专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氨合成新鲜气的干燥净化方法和装置-CN200910056055.3有效
  • 杨震东;陆欢庆;陈晏;支红利;张仲敏 - 上海国际化建工程咨询公司
  • 2009-08-07 - 2010-03-03 - C01C1/04
  • 本发明公开了一种氨合成新鲜气的干燥净化方法,其从压缩机出来的合成气送入一冷却步骤冷却至30~40℃,冷却后的合成气同少量液氨送入冷量回收步骤冷却至10℃~-30℃,再送入一组合式净化器进行净化,其中在组合式净化器净化过程中,合成气由组合式净化器顶部进入,与由组合式净化器中部进入的液氨形成逆流,经充分气液混合后,合成气中含有的H2O和CO2被液氨吸收脱除,净化后的合成气由组合式净化器的上部出,返回至冷量回收步骤复热,复热后的合成气送入压缩机升压后送入合成回路。合成气净化度达到H2O≤0.1ppmv,CO2检测不出,满足氨合成催化剂对毒物的净化要求。合成回路产品液氨的品质达到国家标准优等品级别。本发明还公开了实现上述干燥净化方法的装置。
  • 一种合成新鲜干燥净化方法装置
  • [发明专利]一种二极管中点箝位逆变电路零电流开关的实现方法-CN200910186010.8有效
  • 袁义生 - 华东交通大学
  • 2009-09-09 - 2010-03-03 - H02M7/797
  • 一种二极管中点箝位逆变电路零电流开关的实现方法,由二极管中点箝位逆变电路实现,组成该电路的并联三端口单元M1、M2分别由N(≥2)个并联三端口单元M1或M2的基本单元并联构成,并联三端口单元M1(M2)的基本单元由功率管Q1(Q5)及其反并联二极管D1(D5),续流二极管D7(D9),及换流电感L1(L3)组成。M1和M2的基本单元1~N中的各功率管按照第1,第2,...,第N的顺序循环触发,相邻两个基本单元的功率管触发脉冲相差360°/N,各功率管的触发脉冲占空比小于1/N;主功率管Q4(Q3)的触发逻辑由M1(M2)的N个基本单元的N个功率管触发逻辑输入一个N路输入的或非门得到的输出逻辑信号确定。本发明方法能够实现各基本单元中各功率管的零电流开通。
  • 一种二极管中点箝位电路电流开关实现方法
  • [发明专利]复分解法生产硝酸钾的方法-CN200910115890.X有效
  • 赵家春 - 赵家春
  • 2009-09-03 - 2010-03-03 - C01D9/10
  • 本发明公开了一种复分解法生产硝酸钾的方法其包括以下步骤:以氯化钾、硝酸铵、水溶液为原料,控制反应溶液中Cl-和NH4+浓度分别为14-19%、6-9.6%,反应溶液温度为85-95℃;将反应所得溶液降温至0-20℃,使半成品KNO3结晶析出,过滤得滤液母液I;将KNO3结晶用水冲洗至Cl-:1-2%,NH4+:1-3%,冲洗溶液回收;将KNO3结晶置于复分解装置中使之充分溶解,控制溶液浓度为44-52Be;降温使KNO3结晶析出,干燥至KNO3含水量≤0.1%即为KNO3成品;本发明在复结反应过程中使用复分解装置,不需要使用搅拌装置,使反应溶液接触反应更充分,在保证“两高”的前提下,实现平衡,连续循环工业化生产提高了生产效率,降低生产成本。
  • 解法生产硝酸钾方法
  • [发明专利]加热单元及热处理装置-CN200910161732.8有效
  • 山本恵司;巽智彦 - 光洋热系统株式会社
  • 2009-08-07 - 2010-03-03 - H05B3/62
  • 本发明提供一种加热单元和一种热处理装置,通过对加热器因其温度上升而膨胀和温度下降而收缩的影响进行相关控制,使它们适用于大型工件。加热单元(20)包括加热器(21)、用于支承加热器(21)的加热器架(18)和支承板(19)。加热器(21)包括尺寸比工件(14)小的多个加热块(210~219)。在该加热器架(18)和该支承板(19)上放置加热块(210~219)。放置在加热器架(18)和支承板(19)上的加热块(210~219)中的至少一部分被设置成可在加热器架(18)上滑动。
  • 加热单元热处理装置
  • [发明专利]激光器装置-CN200910172096.9有效
  • G·卡拉比斯;T·克雷默 - 施塔比拉测量工具古斯塔夫乌尔里希公司
  • 2009-08-28 - 2010-03-03 - H01S3/00
  • 本发明涉及一种激光器装置,此激光器装置包括容纳体(18),此容纳体具有源自这个容纳体的激光器单元,其中容纳体与基部元件(12)连接,容纳体相对于基部元件可以按照斜度通过至少一个伺服驱动(22,24)调整。为了通过结构上简单的措施实现对于激光器单元容纳体的可靠支承,其中要同时消除相互间可翻转的结构部件之间的间隙,而建议,所述容纳体(18)与基部元件(12)一方面通过固体铰节(20)且另一方面通过两个伺服驱动(22,24)连接,其中伺服驱动相对于固体铰节(20)这样设置,使固体铰节的纵轴线与伺服驱动之间的连接线围成直角。
  • 激光器装置
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200910168340.4有效
  • 徐鹏富;林纲正;黄国泰 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2009-08-27 - 2010-03-03 - H01L21/8238
  • 一种半导体元件及其制造方法。该方法提供一具有一第一区和一第二区的半导体基底,形成一高介电常数介电层于半导体基底上方,形成一盖层于第一区的高介电常数介电层上方,形成一第一金属层于第一区的盖层上方和第二区的高介电常数介电层上方,形成一第一栅极堆叠于第一区中和一第二栅极堆叠于第二区中,在第二栅极堆叠的第一金属层上进行一处理工艺时,保护第一栅极堆叠的第一金属层,及形成一第二金属层于第一栅极堆叠的第一金属层上方和第二栅极堆叠的处理过的第一金属层上方。本发明提供简单且有成本效益的方法,用来制作CMOS工艺流程的双金属栅极结构,另外,在此所揭示的方法和元件可容易地和现今CMOS工艺流程和半导体设备整合。
  • 半导体元件及其制造方法

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