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[发明专利]包含金属氧化物纳米粒子和有机聚合物的旋转涂布材料组合物-CN201780079384.2有效
发明人： M·D·拉曼;姚晖蓉;赵俊衍;M·派德曼娜斑;E·沃尔福 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种涂料组合物，它包括溶剂，在这种有机溶剂中分散的金属氧化物纳米粒子，在这种溶剂中溶解的高碳聚合物，其中所述高碳聚合物包括结构(1)的重复单元，结构(2)的羟基联苯基重复单元和结构(3)的含稠合芳族部分的部分，其中R1和R2独立地选自氢，烷基和取代烷基，Ar是未取代或取代的稠合芳环，和X1是亚烷基间隔基，或直接价键。本发明还涉及一种方法，其中或者通过翻转色调硬掩模图案转移方法或者使用光致抗蚀剂的常规掩模图案方法，在平版印刷应用中使用该组合物作为构图的硬掩模，以构图硬掩模并用等离子体构图半导体基底。本发明还进一步包括一种方法，其中包含在溶剂中分散的金属氧化物和金属氧化物纳米粒子的组合物用于涂布金属硬掩模，所述金属硬掩模在标准硬掩模图案转移方法中用于构图半导体基底。
包含金属氧化物纳米粒子有机聚合物旋转材料组合

[发明专利]光刻组合物及其使用方法-CN201880017793.4有效
发明人：姚晖蓉;E·沃尔福;赵俊衍;O·波利修克;M·D·拉曼;D·麦克肯兹 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：用于防止在电子装置的制造期间在基板边缘的金属污染的掩模组合物。该掩模组合物具有结构(I)的单元：还提供使用该掩模组合物制造电子装置的方法。
光刻组合及其使用方法

[发明专利]具有改善的热稳定性可用作硬掩膜的含旋涂式无机氧化物的组合物和填充材料-CN201880058075.1有效
发明人：姚晖蓉;赵俊衍;M·D·拉曼 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种组合物，其包含：组分a.c.和d；以及任选的组分b，其中，组分a.是具有结构(I)的金属化合物，任选的组分b，是具有结构(VI)的多元醇添加剂，组分c.是高性能聚合物添加剂，并且组分d.是溶剂。本发明进一步涉及在制造电子器件的方法中使用这样的组合物，所述方法通过在半导体基底上形成包含金属氧化物的高K材料的图案化膜，或通过形成覆盖在半导体基底上的包含金属氧化物的图案化层，所述组合物可以用于用氟等离子体选择性地蚀刻半导体基底。
具有改善热稳定性用作硬掩膜含旋涂式无机氧化物组合填充材料

[发明专利]用于移除边缘保护层及残余金属硬掩模组分的冲洗剂及其使用方法-CN202080049603.4在审
发明人： M·D·拉曼;S·K·穆伦;赵俊衍 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从晶圆/基板的边缘及至少一个近表面移除边缘保护层及残余硬掩模组分(例如，金属)的冲洗剂及其使用方法，其中该冲洗剂包括(i)乙酸及/或结构(A)的卤化乙酸：其中R1及R2独立地为氢或卤素且R3为卤素，及(ii)具有结构(B)的化合物：其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg及Rh中的每一者可独立地为氢、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的卤化烷基、经取代或未经取代的烷基羰基、卤素及羟基。
用于边缘保护层残余金属模组洗剂及其使用方法

[发明专利]稳定的金属化合物、它们的组合物以及它们的使用方法-CN201811239514.7有效
发明人：姚晖蓉;M·D·拉曼;S·K·马伦;赵俊衍;C·安亚戴格伍;M·帕德马纳班 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C07F7/28 文献下载
摘要：本公开涉及稳定的金属化合物、它们的组合物以及它们的使用方法。具体地，本公开涉及具有改善的稳定性的可溶性多配体取代金属化合物，以及由其制得的组合物和它们的使用方法。
稳定金属化合物它们组合以及使用方法

[发明专利]抗反射涂料组合物及其方法-CN201580014961.0有效
发明人： M·D·拉曼;工藤隆范;A·D·迪尔西斯;D·麦克肯兹;C·安雅狄格伍;M·派德曼娜斑;S·K·穆伦 -专利权人： AZ电子材料卢森堡有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的吸收性抗反射涂料组合物，其包含新的可交联的聚合物，该聚合物包含至少一种具有结构(1)的重复单元(A)、至少一种具有结构(2)的重复单元(B)和至少一种具有结构(3)的重复单元(C)。其中D是直接价键或者C(R₁)(R₂)亚甲基结构部分，其中R₁和R₂独立的是H、C₁‑C₈烷基、C₃‑C₂₄环烷基或者C₆‑C₂₄芳基；Arⁱ、Arⁱⁱ、Arⁱⁱⁱ和Ar^iv独立的是苯系和萘系结构部分，R₃和R₄独立的是氢或者C₁‑C₈烷基；和R5和R6独立的是氢或者C₁‑C₈烷基；和溶剂。本发明还涉及使用该新的抗反射涂料组合物形成图像的方法。
反射涂料组合及其方法

[发明专利]稳定的金属化合物、它们的组合物以及它们的使用方法-CN201380059422.X有效
发明人：姚晖蓉;M·D·拉曼;S·K·马伦;赵俊衍;C·安亚戴格伍;M·帕德马纳班 -专利权人： AZ电子材料卢森堡有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C07F7/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有改善的稳定性的可溶性多配体取代金属化合物，以及由其制得的组合物和它们的使用方法。
稳定金属化合物它们组合以及使用方法

[发明专利]抗反射涂料组合物-CN201310254286.1无效
发明人：金羽圭;吴恒鹏;D·J·阿布达拉;M·内瑟;卢炳宏;张汝志;M·D·拉曼 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及抗反射涂料组合物，其包含（i）热致酸产生剂；（ii）包含至少一种芳族基团的可交联聚合物；和（iii）包含至少一种结构（6）单元的聚合物型交联剂，其中R₁₁-R₁₃独立地选自H、（C₁-C₆）烷基和芳族基团，R₁₄和R₁₅独立地是（C₁-C₁₀）烷基。本发明还涉及使本发明抗反射涂料组合物成像的方法。
反射涂料组合

[发明专利]包含稠合芳族环的抗反射涂料组合物-CN200980141908.1无效
发明人： M·D·拉曼;D·麦肯齐;C·安亚戴格伍 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机可旋涂抗反射涂料组合物，包含聚合物，其中所述聚合物包含(i)至少一种结构(1)的在聚合物主链中的具有稠合芳族环的单元，(ii)至少一种结构(2)的单元，和(iii)至少一种结构(3)的在聚合物主链中的具有环状脂族结构部分的单元，其中，Fr₁是具有3个或更多个芳族环的取代或未取代的稠合芳族环结构部分，R′和R″独立地选自氢、C₁-C₄烷基、Z、C₁-C₄亚烷基Z和其中Z是取代或未取代的芳族结构部分，R₁选自氢或芳族结构部分，B是取代或未取代的环脂族结构部分。本发明进一步涉及本发明组合物的成像方法。
包含稠合芳族环反射涂料组合

[发明专利]包含稠合芳族环的抗反射涂料组合物-CN200980141913.2无效
发明人： M·D·拉曼;D·麦肯齐;C·安亚戴格伍 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C08L61/16 文献下载
摘要：本发明涉及有机可旋涂抗反射涂料组合物，包含具有以下单元的聚合物：(i)至少一种结构(1)的在聚合物主链中的具有稠合芳族环的单元，(ii)至少一种结构(2)的在聚合物主链中的芳族单元环，其中所述芳族环具有侧亚烷基(稠合芳族)基团和侧羟基，和，(iii)至少一种结构(3)的在聚合物主链中的含脂族结构部分的单元，其中，Fr₁是具有3个或更多个稠合芳族环的取代或未取代的稠合芳族环结构部分，Fr₂是具有2个或更多个稠合芳族环的稠合芳族环结构部分，Ar是取代或未取代的芳族环结构部分，R′和R″独立地选自氢和C₁-C₄烷基，y＝1-4，B是取代或未取代的脂族结构部分，R₁选自氢或芳族结构部分。本发明进一步涉及本发明组合物的成像方法。
包含稠合芳族环反射涂料组合

[发明专利]包含稠合芳族环的抗反射涂料组合物-CN200880016844.8有效
发明人： F·霍利亨;D·阿布达拉;M·D·拉曼;D·麦肯齐;张汝志;A·G·蒂姆科;金羽圭;卢炳宏 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含聚合物的有机可旋涂抗反射涂料组合物，该聚合物包含至少一个在聚合物主链中的含3个或更多个稠合芳族环的单元和至少一个在聚合物主链中的含脂族结构部分的单元。本发明进一步涉及使用本发明组合物成像的方法。
包含稠合芳族环反射涂料组合

[发明专利]光活性化合物-CN200780044792.0有效
发明人： M·帕德马纳班;S·查克拉帕尼;M·D·拉曼 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C07C381/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种式Ai Xi的化合物，其中Ai是有机鎓阳离子；和Xi是式X-CF₂CF₂OCF₂CF₂-SO₃^-的阴离子。该化合物可用作光活性材料。Ai选自式(I)和Y-Ar，其中Ar选自式(II)，萘基，或蒽基；Y选自式(III)，式(IV)和式(V)。
活性化合物

[发明专利]抗反射涂料组合物-CN200780038931.9有效
发明人：金羽圭;吴恒鹏;D·J·阿布达拉;M·内瑟;卢炳宏;张汝志;M·D·拉曼 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及抗反射涂料组合物，其包含(i)热致酸产生剂；(ii)包含至少一种芳族基团的可交联聚合物；和(iii)包含至少一种结构(6)单元的聚合物型交联剂，其中R₁₁-R₁₃独立地选自H、(C₁-C₆)烷基和芳族基团，R₁₄和R₁₅独立地是(C₁-C₁₀)烷基。本发明还涉及使本发明抗反射涂料组合物成像的方法。
反射涂料组合

[发明专利]光活性化合物-CN200780036895.2无效
发明人： R·R·达米尔;M·D·拉曼;D·L·伦特科维克兹;K·范沃顿 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2007-10-05 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有右式的光活性材料，其中Cl⁺是特定阳离子；R₃₀、R₃₁、R₃₂、R₃₃、R₃₄、R₃₅、R₃₆、R₃₇、R₃₈、R₃₉、R₄₀和R₄₁各自选自氢、烷基、任选含有一个或多个O原子的烷基链、卤化物、芳基、芳烷基、烷氧基烷基、环烷基、羟基和烷氧基，该烷基、任选含有一个或多个O原子的烷基链、芳基、芳烷基、烷氧基烷基、环烷基和烷氧基是未取代或取代的。
活性化合物

[发明专利]光活性化合物-CN200680025362.X无效
发明人： M·D·拉曼;F·M·霍利亨;M·潘德曼纳班;李相昊;R·R·达莫尔;D·伦特基维茨;C·安亚戴格伍 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C07D333/76 文献下载
摘要：本申请涉及通式A－X－B的化合物，其中(i)A－X－B形成离子化合物Ai Xi Bi，其中Ai和Bi各自单独地是有机鎓阳离子；和Xi是以下通式的阴离子Q－R₅₀₀－SO₃^－或(ii)A－X－B形成非离子化合物Ac－Xc－Bc，其中Ai、Bi、Q、R₅₀₀、Ac、Bc和Xc如本中所限定。该化合物可用作光活性材料。
活性化合物

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