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[发明专利]可固化粘合剂组合物及其用途-CN201580020925.5在审
发明人： V·卢;C·李 -专利权人：汉高知识产权控股有限责任公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C08F265/04 文献下载
摘要：一种无溶剂杂化可固化组合物，其是通过将聚酯或聚酰胺接枝到(甲基)丙烯酸共聚物主链上制备的。除了无溶剂体系的许多优点外，所述杂化可固化组合物形成对极性基材强的粘合力，拓宽了使用温度，并且相比传统的杂化可固化组合物允许更快的加工速度。所述无溶剂杂化可固化组合物形成光学透明的单一相，使其适合用作胶带和标签，或用在电子、光电子、OLED和光伏器件等中。
固化粘合剂组合及其用途

[发明专利]可辐射固化的脲烷（甲基）丙烯酸酯聚合物和用它们配制的粘合剂-CN200680014853.4无效
发明人： V·卢;J·王 -专利权人：氰特表面技术有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C08G18/62 文献下载
摘要：公开了通式(1)的可UV固化的脲烷(甲基)丙烯酸酯聚合物，其中：R₁和R’₁各自独立地是氢或C_1－20烃基，R₂，R’₂，R₃和R₄各自独立地是任选取代的二价有机基团，和p是约6到约100的整数，该聚合物可用作层压材料和/或压敏粘合剂，还公开了制备它们的方法。低聚物/聚合物包括由二异氰酸酯与从橡胶低聚物/聚合物衍生的多元醇反应所形成的脲烷扩链主链。
辐射固化甲基丙烯酸酯聚合物它们配制粘合剂

[发明专利]粘合剂组合物和方法-CN200680014833.7无效
发明人： V·卢;J·王 -专利权人：氰特表面技术有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：公开了由下列材料的无溶剂单阶段聚合所制备的可固化的PSA：约10－约80wt％的至少一种多元醇，其分子量至少为1000道尔顿；约0.5－约20wt％的至少一种多异氰酸酯；约0.1－约10wt％的至少一种羟基(甲基)丙烯酸酯；约10－约80wt％的一种或多种粘合剂树脂。
粘合剂组合方法

[发明专利]填孔和光刻用的抗反射涂层及其制备方法-CN200480040181.5有效
发明人： B·李;J·肯尼迪;N·伊瓦莫托;V·卢;R·梁;M·A·弗拉德金;M·A·胡塞恩;M·D·戈德纳 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G03C1/825 文献下载
摘要：本文描述一种吸收组合物，它包括至少一种无机－基(的)化合物、至少一种吸收化合物，和至少一种材料改性剂。另外，还描述制造吸收组合物的方法，包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂和酸/水混合物，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物；以及b)让该反应混合物在室温下形成吸收组合物。另一种制造吸收组合物的方法包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂和酸/水混合物，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物；以及b)加热该反应混合物以形成吸收组合物。描述又一种制造吸收组合物的方法，包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物，其中该至少一种材料改性剂包含至少一种酸和水；以及b)让该反应混合物形成吸材料、涂层或薄膜。在制造这里描述的吸收组合物的其它方法中，某些方法包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物，其中该至少一种材料改性剂包含至少一种酸和水；以及b)让该反应混合物形成吸收材料、涂层或薄膜。
光刻反射涂层及其制备方法

[发明专利]治疗性结合分子-CN200480026125.6无效
发明人： F·科尔宾格;J·M·卡瓦利多埃雷拉;A·奥索迪;J·W·塞尔丹哈;B·M·哈尔;S·格雷戈里;M·G·龙卡罗洛;V·卢;G·阿韦尔萨;M·耶施克 -专利权人：诺瓦提斯公司
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：包含至少一个抗原结合位点的分子，其在序列中包含高变区CDR1、CDR2和CDR3，所述CDR1具有氨基酸序列Asn－Tyr－Ile－IIe－His(NYIIH)，所述CDR2具有氨基酸序列Tyr－Phe－Asn－Pro－Tyr－Asn－His－Gly－Thr－Lys－Tyr－Asn－Glu－Lys－Phe－Lys－Gly(YFNPYNHGTKYNEKFKG)并且所述CDR3具有氨基酸序列Ser－GIy－Pro－Tyr－Ala－Trp－Phe－Asp－Thr(SGPYAWFDT)；例如，在序列中还包含高变区CDR1’、CDR2’和CDR3’，CDR1’具有氨基酸序列Arg－Ala－Ser－Gln－Asn－IIe－GIy－Thr－Ser－Ile－Gln(RASQNIGTSIQ)，CDR2’具有氨基酸序列Ser－Ser－Ser－Glu－Ser－Ile－Ser(SSSESIS)，CDR3’具有氨基酸序列Gln－Gln－Ser－Asn－Thr－Trp－Pro－Phe－Thr(QQSNTWPFT)，例如，嵌合或人源化的抗体，所述分子可以用作药物。
治疗结合分子

[发明专利]受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复-CN200480002723.X无效
发明人： W·范;V·卢;M·托马斯;B·丹尼尔斯;T·阮;D·L·周;A·纳曼;L·金;A·巴纳普 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/47 文献下载
摘要：本文描述了修复材料中的孔隙的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的材料；b)提供至少一种活性表面改性剂；和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。本文还描述了恢复材料中的碳的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的碳缺乏材料；b)提供至少一种活性表面改性剂；和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。另外，本文还描述了减少薄膜和/或碳缺乏薄膜缩合的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的薄膜；b)将所述薄膜置于等离子室中；c)向等离子室中引入大量含有活性有机基团的硅烷；以及d)使所述硅烷与至少一部分所述活性硅烷醇基团发生反应。本文还描述了一类电介质材料和低介电常数的电介质材料，该材料包括：a)具有大量硅原子的无机材料；和b)大量含有有机基团的硅烷化合物，其中所述硅烷化合物通过至少一部分硅原子与所述无机材料偶联。
受损电介质材料修复恢复

[发明专利]用于低介电常数材料的夹层增粘剂-CN02829637.0无效
发明人： V·卢;R·Y·梁;W·范;A·娜曼;D·－L·周 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-09-20 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及多层介电结构的生产并涉及包含这些结构的半导体设备和集成电路。通过将多孔介电层经中间的增粘介电层粘合到基本上无孔的贴面层上来制备本发明的结构。所制备的多层介电结构具有孔隙率为约10％或更高的多孔介电层；在所述多孔介电层上的增粘介电层，其孔隙率为约10％或更低；和在所述增粘介电层上的基本上无孔的贴面层。
用于介电常数材料夹层增粘剂

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