专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于三维交叉点存储器的柱状选择晶体管-CN202111297048.X在审
  • P·马吉;D·考;M·海因曼 - 英特尔公司
  • 2021-11-01 - 2022-06-14 - H01L27/24
  • 一种存储器器件结构包括:垂直晶体管,具有在源极和漏极之间的沟道;栅极电极,邻近于沟道,其中栅极电极在与沟道的纵轴正交的第一方向上。栅极电介质层在栅极电极和沟道之间。第一互连的第一端子与源极或漏极耦合,其中第一互连与纵轴共线。存储器器件结构还包括一对存储器单元,其中存储器单元中的各个存储器单元包括选择器和存储器元件,其中存储器单元中的各个存储器单元的第一端子耦合到第一互连的相应第二端子和第三端子。存储器单元中的各个存储器单元的第二端子耦合到一对第二互连中的各个第二互连。
  • 用于三维交叉点存储器柱状选择晶体管
  • [发明专利]用于相变存储器的双脉冲写入-CN201080049214.8有效
  • D·考;J·卡尔布;B·克勒恩 - 英特尔公司
  • 2010-09-24 - 2012-07-18 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种方法,包括:在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入;在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入;第二步骤的电流低于第一步骤;验证相变材料的参数,其中如果参数高于置位态的目标,则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证,直到参数低于目标,其中,所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量,但不变得低于所述第二步骤的电流。
  • 用于相变存储器脉冲写入

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