[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201610428162.4 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106257628B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | N·G·加纳戈纳;M·耶利内克;J·G·拉文;H-J·舒尔策;W·舒斯特雷德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该用于形成半导体器件的方法包括将预定义剂量的质子注入到半导体衬底中。此外，该方法包括在预定义剂量的质子的注入期间控制半导体衬底的温度，从而在多于用于注入预定义剂量的质子的注入处理时间的70％的时间期间，半导体衬底的温度在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限至目标温度上限。此外，目标温度下限等于目标温度减去30℃，并且目标温度上限等于目标温度加上30℃，其中，目标温度高于80℃。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法(700)，所述方法包括：产生氢相关的施主，包括将预定义剂量的质子注入(710)到半导体衬底中，以产生所述氢相关的施主；以及在注入所述预定义剂量的质子的期间，控制(720)所述半导体衬底的温度，以使得所述半导体衬底的温度处于目标温度范围内的时间大于用于注入所述预定义剂量的质子的注入处理时间的70％的时间，其中，所述目标温度范围从目标温度下限至目标温度上限，其中，所述目标温度下限等于目标温度减去30℃，并且所述目标温度上限等于所述目标温度加上30℃，其中，所述目标温度高于80℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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