“J·G·拉文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管-CN201811436630.8有效
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;C·耶格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管。一种电路配置包括：具有输出的栅极驱动器电路，其被配置为输出三个不同的电压电平；以及绝缘栅双极型晶体管，包括：栅极端子，连接到栅极驱动器电路的输出；晶体管单元，具有电连接到栅极端子的栅极电极；以及辅助单元，其包括：势垒区，其被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间，势垒区和电荷载流子转移区形成pn结，并且势垒区和漂移区形成单质结；控制结构，包括控制电极，控制电极电连接到栅极端子或者经由电压移位器电耦合到栅极端子，并且其中控制结构被配置为在反型状态中在漂移区和势垒区中形成反型层，并且在非反型状态中，在漂移区和势垒区中不形成反型层。
半导体器件具有势垒区绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]具有降低的反馈电容的IGBT-CN201810491009.5有效
发明人： C·P·桑道;H-J·舒尔策;J·G·拉文;F·J·涅德诺斯塞德;F·D·普菲尔施;H-P·菲尔斯尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
具有降低反馈电容 igbt

[发明专利]用于分割半导体装置的方法和半导体装置-CN201710865895.9有效
发明人： M·法齐内利;J·G·拉文;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种用于分割半导体晶片的方法，包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·1015cm‑3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。
用于分割半导体装置方法

[发明专利]半导体器件-CN201711349813.1有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括绝缘栅双极性晶体管(IGBT)装置。所述IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度。
半导体器件

[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法-CN201810072092.2有效
发明人： J·G·拉文;M·科托罗格亚;H-J·舒尔策;H·伊塔尼;E·格瑞布尔;A·哈格霍弗 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法。第一单元沟槽结构和第二单元沟槽从第一表面延伸至半导体衬底中。该第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在该第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，半导体台面分隔第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构。包覆层覆盖第一表面。图形化该包覆层以形成具有最小宽度大于第一绝缘层厚度的开口。该开口暴露第一绝缘层在第一表面处的第一垂直部分。除去第一绝缘层的暴露部分以形成在半导体台面和第一埋置电极之间的凹部。接触结构在该开口和该凹部中。接触结构电连接半导体台面中的埋置区和第一埋置电极，并允许更窄的半导体台面宽度。
具有单元沟槽结构接触半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有结构化的阻挡区的二极管-CN202010978933.3在审
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;A·菲利波;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有结构化的阻挡区的二极管。一种功率半导体器件，包括：具有二极管区段的有源区；围绕有源区的边缘终止区；半导体本体；在半导体本体前侧处的第一负载端子和在半导体本体背侧处的第二负载端子；第一导电类型的漂移区，其被形成在半导体本体中并且延伸到二极管区段中；多个沟槽，其被布置在二极管区段中；第二导电类型的本体区；第一导电性的阻挡区，其中与漂移区的平均掺杂剂浓度相比阻挡区具有至少100倍大的掺杂剂浓度并且阻挡区具有比本体区的掺杂剂剂量大的掺杂剂剂量。阻挡区具有横向结构，二极管区段中的本体区的至少50%被至少借助于阻挡区耦合到漂移区；以及二极管区段中的本体区的至少5%在没有阻挡区的情况下耦合到漂移区。
具有结构阻挡二极管

[发明专利]具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT-CN202010981151.5在审
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;F·D·普菲尔施;A·菲利波;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有IGBT区段和二极管区段的RC IGBT。提供了一种RC IGBT(1)，其在二极管区段(1‑22)和IGBT区段(1‑21)之间的过渡区段(1‑23)中具有n阻挡区(107)。
具有 igbt 区段二极管 rc

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201810182957.0有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统-CN201710090927.2有效
发明人： W·舒斯特德;M·布鲁格;M·杰里纳克;J·G·拉文;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。
用于离子注入半导体衬底中的方法系统

[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置-CN202010484460.1在审
发明人： C·R·米勒;S·布施霍恩;J·G·拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：相互分开的多个晶体管区段，其中，多个晶体管区段中的每者包括发射极电极和集电极电极；以及相互分开的多个二极管区段，其中，多个二极管区段中的每者包括阳极电极和阴极电极。要么，多个晶体管区段中的每者电耦接至公共栅极焊盘，并且可以对半导体器件的有效的晶体管部分和有效的二极管部分之间的所产生的比例进行调整。要么，多个晶体管区段中的每者包括栅极焊盘以及相互分开的多个二极管区段，其中，多个二极管区段中的每者包括阳极电极和阴极电极，其中，可以对半导体器件的有效的晶体管部分和有效的二极管部分之间的比例进行调整。
半导体器件以及包括半导体装置

[发明专利]使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件-CN201710516182.1有效
发明人： J·G·拉文;A·毛德;R·拉普;H-J·舒尔策;W·舒斯特德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角相对于法线(105)倾斜，其中
使用定向离子束形成电极沟槽结构半导体器件

[发明专利]用于形成半导体器件的方法-CN201611123257.1有效
发明人： W·舒斯特德;R·巴布斯克;R·伯格;T·古特;J·G·拉文;H·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。
用于形成半导体器件方法

[发明专利]用于控制晶体管的方法和控制电路-CN201610615728.4有效
发明人： R·拜雷尔;J·G·拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明的主题涉及用于控制晶体管的方法。晶体管具有控制端子和负载线路。控制电路具有逻辑单元和控制信号发生器。控制信号发生器输出随时间变化的控制电压以控制晶体管。控制信号发生器获得目标状态信息，根据其接通或保持该晶体管，或者切断或保持该晶体管。向控制信号发生器传送第一短路信息信号，其包括关于电负载潜在地存在短路的信息。通过其将控制电压调节为在接通阈值之上的值或值范围，但是限制于最大的第一接通电压极值，控制信号发生器在第一时间点接通晶体管。控制信号发生器决定是否保持将控制电压最大限制在第一接通电压极值，或是否将晶体管的控制电压调节为大于或者等于大于第一接通电压极值的第二接通电压阈值的值或值范围。
用于控制晶体管方法控制电路

[发明专利]沟槽晶体管器件-CN201510137104.1有效
发明人： A·菲利波;J·G·拉文;C·耶格;F·沃尔特;F·D·普菲尔施;A·维莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的各个实施例涉及一种沟槽晶体管器件。该晶体管器件包括：在半导体本体中在第一与第二沟槽之间的半导体台式区域；在半导体台式区域中的第一导电类型的本体区域和第二导电类型的源极区域；在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域；以及栅极电极，其在第一沟槽中与本体区域相邻，并且通过栅极电介质与本体区域介电绝缘。本体区域将源极区域与漂移区域分开，并且延伸至半导体台式区域的与源极区域相邻的表面。本体区域包括邻接半导体台式区域的表面和第一沟槽的表面区域。表面区域具有比本体区域的将源极区域与漂移区域分开的部分更高的掺杂浓度。
沟槽晶体管器件

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件-CN201610428162.4有效
发明人： N·G·加纳戈纳;M·耶利内克;J·G·拉文;H-J·舒尔策;W·舒斯特雷德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该用于形成半导体器件的方法包括将预定义剂量的质子注入到半导体衬底中。此外，该方法包括在预定义剂量的质子的注入期间控制半导体衬底的温度，从而在多于用于注入预定义剂量的质子的注入处理时间的70％的时间期间，半导体衬底的温度在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限至目标温度上限。此外，目标温度下限等于目标温度减去30℃，并且目标温度上限等于目标温度加上30℃，其中，目标温度高于80℃。
用于形成半导体器件方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 36 条