“M.费尔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于调控在内燃机的废气中的催化器的废气组分蓄存器的填充度的方法-CN201910584875.3有效
发明人： M.诺普;A.瓦格纳;M.费尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： F01N11/00 文献下载
摘要：提出一种用于调控在内燃机的废气中的催化器的废气组分蓄存器的填充度的方法，其中利用第一路段模型来求取废气组分蓄存器的实际填充水平，把第一废气探测器和第二废气探测器的信号输送给该第一路段模型，第一废气探测器在所述催化器的上游伸入到废气流中并且检测废气组成部分的浓度，第二废气探测器布置在所述催化器的下游并且遭受到废气。通过第二调控回路来预先给定用于第一调控回路的基本λ目标值，当第二废气探测器的电压表明在催化器后面有浓的或稀的废气破界，进而表明废气组分蓄存器的真实填充水平太低或太高时，利用第一路段模型求取的实际填充水平与真实填充水平相符。一种独立权利要求涉及被设计用于实施所述方法的控制器。
用于调控内燃机废气中的催化组分蓄存器填充方法

[发明专利]调节催化器的用于废气成分的存储器的填充水平的方法-CN201910469754.4有效
发明人： A.瓦格纳;M.费尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： F02D41/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于调节燃烧马达的废气中的催化器的废气成分存储器的填充度的方法，其中废气成分存储器的实际填充水平利用第一系统模型获知，并且其中针对第一调节回路的基础λ目标值通过第二调节回路预设。该方法的特征在于，在第二调节回路中，针对基础λ目标值的初始值通过与第一系统模型相同的第二系统模型换算为虚拟填充水平，虚拟填充水平与由目标值发送器输出的针对填充水平的目标值比较，并且当比较结果产生在针对填充水平的目标值与虚拟填充水平之间的大于预设的程度的差异时，基础λ目标值根据比较结果迭代式地改变，并且当比较结果不产生在针对填充水平的目标值与虚拟填充水平之间的差异时，基础λ目标值没有改变。
调节催化用于废气成分存储器填充水平方法

[发明专利]薄膜拉伸设备-CN201880016675.1有效
发明人： K.雷施;M.费尔 -专利权人：林道尔·多尼尔有限责任公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B29C55/14 文献下载
摘要：根据本发明的薄膜拉伸设备具有至少各一个横向拉伸区域和薄膜收缩区域。其具有构造成夹钳的、承载夹持元件和使待处理的薄膜(2)运动穿过设备的无端驱动链(1)。构造成夹钳链(1)的驱动链可借助于在薄膜收缩区域的结束部的区域中或在其之后布置的第一驱动部(4)来驱动，其中，驱动链(1)的夹钳在其彼此的间距上可变化。在其中驱动链(1)的夹钳彼此的间距可减小的薄膜收缩区域之前，设置有用作辅助驱动部(5)的第二驱动部，其通过承受在薄膜收缩区域之前的驱动链(1)的力来使第一驱动部(4)卸载。
薄膜拉伸设备

[发明专利]晶片上粘合剂残留物检测-CN201910922378.X在审
发明人： R.穆尔;M.费尔;W.莱特格布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了晶片上粘合剂残留物检测。描述了一种在通过使用剥离带将粘合剂膜从晶片剥离之后检测晶片上的粘合剂残留物的方法。根据第一方面，方法包括在剥离之后利用第一UV光照射剥离带并且获取来自剥离带的荧光图像。根据第二方面，方法包括在剥离之后利用第二UV光照射晶片并且获取来自晶片的荧光图像。
晶片粘合剂残留物检测

[发明专利]功率半导体器件-CN201910575085.9在审
发明人： M.费尔;P.C.布兰特;E.莱歇尔;H.梅克尔;K.施拉姆尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种功率半导体器件（1），其包括：半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10‑1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10‑2）。该半导体本体（10）包括：有源区（106）；具有第一导电类型（100）的漂移区（100）；以及芯片边缘（109）。该功率半导体器件（1）进一步包括边缘终止结构（108），该边缘终止结构（108）至少部分包括在半导体本体（10）中，并且包括：具有与第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区（107）；以及屏蔽层（15），其包括半导体材料并通过第一绝缘层（161）与至少一个半导体边缘终止区（107）绝缘。
半导体本体功率半导体器件边缘终止结构第一导电类型边缘终止区负载端子耦合到半导体绝缘层半导体材料导电类型芯片边缘漂移区屏蔽层源区绝缘背面

[发明专利]用于对机动车内燃机的曲轴进行定位的方法和装置-CN201180032479.1无效
发明人： M.克维克;P.齐格勒;E.莫里茨;M.费尔;S.图姆巴克 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： F02N11/08 文献下载
摘要：按照本发明，根据内燃机的实际角速度（701，_ist）和曲轴的实际曲轴角（601，（W_ist）生成用于对起动机马达通电的控制信号（604）以便调节曲轴的目标曲轴角（_Ziel）。
用于机动车内燃机曲轴进行定位方法装置