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[发明专利]窄深沟槽的沉降物至掩埋层连接区域-CN201880059741.3有效
发明人： B·胡;A·萨多夫尼科夫;S·K·蒙哥马利 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种形成IC的方法包括在掺杂有第一类型的衬底(102)中形成掺杂有第二类型的掩埋层(BL)(106)。蚀刻深沟槽直至BL，深沟槽包括较窄的内沟槽环和较宽的外沟槽环。第一深沉降物(122)注入使用具有第一剂量、第一能量和第一倾角的第二类型的离子。第二深沉降物(182)注入使用具有小于第一剂量的第二剂量、大于第一能量的第二能量以及小于第一倾角的第二倾角的第二类型的离子。外沟槽环和内沟槽环被电介质衬里。从外沟槽环的底部去除电介质衬层。外沟槽环填充有导电填充材料，该导电填充材料与衬底接触并填充内沟槽环。
深沟沉降掩埋连接区域

[发明专利]集成沟槽式电容器-CN201710816297.2有效
发明人： B·胡;H·卡瓦哈勒;S·P·彭德哈卡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成沟槽式电容器，其中具体公开了一种深沟槽式电容器(100)以及用于在半导体工艺中提供深沟槽式电容器(100)的方法(400A)。该方法包括在半导体晶片的第一区域(106、108)中形成(405)多个深沟槽(111)，第一区域具有第一类型掺杂的阱。在多个深沟槽的表面上形成(410)介电层(110)，并且沉积(415)掺杂多晶硅层(112)以填充多个深沟槽，其中掺杂多晶硅掺杂有第二类型的掺杂剂。在介电层与半导体晶片的表面的交点处，形成(420)覆盖介电层的浅沟槽隔离(114)。
集成沟槽电容器

[发明专利]自对准到具有侧壁电介质的场释放氧化物的漂移区注入-CN201780007246.3有效
发明人： H·L·爱德华兹;B·胡;J·R·托德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种集成电路(100)，其包括场板式FET(110)并且通过在氧化物掩模层中形成第一开口从而暴露用于漂移区(116)的区域来形成。在第一开口下方将掺杂剂注入到衬底(102)中。随后，沿着第一开口的横向边界形成电介质侧壁。在通过电介质侧壁暴露的第一开口的区域中，通过热氧化形成场释放氧化物(122)。所注入的掺杂剂扩散到衬底(102)中以形成漂移区(116)，横向延伸超过场释放氧化物(122)层。在形成场释放氧化物(122)层之后，移除电介质侧壁和氧化物掩模层。在场板式FET(110)的本体(120)上方以及在相邻的漂移区(116)上方形成栅极(130)。在场释放氧化物(122)的上方邻近栅极(130)直接形成场板(132)。
对准具有侧壁电介质释放氧化物漂移注入

[发明专利]用于高压隔离的双深沟槽-CN201780049630.X有效
发明人： S·彭哈卡;B·胡;A·萨多夫尼科夫;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在所描述的示例中，一种半导体器件(100A)采用隔离方案来保护低压晶体管免受高压操作的影响。该半导体器件(100A)包括衬底(102)、掩埋层(106)、晶体管阱区(101)、第一沟槽(114)和第二沟槽(174)。衬底(102)具有顶表面(102A)和底表面。掩埋层(106)位于衬底(102)内，并且晶体管阱区(101)位于掩埋层(106)上方。第一沟槽(114)从顶表面(102a)延伸以穿入掩埋层(106)，并且第一沟槽(114)具有第一沟槽深度(TDi)。第二沟槽(174)从顶表面(102a)延伸以穿入掩埋层(106)。第二沟槽(174)内插在第一沟槽(114)与晶体管阱区(101)之间。第二沟槽(174)具有小于第一沟槽深度(TDi)的第二沟槽深度(TD2)。
用于高压隔离深沟

[发明专利]用于深沟槽填充的多夹层结构-CN202211649776.7在审
发明人： B·胡;S·P·彭哈卡;J·B·雅各布斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及用于深沟槽填充的多夹层结构。通过在衬底(102)中形成深沟槽(120)并在深沟槽(120)的侧壁(118)上形成介电内衬(116)来形成半导体器件(100)。第一未掺杂多晶硅层(122)在半导体器件(100)上形成，其延伸到介电内衬(116)上的深沟槽(120)中，但未填充深沟槽(120)。掺杂剂植入第一多晶硅层(122)中。第二多晶硅层(124)在第一多晶硅层(122)上形成。热驱动退火激活并使掺杂剂扩散。在一个版本中，在形成第一多晶硅层(122)之前，在深沟槽(120)的底部处移除介电内衬(116)，使得深沟槽(120)中的多晶硅(122)提供到衬底(102)的接触。在另一版本中，深沟槽(120)中的多晶硅(122)通过介电内衬(116)与衬底(102)隔离。
用于深沟填充夹层结构

[发明专利]用于在场景地图中生成3D参考点的方法-CN202080094095.1在审
发明人：高炳涛;T·陈;D·刘;J·赫布斯特;B·胡;H·张;C·罗;C·蒂尔 -专利权人：大陆汽车有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：一种利用3D参考点来补充场景地图的方法，包括四个步骤。在第一步骤中，基于光学传感器、GNSS和IMU中的至少一者的样本来收集和记录数据。第二步骤包括：通过对收集的传感器数据进行处理来生成初始位姿，以提供车辆位姿的轨迹。位姿基于特定数据集、在该数据集之前记录的至少一个数据集以及在该数据集之后记录的至少一个数据集。第三步骤包括：对所述初始位姿和收集的光学传感器数据进行SLAM处理，以生成具有特征点的关键帧。在第四步骤中，通过将未来特征点和过去特征点与处理点处的特征点一起使用的特征点的融合和优化来生成3D参考点。该第二步骤和第四步骤提供比已知来自现有技术的SLAM或VIO方法明显更好的结果，因为第二步骤和第四步骤基于记录的数据。其中普通的SLAM或VIO算法只能访问过去的数据，在这些步骤中，也可以通过查看前面的位置、通过使用记录的数据来进行处理。
用于场景地图生成参考方法

[发明专利]与设备关联的账户-CN202080066905.2在审
发明人： S·G·特拉普;M·P·巴特勒;M·B·卡拉南;N·J·安德森;B·胡;Z·吴;F·帕拉克;J·马洛特 -专利权人：亚马逊技术股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G10L15/22 文献下载
摘要：公开了用于与语音接口设备关联的账户数据的系统和方法。例如，当主机用户/主用户和访客用户同意账户数据与主用户的设备相关联时，可以接收关联账户数据的请求。可以执行基于语音和设备的验证以确认访客用户的身份，并且访客用户的账户数据可以与主用户的设备相关联。在访客会话期间，可以使用语音识别来确定给定的用户话语是来自访客用户还是主用户，并且可以相应地由语音接口设备执行动作。
设备关联账户

[发明专利]抗疟药-CN202080072179.5在审
发明人： J·A·麦考利;A·F·考曼;M·德列拉勒伊斯;P·法乌扎;Z·郭;B·胡;M·J·凯利三世;Z·雷;D·B·奥尔森;B·斯利布斯;J·K·汤普森;T·特里利亚;D·詹;C·张;L·赵 -专利权人：默沙东公司;沃尔特及伊莱萨霍尔医学研究院;默沙东研发（中国）有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C07D239/22 文献下载
摘要：治疗疟疾的方法，其包括给予需要其的对象式(I’)的化合物：或其可药用盐，其中各变量如本文中定义。还提供如本文中定义的式(I)的化合物用于抑制plasmepsin X、plasmepsin IX或plasmepsin X和IX活性、用于治疗疟原虫感染和用于治疗疟疾的用途。还提供了进一步包括给予一种或多种另外的抗疟疾化合物的治疗方法。
抗疟药

[发明专利]带分段深沟槽的深沟槽隔离-CN202111219226.7在审
发明人： B·胡;Y·邵;J·K·艾瑞诗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)具有位于衬底(108)中的沟槽结构(116)的第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。第二沟槽(104)与第一沟槽(102)分隔开小于第一沟槽(102)的第一沟槽宽度(118)并且小于第二沟槽(104)的第二沟槽宽度(120)的沟槽空间(106)。沟槽结构(116)包括具有第一导电类型的掺杂护套(148)，其接触并横向围绕第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。掺杂护套(148)从顶表面(114)延伸到隔离层(110)，并横跨沟槽空间(106)从第一沟槽(102)延伸到第二沟槽(104)。该半导体器件(100)包括第一区域(150)和第二区域(152)，二者位于半导体层(112)中，具有相反的第二导电类型。第一区域(150)与第二区域(152)由第一沟槽(102)、第二沟槽(104)及掺杂护套(148)分隔。
分段深沟隔离

[发明专利]容易加工的粉末金属组合物-CN201780017879.2有效
发明人： B·胡 -专利权人：霍加纳斯股份有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁基粉末组合物，其除铁基粉末外还包含次要量的加工性增强添加剂，所述添加剂包含至少埃洛石。本发明进一步涉及加工性增强添加剂的用途和生产容易加工的铁基烧结组件的方法。
容易加工粉末金属组合

[发明专利]具有与栅极自对准的体扩散的LDMOS器件-CN201611074855.4有效
发明人： H·L·爱德华兹;B·胡;J·R·托德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种具有与栅极自对准的体扩散的LDMOS器件。一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(200)包括其上具有p外延层(115)的衬底(105)，在p外延层中的p体区(140)，以及在p体内以提供漏极延伸区的n漂移(NDRIFT)区(120)。栅极堆叠包括在p体区中的沟道区上方与具有NDRIFT区的结的相应侧相邻并且在所述相应侧上的栅极介电层(122)。图案化栅极电极(123)在栅极电介质上。DWELL区(130)在p体区内。源极区(148)在DWELL区内，并且漏极区(145)在NDRIFT区(120)内。LDMOS器件的有效沟道长度(Leff)为75nm至150nm，其显示DWELL注入，所述DWELL注入利用栅极电极的边缘以描绘DWELL离子注入的边缘，使得DWELL区与栅极电极自对准。
具有栅极对准扩散 ldmos 器件

[发明专利]用于容易切削加工的粉末金属组合物-CN201680008327.0有效
发明人： B·胡 -专利权人：霍加纳斯股份有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C22C33/02 文献下载
摘要：本发明涉及基于铁的粉末组合物，其至少含有基于铁的粉末和少量的切削性添加剂，所述添加剂含有至少一种钛酸盐化合物。本发明还涉及切削性改进添加剂的用途，以及生产用于容易切削加工的基于铁的烧结部件的方法。
用于容易切削加工粉末金属组合

[发明专利]沙库巴曲钙盐-CN201580081292.9有效
发明人： D·胡克;B·胡;F·K·克莱因贝克;U·迈耶;S·穆勒;J-P·慕兹;J·施洛马奇;P·A·萨顿;L·M·维科尔;B·韦特费尔特 -专利权人：诺华股份有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C07C233/47 文献下载
摘要：本发明涉及N‑(3‑羧基‑1‑氧丙基)‑(4S)‑(对苯基苯基甲基)‑4‑氨基‑(2R)‑甲基丁酸乙酯钙盐的多晶型。N‑(3‑羧基‑1‑氧丙基)‑(4S)‑(对苯基苯基甲基)‑4‑氨基‑(2R)‑甲基丁酸乙酯的钙盐用于治疗响应中性内肽酶抑制的多种病症和紊乱。
沙库巴曲钙盐

[发明专利]新型铁基复合粉末-CN201680069469.8有效
发明人： B·胡 -专利权人：霍加纳斯股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：一种含有多个复合粒子的新型铁基粉末，所述复合粒子由具有分布在所述结构粒子的孔隙和空腔中的至少一种微粒摩擦改性剂并进一步含有至少一种微粒稳定剂‑封闭剂的铁素体铁或铁基多孔结构粒子构成。该复合粒子尤其适合用作摩擦配制物，如刹车片中的功能材料并能够替代此类摩擦材料配制物中所用的铜或铜基材料。
新型复合粉末

[发明专利]高击穿n型埋层-CN201580020171.3有效
发明人： S·P·彭哈卡;B·胡;H·L·爱德华兹 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：在所述示例中，半导体器件(100)具有通过以高剂量和低能量将锑和/或砷注入到p型第一外延层(104)中，并且以低剂量和高能量注入磷形成的n型埋层(108)。热驱动过程扩散和激活重掺杂剂和磷二者。锑和砷不显著扩散，保持用于埋层(108)的主层(114)的窄分布。磷扩散以提供在主层(114)下方的几微米厚的轻掺杂层(120)。外延p型层(106)在埋层(108)上方生长。
击穿型埋层

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