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- [发明专利]用于分子存储器和逻辑器件的定制电极-CN200410001217.0无效
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P·A·贝克;D·奥尔伯格;D·斯图尔特;Z·李
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惠普开发有限公司
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2004-01-02
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2004-10-06
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H01L21/28
- 提供一种用于制造分子电子器件(10)的方法，所述分子电子器件至少包括一底部电极(14)和在底部电极(14)上的分子开关膜(16)。该方法包括通过下列工艺步骤形成该底部电极(14)，包括：清洗(36b)其中将淀积所述底部电极(14)的所述衬底(12)的部分；预溅射(36c)所述部分；在至少所述部分上淀积(36d)所述导电层(14)；以及清洗(36g)该导电层(14)的上表面。有利地，该导电电极(14)特性包括：低且受控的氧化物形成(或可能被钝化)、高熔点、高体积弹性模量和低扩散。光滑的淀积膜表面与Langmuir－Blodgett分子膜淀积相一致。定制表面还可用于SAM淀积。金属本性提供给分子高电导率连接。可以为器件堆附加阻挡层，即，在导电层(14)上的Al2O3。
- 用于分子存储器逻辑器件定制电极
- [发明专利]磁带头定位用对准标记-CN01133959.4无效
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P·A·贝克;小G·M·克利福德
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惠普公司
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2001-08-17
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2002-07-10
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G11B5/127
- 使磁带头的写入元件与横越磁带头而被传送的有两相对边的媒体的传送方向精确对准的装置,包括至少一个与写入元件一同制出的对准元件,使写入元件和对准元件都有一个相对于磁带头磁轴的第一固定取向,写入元件和对准元件适于由被输给磁带头的写入电流感应而产生磁场,来自写入元件的磁场操作将多个写入转换写在媒体上,使在其上形成一写入带,来自对准元件的磁场操作将多个对准转换写在媒体上,使在其上形成一对准带,对准转换有一相对于传送方向的录制取向,按下列步骤可得到精确对准观察对准带上的对准转换,调节磁轴和传动方向之间的磁带头对媒体的角度,直到对准转换的录制取向显示写入元件相对于传送方向有较佳取向。
- 磁带定位对准标记
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