“F·德兹”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于有机电子器件的非那省化合物-CN201380023973.0有效
发明人： F·德兹;T·魏茨;C·焦;野口博义;A·斯维蒙;M·周;D·艾欧里;A·K·米什拉 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明公开了式(I)的非那省(phenacene)化合物。式中的所有变量与说明书中定义的相同。还公开了包含以上化合物的薄膜半导体，以及包含该薄膜的场效应晶体管器件、光伏器件、有机发光二极管器件和单极或互补电路器件。
用于有机电子器件化合物

[发明专利]基于萘二酰亚胺-亚乙烯基-低聚噻吩-亚乙烯基聚合物的半导体材料-CN201380065758.7在审
发明人： A·K·米什拉;Y·关;H·诺古基;M·周;C·焦;F·德兹 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种包含式(1)单元的聚合物，其中R¹和R²相互独立地为C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、苯基或5-8员杂环体系，其中C_1-30烷基、C_2-30链烯基或C_2-30炔基各自可以被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO₂、-OH、-NH₂、-NH(C_1-20烷基)、-N(C_1-20烷基)₂、-NH-C(O)-(C_1-20烷基)、-S(O)₂OH、-CHO、-C(O)-C_1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC_1-20烷基、-C(O)NH₂、-CO(O)NH-C_1-20烷基、-C(O)N(C_1-20烷基)₂、-O-C_1-20烷基、-O-C(O)-C_1-20烷基、-SiH₃、SiH₂(C_1-20烷基)、SiH(C_1-20烷基)₂、Si(C_1-20烷基)₃、C_4-8环烷基、苯基和5-8员杂环体系的取代基取代，以及苯基和5-8员杂环体系可以被1-5个C_1-16烷基取代，o为1、2或3以及n为2-10,000的整数，并且提供了一种制备该聚合物的方法以及包含该聚合物的电子器件。
基于萘二酰亚胺乙烯基噻吩聚合物半导体材料

[发明专利]二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物-CN201280033182.1有效
发明人：野口博义;F·德兹;A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;M·明-蒂恩 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：发明涉及一种式(I)的聚合物，其中M1为式(II)的任选取代的二噻吩并邻苯二甲酰亚胺，其中X为N或C-R，其中R为H或C1-C40烷基，R1在每次出现时独立地选自H、C1-40烷基、C2-40链烯基、C1-40卤代烷基和单环或多环结构部分，其中C1-40烷基、C2-40链烯基和C1-40卤代烷基各自可以任选被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、OH、NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-OC1-20烷基、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)和-Si(C1-20烷基)3的取代基取代；以及该单环或多环结构部分可以经由任选的连接基与酰亚胺氮共价键合且任选可以被1-5个独立地选自卤素、氧代、-CN、-NO2、OH、=C(CN)2、-NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)、-Si(C1-20烷基)3、-O-C1-20烷基、-O-C1-20链烯基、-O-C1-20卤代烷基、C1-20烷基、C1-20链烯基、C1-20卤代烷基、C7-20芳基烷基、C6-20芳氧基和C7-20芳基羰基的取代基取代。M2为包含一个或多个环状结构部分的重复单元；以及n为2-5,000的整数。
噻吩二甲亚胺半导体聚合物

[发明专利]基于二噻吩并吡啶酮共聚物的半导体材料-CN201280018847.1无效
发明人： A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;野口博义;F·德兹;Y·管 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了包含式(1)和/或(1’)单元的聚合物。本发明还提供了包含所述聚合物作为半导体材料的电子器件。
基于噻吩吡啶共聚物半导体材料

[发明专利]基于二酮基哌啶并哌啶共聚物的半导体材料-CN201280020623.4有效
发明人： A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;野口博义;F·德兹;Y·关 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了包含式(1)单元的聚合物以及包含所述聚合物作为半导体材料的电子器件。
基于二酮基哌啶共聚物半导体材料

[发明专利]基于噻吩并噻吩-2,5-二酮低聚物和聚合物的半导体材料-CN201280018846.7无效
发明人： A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;野口博义;F·德兹;B·朱 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了包含下式单元的聚合物以及包含所述聚合物作为半导体材料的电子器件。
基于噻吩二酮低聚物聚合物半导体材料

[发明专利]苝基半导体及其制备方法和用途-CN201180063342.2有效
发明人： A·法凯蒂;陈志华;颜河;M·卡斯特勒;F·德兹 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供了由氮官能化萘嵌苯双(二甲酰亚胺)化合物的富对映体混合物制备的半导体。具体而言，本发明的富对映体混合物可具有与外消旋物或光学纯形式的对映体中的任一种相比意想不到的电子传递效率。
半导体及其制备方法用途

[发明专利]由桥接二噻唑共聚物制备的半导体材料-CN201180038511.7有效
发明人： A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;野口博义;F·德兹;B·朱;J·S·巴苏基 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：本发明提供了式的半导体化合物、低聚物和聚合物，其中A¹和A²可以相同或不同且为S或Se，E选自式(1)的化合物、低聚物和聚合物适合用于电子器件如有机场效应晶体管中。
桥接二噻唑共聚物制备半导体材料

[发明专利]稠合的联噻吩-亚乙烯基共聚物-CN201080024740.9有效
发明人： A·K·米施拉;S·瓦伊迪耶纳森;野口博义;F·德兹;S·A·克勒;M·卡斯特勒 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含重复单元A和任选的重复单元B的聚合物，其中Z为S、Se、N-R和O；W在每次出现时独立地为任选被1-4个基团R^a取代的单环或多环结构部分；Y在每次出现时独立地为二价C_1-6烷基、二价C_1-6卤代烷基或共价键；c为1-6。
噻吩乙烯基共聚物

[发明专利]由二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的半导体材料-CN200980156788.2有效
发明人： A·K·米什拉;S·瓦伊迪耶纳森;H·诺古基;F·德兹;S·克勒;M·卡斯特勒 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：公开了由具有芳族或杂芳族π-共轭体系的二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的新半导体材料。这些聚合物几乎不进行或不进行沉积后热处理即可表现出高载流子迁移率和/或良好的电流调节特性。此外，本发明的聚合物可具有某些加工优点，如改善的可溶液加工型和低退火温度。
噻吩乙烯基共聚物制备半导体材料

[发明专利]半导体材料及其制备方法和用途-CN200980120293.4有效
发明人： A·法凯蒂;陈志华;F·德兹;M·卡斯特勒;T·J·马克斯;颜河;郑焱 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2009-05-29 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明公开了从二聚苝化合物制备的新半导体材料。这些化合物能显示高的n型载体迁移率和/或良好的电流调节特性。另外，本发明的化合物具有特定的加工优点，例如溶液加工性和/或在环境条件下的良好稳定性。
半导体材料及其制备方法用途

[发明专利]萘-酰亚胺半导体聚合物-CN200980108214.8有效
发明人： A·法切蒂;陈志华;颜河;郑焱;J·奎因;M·卡斯特勒;F·德兹;S·克勒 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了新的由萘-酰亚胺共聚物制备的半导体材料。该聚合物具有所希望的电子性能并且可具有包括溶液加工性在内的良好加工优点和/或良好的在环境条件下的稳定性。
亚胺半导体聚合物

[发明专利]苝半导体及其制备方法和用途-CN200980104236.7有效
发明人： M·卡斯特勒;S·瓦伊迪耶纳森;F·德兹;S·克勒;颜河;A·法凯蒂;鲁少峰;郑焱 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供半导体化合物、由这类化合物制备的材料、这类化合物和半导体材料的制备方法，以及引入该化合物和半导体材料的各种组合物、复合物和器件。特别地，与相关的代表性化合物相比，本发明化合物可以具有较高的电子传输效率和在常用溶剂中的较高溶解度。
半导体及其制备方法用途

[发明专利]基于两种发蓝色荧光化合物的激基复合物的有机发白光二极管(OLED)-CN200680039668.0无效
发明人： F·德兹;W·科瓦尔斯基;H－H·约翰内斯;C·席尔德克内希特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含至少一种通式(I)的发蓝光荧蒽衍生物作为组分A和至少一种发蓝光的芳胺衍生物作为组分B的有机发白光二极管，其中组分A和B的HOMO能量和LUMO能量不同，条件是组分A的LUMO能量高于组分B的HOMO能量。本发明还涉及包含至少一种式(I)的发蓝光荧蒽衍生物作为组分A和至少一种发蓝光的芳胺衍生物作为组分B的组合物，其中组分A和B的HOMO能量和LUMO能量不同，条件是组分A的LUMO能量高于组分B的HOMO能量，包含该组合物的发光层，包含本发明组合物或本发明发光层的有机发白光二极管。本发明进一步涉及一种选自静止的可视显示单元例如计算机、电视的可视显示单元，打印机、厨房用具和广告标志中的可视显示单元，照明和信息标志，以及移动可视显示单元例如移动电话、手提电脑、交通工具以及公共汽车和火车上的目标显示器中的可视显示单元的器件，其包含至少一种本发明有机发光二极管，以及本发明组合物在有机发白光二极管中的用途。
基于两种发蓝色荧光化合物复合物有机白光二极管 oled

[发明专利]合成苯基取代的聚荧蒽的方法及其用途-CN200680023394.6有效
发明人： F·德兹;S·诺德;H·魏斯;J·勒施 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备包含通式I的重复单元的聚荧蒽的方法，其包括以下步骤：a)制备式IIa的单体荧蒽衍生物；b)任选地，使式IIa的单体荧蒽衍生物转化成式IIb的单体荧蒽衍生物；c)式IIa或IIb的单体荧蒽衍生物任选地与至少一种其他共聚单体聚合。本发明还涉及可通过本发明方法制备的聚荧蒽；包含或由至少一种本发明聚荧蒽组成的薄膜和发光层，包含至少一种本发明聚荧蒽的OLED，包含本发明发光层的OLED，包含本发明OLED的设备，以及本发明聚荧蒽在OLED中作为发光物质的用途。
合成苯基取代聚荧蒽方法及其用途

1
2
下一页»
尾页
共 19 条