位于所述第一基板或所述第二基板上，至少一个发光二极管芯片，所述至少一个发光二极管芯片通过固晶透明胶固定在所述第一基板或第二基板上，导电连接胶，所述导电连接胶将所述至少一个发光二极管芯片的电极与所述导电线路连接，以将所述至少一个发光二极管芯片串联在所述导电线路中。本发明通过使用固晶透明胶固定发光二极管，能够提高发光二极管灯丝的成品率和可靠性；另外，第一基板和第二基板通过使用为钇铝石榴石晶体材料，能够有效延缓老化速度，以延长发光二极管灯丝的寿命。
一种发光二极管灯丝及其制备方法

[发明专利]ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管-CN201510725379.7在审
发明人：徐平;苗振林;周佐华 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管，该ITO透明导电层的制备方法，包括以下步骤：在LED芯片表面上进行n次镀膜，后续镀膜在前次镀膜形成的薄膜上进行，所述n次镀膜得到的相应薄膜形成ITO透明导电层，各薄膜的厚度按照镀膜的顺序逐层降低，3≤n≤xx。上述ITO透明导电层的制备方法在LED芯片表面上进行n次镀膜，各层薄膜的厚度相等，ITO透明导电层由多层薄膜构建而成，在退火处理过程中，其Rs增大幅度较小，因而正向电压升高较小和LED芯片亮度高。
ito 透明导电制备方法 led 芯片发光二极管

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201510984824.1在审
发明人：王成;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法，其中，该方法包括：清洗多晶硅片；对所述多晶硅片进行第一次扩散，形成第一扩散层；对所述第一扩散层进行第一次刻蚀，使所述第一扩散层具有第一凹坑深度；对所述第一扩散层进行反应离子刻蚀，形成刻蚀层；对所述刻蚀层进行第二次扩散，形成第二扩散层，所述第二扩散层具有大于所述第一凹坑深度的第二凹坑深度。本申请提供的上述太阳能电池及其制作方法，能够改变电池绒面结构，增大表面的凹坑深度，增强对太阳光的吸收，减少因电池绒面表面光滑平整而使反射光损失，增加入射光在电池里面的光程，提高反射次数，从而提高电池的短路电流和开路电压，提高电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201510760154.5在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓金属预制高温过程反应方法铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]一种快速软恢复二极管的制作方法-CN201510876085.4在审
发明人：陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种快速软恢复二极管的制作方法，包括以下步骤：S01：提供一衬底；S02：在所述衬底上区域注入B，形成p+缓冲区；S03：在所述p+缓冲区上外延n缓冲区，并进行热扩散；S04：在所述n缓冲区上外延n-漂移区；S05：在所述n-漂移区上注入B，并扩散形成p基区；S06：在所述p基区上注入B，并扩散形成阳极p+区。本发明在阴极侧隐埋的p+缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+结处的电场强度，改善反向恢复软度，并提高了抗反向恢复动态雪崩能力。
一种快速恢复二极管制作方法

[发明专利]一种三维阻变存储器的制备方法-CN201510939568.4在审
发明人：亢勇 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种三维阻变存储器的制备方法。提供一半导体衬底，制备第一绝缘层覆盖半导体衬底的表面后，制备金属位线层贯穿第一绝缘层至半导体衬底的表面，制备第一薄膜层覆盖第一绝缘层及金属位线层的表面后，按照从下至上顺序依次制备第二薄膜层和第三薄膜层于第三薄膜层之上形成沿子线阵列方向及位线阵列方向呈阵列分布的多个牺牲柱；以多个牺牲柱为掩膜，依次刻蚀第一薄膜层、第二薄膜层及第三薄膜层至第一绝缘层的上表面，去除多个牺牲柱后，在第一绝缘层之上形成多个相互隔离的双向选通管，基于多个相互隔离的双向选通管制备位于金属位线层之上的若干第一相变单元；于若干第一相变单元之上形成金属字线层。
一种三维存储器制备方法

[发明专利]一种半导体加工设备-CN201410267350.4在审
发明人：张新云 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体加工设备，包括反应腔室和传输腔室，在反应腔室和传输腔室之间还设置有门阀，门阀用于控制反应腔室和传输腔室之间的连通或断开，在传输腔室内设置有机械手，机械手用于在反应腔室和传输腔室之间传输晶片，在门阀和传输腔室之间设置有防夹片装置，其包括装置本体、检测单元和控制单元，在装置本体上设置有用于晶片传输的通道；检测单元用于在机械手位于传输腔室内预设位置时检测通道内是否存在晶片；控制单元用于在通道内存在晶片时，停止工艺流程；在通道内不存在晶片时，控制门阀关闭或打开。本发明提供的半导体加工设备，可以在晶片掉落在门阀通道内时停止工艺流程，以避免门阀关闭造成晶片被门阀夹碎甚至损坏门阀。
一种半导体加工设备

[发明专利]一种多晶硅原料封装操作台-CN201510934781.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泗阳瑞泰光伏材料有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅原料封装操作台，该操作台包括员工操作台面、可旋转机构、出料口；所述可旋转机构包括水平台面、连杆机构、支撑架，所述的连杆机构包括第一连杆和第二连杆，所述第一连杆的一端和第二连杆的一端活动连接，所述第一连杆的另一端与水平台面的一侧连接，所述第二连杆的另一端支撑架连接，所述水平台面上设有的电子秤，电子秤称量多晶硅原料时，电子秤的称量面与员工操作台面齐平；当电子秤称量结束后，所述连杆机构将电子秤的称量面旋转至与出料口的出料平面齐平。本发明将电子秤与旋转平台结合，减少操作过程中来回搬料的动作，在增加工作效率的同时减轻了劳动强度，封装好的料通过传送带转送到仓库，减少了中间周转环节，增加了工作效率。
一种多晶原料封装操作台

[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法-CN201510571584.2在审
发明人：山本高裕;大野彰仁;惠良淳史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明得到一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其能够抑制在GaN沟道层的表面处的损坏、陷阱等，提高设备特性。在Si衬底(1)上，以第1生长条件形成GaN沟道层(3)。在GaN沟道层(3)上，一边从第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成GaN转变层(4)。在GaN转变层(4)上，以第2生长条件形成AlGaN电子供给层(5)。不进行生长中断而连续地形成GaN沟道层(3)、GaN转变层(4)、以及AlGaN电子供给层(5)。
电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种晶圆局部清洁装置及方法-CN201410345393.X在审
发明人：杨涛;刘金彪;卢一泓;张月;崔虎山 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆局部清洁装置，用于对晶圆刻号区域进行清洁，该装置包括晶圆对准装置、晶圆卡盘、晶圆升降控制装置、位于卡盘上方向下的高纯气体高压冲吹管路、以及与冲吹位置相对水平放置的负压抽吸管路。本发明提出的局部清洁装置和方法通过物理手段进行，减小工艺成本，提高工艺效率，对IC制造工艺进行了有效的改进。
一种局部清洁装置方法

[发明专利]灯泡替换工具-CN201510945446.6在审
发明人：武晓江 -专利权人：华北冶建工程建设有限公司;中国华冶科工集团有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01K3/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种灯泡替换工具，包括灯架和手柄，灯架连接在手柄的顶端，灯架由至少两个夹具构成，每个夹具的底端与手柄的顶端转动连接，且在每个夹具的外表面分别设置一个转轴，在每个夹具的内表面分别设置有防滑机构；在手柄上套设有一个滑动轴，每个转轴分别通过连接杆与滑动轴连接，连接杆的一端与转轴转动连接，另一端与滑动轴转动连接；在手柄或滑动轴上还设置有至少一个用于限制滑动轴滑动的限位机构。利用本发明能够摆脱人们在拆下或安装灯泡时对梯子等工具的依赖，直接进行灯泡的拆下或安装，同时手无需接触灯泡，避免灯泡过热或破碎给手造成伤害。
灯泡替换工具

[发明专利]一种Ag/Co(OH)₂纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法-CN201510736501.0在审
发明人：吴明在;丁丽君;刘涛 -专利权人：安徽大学
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ag/Co(OH)₂纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法。本发明的Ag/Co(OH)₂纳米阵列薄膜超级电容器电极材料是多孔状的，而且Co(OH)₂纳米阵列是直接生长在泡沫镍上，其制备方法主要包括泡沫镍上直接生长多孔Co(OH)₂纳米阵列薄膜的制备，以及后期的Ag纳米粒子的修饰方法。本发明制备的Ag/Co(OH)₂纳米复合材料具有多孔结构，优异的循环稳定性，是高性能的电容器电极材料。
一种 ag co oh sub 纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属高价氧化物电极及其制备方法和应用-CN201510926347.3在审
发明人：陈亚;孔令坤;胡方园;刘宇;石西昌;杨喜云;徐徽 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属高价氧化物电极及其制备方法和应用；属于电化学技术领域。所述过渡金属高价氧化物电极包括集流体以及均匀包覆在集流体上的包覆层，所述包覆层由过渡金属元素的高价氧化物构成。其制备方法为：将可溶性过渡金属盐与缓冲剂溶解于水中形成混合溶液，调整混合溶液的pH值到6～8，得到电沉积液；然后用经过表面清洗处理后的集流体材料为阳极，将所述阳极置于步骤一所得电沉积液中，进行氧化电化学沉积，在所述阳极上得到过渡金属高价氧化物电极。包括用于电化学元件；所述电化学元件中含有所述过渡金属高价氧化物电极。本发明组分设计合理，制备工艺简单，所得产品性能优良，便于大规模的工业化应用。
一种过渡金属高价氧化物电极及其制备方法应用