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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电极/电介质阻隔材料构成及结构-CN202180045025.1在审
发明人： S·S·克尔克;C·W·佩茨;金道俊;M·N·洛克莱;B·D·克劳斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明描述与在电极与电介质材料之间形成阻隔材料有关的方法、设备及系统。一种实例方法包含在半导体制作过程中在存储节点的底部电极材料上形成电介质材料。所述方法进一步包含在所述电介质材料上形成阻隔材料以减少所述电介质材料中的氧空位。所述方法进一步包含在所述阻隔材料上形成顶部电极。
电极电介质阻隔材料构成结构

[发明专利]电介质材料、电容器和存储器阵列-CN202210104704.8在审
发明人： R·比勒;M·N·洛克莱;T·A·奎克;A-J·B·程;S·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电介质材料、电容器和存储器阵列。一些实施例包含电介质材料，其具有含有HfO的第一区域且具有含有ZrO的第二区域，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。所述第一区域大体上不含Zr，且所述第二区域大体上不含Hf。一些实施例包含电容器，其具有第一电极、第二电极和所述第一电极与所述第二电极之间的电介质材料。所述电介质材料包含一或多个第一区域和一或多个第二区域。所述第一区域含有Hf且大体上不含Zr。所述第二区域含有Zr且大体上不含Hf。一些实施例包含存储器阵列。
电介质材料电容器存储器阵列

[发明专利]具有去除了部分材料的电极的电容器以及相关半导体装置、系统和方法-CN202210068893.8在审
发明人： D·D·史莱伦;李康乐;M·N·洛克莱;黄韦静;徐平成;S·科尔克马兹;S·萨帕;A-J·B·程 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及具有去除了部分材料的电极的电容器以及相关半导体装置、系统和方法。一种DRAM电容器可包含第一电容器电极、邻近于所述第一电容器电极的电容器电介质和邻近于所述电容器电介质的第二电容器电极。所述第一电容器电极可包含下部部分、上部部分和在所述下部部分与所述上部部分之间的阶状过渡区，所述第一电容器电极的所述上部部分在所述阶状过渡区处的宽度小于所述第一电容器电极的所述下部部分在所述阶状过渡区处的宽度。还公开了半导体装置、系统和方法。
具有除了部分材料电极电容器以及相关半导体装置系统方法

[发明专利]氧化修整-CN202010772493.6有效
发明人： M·N·洛克莱;A-J·B·程;F·D·菲什伯恩;S·科尔克马兹;P·A·帕杜阿诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。
氧化修整

[发明专利]用于存储节点整形的方法-CN202010306001.4有效
发明人： D·D·史莱伦;S·S·克尔克;G·S·卢加尼;P·A·帕杜阿诺;M·N·洛克莱;S·萨帕;C·W·佩茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开描述与对存储节点材料进行整形有关的方法、设备和系统。实例方法包含形成具有材料图案的导柱。所述方法进一步包含在所述导柱的一侧沉积存储节点材料。所述方法进一步包含蚀刻所述导柱内的牺牲材料。所述方法进一步包含在从所述导柱到所述存储节点中的方向上蚀刻所述存储节点材料。
用于存储节点整形方法

[发明专利]包含防篡改集成电路的设备和相关方法-CN202010840838.7在审
发明人： D·C·马杰鲁斯;S·D·万德格拉夫;M·N·洛克莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请涉及包含防篡改集成电路的设备和相关方法。描述了与防篡改集成电路有关的系统、设备和方法。所述防篡改集成电路包含防篡改特征，所述防篡改特征包含防篡改材料，所述防篡改材料被调配或配置成响应于暴露于氧气、电磁辐射或其它环境条件而表现出至少一种电特性的变化。响应于所述至少一种电特性的变化，可以擦除定位于所述集成电路内的数据，或者可以破坏所述集成电路的至少一部分。在一些实例中，可以测量防篡改特征的一或多种电特性。电特性的变化可以指示相关联的集成电路已被篡改。
包含篡改集成电路设备相关方法

[发明专利]电极形成-CN202010459561.3在审
发明人： A-J·B·程;B·D·克劳斯;S·S·克尔克;M·N·洛克莱;C·W·佩茨;R·比勒;金道俊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明描述与电极形成相关的设备、方法和系统。在存储节点的电介质材料上方形成顶部电极的第一部分。在所述电极的所述第一部分上方形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成所述电极的第二部分。
电极形成

[发明专利]与在电极上形成屏障材料相关的方法和设备-CN202010186810.6在审
发明人： S·S·凯尔科;A-J·B·程;金道俊;C·W·佩茨;M·N·洛克莱;B·D·克劳斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及与在电极上形成屏障材料有关的方法和设备。描述了与在电极上形成屏障材料有关的方法、设备和系统。一种示例方法包含：以半导体制作序列在介电材料上形成存储节点的顶部电极；以及在半导体制作设备中在所述顶部电极上原位形成屏障材料，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时产生的对所述介电材料的损坏。
电极形成屏障材料相关方法设备

[发明专利]用于DRAM电容器的掺杂氮化钛材料以及相关半导体装置、系统及方法-CN201980014813.7在审
发明人： M·N·洛克莱;P·A·帕杜阿诺;S·S·克尔克;C·W·佩茨;Z·宋;V·安东诺夫;陶谦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明揭示一种DRAM电容器，其包括：第一电容器电极，其经配置为容器且包括掺杂氮化钛材料；电容器电介质，其位于所述第一电容器电极上；及第二电容器电极，其位于所述电容器电介质上。本发明还揭示形成所述DRAM电容器的方法以及包括此类DRAM电容器的半导体装置及系统。
用于 dram 电容器掺杂氮化材料以及相关半导体装置系统方法

[发明专利]涉及在衬底材料上形成锗原子层的方法、设备和系统-CN201911348438.8在审
发明人： F·H·法布勒盖特;P·A·帕杜阿诺;G·S·桑胡;J·A·斯迈思三世;M·N·洛克莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述涉及在衬底材料上形成锗Ge原子层的方法、设备和系统。实例方法包含：将还原剂引入到半导体处理腔室中，所述半导体处理腔室容纳具有高纵横比的衬底材料；以及将锗脒基前体引入到所述半导体处理腔室中。所述实例方法进一步包含由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述衬底材料上形成锗原子层。
涉及衬底材料形成原子方法设备系统

[发明专利]操作铁电存储器单元的方法及相关的铁电存储器单元-CN201680050595.9有效
发明人： S·C·尼科勒斯;A·A·恰范;M·N·洛克莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明揭示操作铁电存储器单元的方法。所述方法包括：将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括电容器的铁电存储器单元，所述电容器包含上电极、下电极、所述上电极与所述下电极之间的铁电材料，及所述铁电材料与所述上电极及所述下电极中的一者之间的界面材料。所述方法进一步包括：将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，其中所述负偏置电压的绝对值不同于所述正偏置电压的绝对值。本发明还描述铁电存储器单元。
操作存储器单元方法相关

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