“R·L·蒂纳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]改善气流的喷头支撑结构-CN201510891705.1有效
发明人： R·L·蒂纳;崔寿永;王群华;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
孔洞气体通道气体分配喷头喷头特征结构支撑结构悬置工艺腔室孔洞形成真空腔室流体缩孔穿过支撑

[实用新型]具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件-CN201720217297.6有效
发明人：栗田真一;R·L·蒂纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件。本文所述实施方式一般涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用以提供在基板支撑组件与等离子体处理腔室的侧壁之间流动的不均匀的气体流的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑组件，基板支撑组件包括基板支撑主体，所述基板支撑主体限定所述基板支撑主体的至少第一侧面；以及角落区域和中心区域，角落区域和中心区域形成在基板支撑主体的第一侧面中，其中角落区域具有比中心区域的中心宽度小的角落宽度，宽度被限定在基板支撑主体的中心轴线与第一侧面之间。
具有不均匀气体间隙支撑组件

[发明专利]翻边式遮蔽框-CN201380000449.1有效
发明人： Q·王;崔寿永;R·L·蒂纳;J·M·怀特;古田学;朴范洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
翻边式遮蔽

[实用新型]处理腔室-CN201520881872.3有效
发明人：栗田真一;崔寿永;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开的实施例包括处理腔室，所述处理腔室包括：沉积腔室，所述沉积腔室具有主体；背板，所述背板耦接至所述主体，所述主体从所述背板处支撑扩散器；以及多个温度控制设备，所述多个温度控制设备耦接至所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的外表面或设置在所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的诸部分内，所述主体、所述背板和所述扩散器形成控制形成在所述主体中的工艺容积的温度的一个或多个温度控制环路。
处理

[实用新型]串行群集工具系统-CN201520646343.5有效
发明人：栗田真一;稻川真;J·A·霍;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一个第二周边腔室，所述腔室间适配器元件包括联结在所述第一腔室和所述第二腔室的密封面之间的耐真空柔性段。
串行群集工具系统

[实用新型]用于等离子体增强化学气相沉积的装置-CN201520526997.4有效
发明人：栗田真一;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开案的各实施方式提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置。该装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；区隔板组件，所述区隔板组件设置在所述腔室主体内，介于所述气体分布板与所述背板之间；以及远程等离子体清洁源，所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体，其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口，并且其中所述至少一个出口设置在所述气体分布板与所述区隔板组件之间。
用于等离子体增强化学沉积装置

[实用新型]具有加热器的基板支撑组件-CN201520383981.2有效
发明人：古田学;J·M·怀特;R·L·蒂纳;S·安瓦尔;崔寿永;栗田真一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开案的实施方式涉及一种具有加热器的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括具有基板支撑表面的基板支撑基座、以及加热组件。所述加热组件设置在所述基板支撑基座中、接近所述基板支撑表面。所述加热组件配置成在所述加热组件的拐角处提供均匀热量分布。在另一实施方式中，基板支撑组件包括具有基板支撑表面的基板支撑基座、以及加热组件。所述加热组件设置在所述基板支撑基座中，并且包括内加热区和外加热区。所述内加热区设置在所述加热组件的中心并从所述中心延伸。所述外加热区限定所述加热组件的边缘。所述外加热区具有设置在所述加热元件的拐角处的多个耳形加热元件。
具有加热器支撑组件

[实用新型]一种用于处理基板的罩框和基板支撑组件-CN201520400947.1有效
发明人：赵来;R·L·蒂纳;崔寿永;J·M·怀特;朴范洙;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于处理基板的罩框和一种基板支撑组件，所述罩框被设计成降低基板边缘区域上的高沉积速率。所述罩框可与无遮蔽结构式基板支撑件一起使用，并且可与气体限制器一起使用或者不与气体限制器一起使用。所述罩框包括基部和遮罩。所述遮罩可以具有低阻抗。所述遮罩的一部分可在处理期间在所述基板的下方延伸。虽然不受理论限制，但据信所述低阻抗遮罩通过降低基板支撑件的边缘处的阻抗失配来提高膜沉积均匀性。
一种用于处理支撑组件

[其他]串行群集工具系统-CN201290001237.6有效
发明人：栗田真一;稻川真;J·A·霍;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一个第二周边腔室，所述腔室间适配器元件包括联结在所述第一腔室和所述第二腔室的密封面之间的耐真空柔性段。
串行群集工具系统

[发明专利]改善气流的喷头支撑结构-CN201180026734.1有效
发明人： R·L·蒂纳;崔寿永;王群华;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
改善气流喷头支撑结构

[发明专利]大面积电极上的紧密安装的陶瓷绝缘体-CN201180021285.1有效
发明人： J·库德拉;白宗薰;J·M·怀特;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用之屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件之喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板的外缘边缘。多片式框组件容许气体分配板膨胀，而不会产生可能导致电弧放电之间隙。在其它实施例中，绝缘体经定位而使集中于气体分配板外缘的电场位在绝缘体中，从而降低电弧放电的可能性。
大面积电极紧密安装陶瓷绝缘体

[发明专利]经阳极处理的喷头-CN201080026164.1有效
发明人：崔寿永;S·安瓦尔;古田学;朴范秀;R·L·蒂纳;J·M·怀特;栗田真一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。
阳极处理喷头

[发明专利]用于等离子体工艺的接地回流路径-CN201080007090.7有效
发明人：崔寿永;R·L·蒂纳;栗田真一;J·M·怀特;C·A·索伦森;J·A·霍;S·安瓦尔;古田学;稻川真 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
用于等离子体工艺接地回流路径

[发明专利]通过气体分散器的等离子体均匀度控制-CN200910222285.2有效
发明人：崔寿永;朴范秀;J·M·怀特;R·L·蒂纳 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了用以在处理室中散布气体的一气体分散板的实施例。在一实施例中，用于等离子体处理室的气体分散板组件至少包含一散布器板，该散布器板具有穿过其上游侧与下游侧之间的气体通道，与位于该些气体通道的下游侧的中空阴极腔穴。该散布器板的下游侧具有一弯曲性，以改善通过PECVD沉积的薄膜层(特别是氮化硅与非晶硅膜层)的厚度均匀性与膜层性质均匀性。弯曲性较佳地是由圆或椭圆的一弧、位在散布器板的中心点的顶点来描述。在一态样中，中空阴极腔穴体积密度、表面积密度、或散布器的腔穴密度是由散布器的中心增加至外缘。本发明也提供了用以制造这样的散布器板的方法。
通过气体分散等离子体均匀控制

[发明专利]用以密封工艺腔室的开口的方法与装置-CN200880114515.7有效
发明人：栗田真一;松本隆之;R·L·蒂纳;J·M·怀特;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用以密封一工艺腔室的一开口的方法与设备。在一实施例中，本发明大致上提供一闭合构件用以密封腔室的壁内的开口，该闭合构件被整合在工艺腔室的壁中。在另一实施例中，本发明提供一闭合构件，其用以从腔室内侧来密封工艺腔室的壁中的开口。
用以密封工艺开口方法装置

1
2
下一页»
尾页
共 18 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top