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[发明专利]具有多个外部电源的非易失性半导体存储器-CN201410075753.9有效
发明人：金镇祺;P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2008-02-12 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储器装置包括用于保存数据的核心存储器，例如闪速存储器。该存储器装置包括第一功率输入端以接收用于给该闪速存储器提供功率的第一电压。另外，该存储器装置包括第二功率输入端以接收第二电压。该存储器装置包括功率管理电路，其被配置成接收该第二电压和获得一个或多个内部电压。该功率管理电路提供或传送该内部电压到该闪速存储器。由该功率管理电路（例如电压转换器电路）产生的并且提供到该核心存储器的不同内部电压使能关于该核心存储器中的单元的操作，例如读取/编程/擦除。
具有外部电源非易失性半导体存储器

[发明专利]环形拓扑状态指示-CN201380028585.1在审
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：考文森智财管理公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括具有外部数据接口、外部状态接口和多个内部数据接口的桥接装置。多个存储装置中的每一个经由一个内部数据接口连接到桥接装置。每个存储装置具有连接到桥接装置的输入的就绪/忙输出。桥接装置被配置为响应于在外部状态接口上接收的状态请求命令，在外部状态接口上以分组化格式输出每个就绪/忙输出的当前状态；以及，通过一个内部数据接口从所选存储装置的状态寄存器读取信息，并且响应于在外部数据接口上接收的状态读取命令在外部数据接口上提供该信息。还公开了一种操作半导体装置的方法。
环形拓扑状态指示

[发明专利]用于在具有多个存储状态的非易失性存储单元中执行操作的设备和方法-CN201380032997.2无效
发明人： P·吉利厄姆;金镇祺 -专利权人：考文森智财管理公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了用于在具有多个存储状态的非易失性存储单元中执行操作的设备和方法。一种方法是用于在配置为存储多达N+1个位的非易失性存储单元中对N个位进行编程的方法，其中N是大于零的整数。用于编程的方法包括将N位数据编程到所述非易失性存储单元中。用于编程的方法还包括将作为所述N位数据的逻辑函数的额外数据位编程到所述非易失性存储单元中。所述非易失性存储单元被配置为提供用于位存储的2N+1个阈值电压范围，且根据所述逻辑函数：i)所述2N+1个阈值电压范围中的第一组2N个阈值电压范围用于存储所述N位数据；以及ii)与所述第一组交替的剩余的第二组2N个阈值电压范围未被使用。
用于具有存储状态非易失性单元执行操作设备方法

[发明专利]用于堆叠的半导体装置的中介层-CN201280064251.5无效
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：考文森智财管理公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括具有至少一个衬底焊盘的衬底。在衬底上堆叠多个半导体裸片。每个半导体裸片具有位于该裸片的有源表面上的至少一个裸片焊盘。将多个中介层中的每一个安装到对应的一个半导体裸片上。每个中介层具有与至少一个裸片焊盘对准的、穿过该中介层形成的孔。在至少一个裸片焊盘和至少一个衬底焊盘之间的电连接至少部分由中介层形成。该电连接包括至少一个引线接合。
用于堆叠半导体装置中介

[发明专利]用于共享集成电路装置中的内部电源的方法和设备-CN201180056159.X无效
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明描述了用于共享集成电路装置中的内部电源的方法、系统和设备。包装（201）中包含多装置集成电路（200），该多装置集成电路（200）包括多个集成电路（202-205），每个集成电路具有内部电源。所描述的集成电路（202-205）示出了如何建立到内部电源的外部连接。连接（208-212）被提供给每个装置（202-205）的内部电源。系统的另一个实施例（500）提供由另一集成电路（501）禁用多个集成电路（502）、（503）和（504）中的调节器以降低功耗。所述方法包括提供装置并将内部电源连接在一起。本发明描述了具有适于所述系统和方法的电源（400）和用于禁用调节器（306）的附加电路（308）、（404）和（402）的集成电路（501）。
用于共享集成电路装置中的内部电源方法设备

[发明专利]具有偏移裸片叠层的多芯片封装及其制造方法-CN201180014372.4无效
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体器件，该半导体器件具有被安装在基底上的多个被堆叠的半导体裸片。每个裸片具有相似的尺寸。每个裸片具有沿该裸片的焊边布置的第一多个焊盘。将第一组裸片安装至所述基底，其中该焊边在第一方向上取向。将第二组裸片安装至所述基底，其中该焊边在与所述第一方向相反的第二方向上取向。每个裸片相对于剩余裸片在第二方向上横向偏移一段各自的横向偏移距离，使得在垂直于所述基底的方向上，每个裸片的焊盘不被放置在所述基底与所述剩余裸片的任一部分之间。多个焊线将焊盘连接至基底。还公开了一种制造半导体器件的方法。
具有偏移裸片叠层芯片封装及其制造方法

[发明专利]具有多个装置的系统中的时钟再生和时序方法以及具有可变数据对准的存储器控制器-CN201110397274.5无效
发明人：潘弘柏;P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一个系统包括存储器控制器和串联的多个半导体装置。每个装置存储数据。控制器提供用于同步装置操作的时钟。每个装置包括用使能信号选择性地使能或禁用的锁相环(PLL)。用使能信号使能所选装置的PLL，将其他装置的PLL禁用。使能的PLL提供具有90°倍数相移的多个再生时钟。数据传输和至少一个再生的时钟同步。在禁用PLL的装置中，数据传输和输入时钟同步。使能和禁用的PLL使装置分别为源同步时钟和公共同步时钟。分配给最后一个装置的装置标示符的最低有效位确定时钟对准：由控制器产生和数据边沿对准或中心对准的时钟。
具有装置系统中的时钟再生时序方法以及可变数据对准存储器控制器

[发明专利]错误检测方法和包括一个或多个存储器设备的系统-CN200980151271.4无效
发明人： P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：公开了一种包括一个或多个存储器设备的系统和错误检测和纠正方法。该系统的存储器设备包括用于接收包的输入。该包的第一部分可包括至少一个命令字节，且该包的第二部分可包括奇偶校验位以便于命令错误检测。该存储器设备可包括配置为基于该奇偶校验位来检测是否在至少一个命令字节中存在错误的错误管理器，和配置为将包提供到错误管理器的电路。
错误检测方法包括一个存储器设备系统

[发明专利]具有多个外部电源的非易失性半导体存储器-CN200880005233.3有效
发明人：金镇祺;P·吉利厄姆 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2008-02-12 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储器装置包括用于保存数据的核心存储器，例如闪速存储器。该存储器装置包括第一功率输入端以接收用于给该闪速存储器提供功率的第一电压。另外，该存储器装置包括第二功率输入端以接收第二电压。该存储器装置包括功率管理电路，其被配置成接收该第二电压和获得一个或多个内部电压。该功率管理电路提供或传送该内部电压到该闪速存储器。由该功率管理电路(例如电压转换器电路)产生的并且提供到该核心存储器的不同内部电压使能关于该核心存储器中的单元的操作，例如读取/编程/擦除。
具有外部电源非易失性半导体存储器

[发明专利]同步存储器读取数据捕获-CN200780024668.8有效
发明人： P·吉利厄姆;R·麦肯齐 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2007-05-07 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G11B27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种快照数据训练的方法，以在单个读取操作中确定DQS使能信号的最优时序。这是通过首先将格雷码计数序列写到存储器和随后在单个突发中将其读回来实现的。控制器以发出命令的时间的固定间隔采样读取突发以确定循环延迟。简单的真值表查找确定最优的DQS使能时序用于正常读取。有利的，在正常读取操作期间，所使能的DQS信号的第一正边沿被用于采样在每次发出命令使能的计数器。如果计数器样本变化，指示已经发生时序漂移，可调整DQS使能信号以补偿漂移并维持处于DQS前同步码中心的位置。此技术也可被应用于使用反复方法以在上电时确定DQS使能时序的系统。本发明的另一个实施例是基于计数器的DQS锁存样本的简单、低等待时间时钟域跨越电路。
同步存储器读取数据捕获

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