专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于自动插管的系统和方法-CN202180083694.8在审
  • S·S·肖汉;A·N·达斯 - 某人就是我有限责任公司
  • 2021-12-12 - 2023-08-08 - A61M16/04
  • 一种在患者体内自动执行气管插管的系统、方法和装置,其包括:将刀片插入所述患者的所述上气道内,以牵引解剖结构;将弯曲部分和布置在所述弯曲部分上的导管插入所述患者的所述气道内;使用布置在所述弯曲部分上的至少一个成像传感器收集气道数据;将经收集的气道数据传送到处理电路;使用所述处理电路预测供所述导管插入的预期路径并产生控制信号,其中所述预期路径是基于由所述处理电路使用所述经收集的气道数据识别的至少一个解剖结构来预测的;经由用户界面显示预期路径,以向操作者显示至少一个预期路径,并且还允许所述操作者选择预期路径;以及将由所述处理电路产生的所述控制信号传送到至少一个致动单元,以致动所述导管的三维运动。
  • 用于自动插管系统方法
  • [发明专利]用于将IC晶粒或晶片接合到TSV晶片的双载体-CN201080065830.2无效
  • Y·高桥;M·穆尔图萨;R·邓恩;S·S·肖汉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2010-12-17 - 2012-12-26 - H01L23/48
  • 本发明涉及一种使用贯穿衬底通孔(TSV)晶片形成堆叠电子制品的方法,该方法包括使用具有第一脱粘温度的第一粘合材料(206)将第一载体晶片(205)安装到TSV晶片(202)的顶侧。TSV晶片从TSV晶片的底侧变薄,从而形成变薄的TSV晶片(202’)。使用具有高于第一脱粘温度的第二脱粘温度的第二粘合材料(207),将第二载体晶片(215)安装到TSV晶片(202’)的底侧。变薄的TSV晶片(202’)被加热到高于第一脱粘温度的温度,从而从变薄的TSV晶片(202’)移除第一载体晶片(205)。至少一个单个化的IC晶粒被结合到在变薄的TSV晶片的顶面上形成的TSV晶粒,从而形成堆叠电子制品。
  • 用于ic晶粒晶片接合tsv载体
  • [其他]已封装电子器件-CN200990100242.0有效
  • T·D·博尼费尔德;G·P·莫里森;R·邓恩;S·S·肖汉;M·穆尔图扎 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2009-05-12 - 2012-11-14 - H01L23/12
  • 本实用新型公开一种已封装电子器件,其包括具有引线框架的封装,该引线框架具有管芯焊盘和互相之间电隔离并且与该管芯焊盘电隔离的多个引线管脚;以及第一集成电路管芯,其以面朝上配置方式位于该引线框架上;该第一集成电路管芯包括:衬底,其具有顶部表面和底部表面;该顶部表面包括电路,该电路具有输入焊盘、输出焊盘、电源焊盘和地焊盘;以及具有导电材料的多个通孔,该多个通孔从该顶部表面穿过该衬底延伸到该底部表面。本实用新型公开的已封装的电子器件改善了地连接和热耗散。
  • 封装电子器件
  • [其他]管芯到管芯键合系统-CN200990100236.5有效
  • S·S·肖汉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2009-05-12 - 2012-06-13 - H01L21/60
  • 一种管芯到管芯键合系统,包括具有正面(208)、背面(210)和完全填充的穿透硅通孔(250)的上管芯(202),所述完全填充的穿透硅通孔的一部分(252)从所述上管芯的背面突出。下管芯(204)包括正面、背面和部分填充的穿透硅通孔(260),所述部分填充的穿透硅通孔被形成以限定暴露于该管芯的正面的通孔开口(264),所述部分填充的穿透硅通孔的一部分(262)从所述下管芯的背面突出。互连(206)将所述上管芯穿透硅通孔的突出部分的外表面与所述下管芯中的通孔开口的内表面(264a)键合。
  • 管芯系统

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