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[发明专利]新型抗原结合分子形式-CN202080069722.6在审
发明人： T.张;E.派尔斯;M.罗斯科尼;N.刘;S.帕特尔;E.史密斯;A.墨菲;C.林;S.戴维斯 -专利权人：再生元制药公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C07K16/46 文献下载
摘要：包括非天然构型的Fab结构域的抗原结合分子(ABM)、包括所述ABM和细胞毒性剂或细胞抑制剂的ABM缀合物、含有所述ABM和ABM缀合物的药物组合物、使用所述ABM的方法、用于治疗癌症的ABM缀合物和药物组合物、编码所述ABM的核酸、经工程改造以表达所述ABM的细胞以及产生ABM的方法。
新型抗原结合分子形式

[发明专利]形成用于纳米线设备结构的自对准垫片的方法-CN201580085509.3有效
发明人： K.贾姆布纳坦;G.格拉斯;A.墨菲;J.S.江;S.金 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了形成自对准纳米线垫片结构的方法。实施例包括：形成包括第一纳米线和第二纳米线的沟道结构。邻近沟道结构形成源极/漏极结构，其中衬垫材料被布置在源极/漏极结构的侧壁的至少一部分上。在第一和第二纳米线之间形成纳米线垫片结构，其中纳米线垫片包括衬垫的被氧化部分。
形成用于纳米设备结构对准垫片方法

[发明专利]用于自动化的照明器检测与分类的系统和方法-CN201780027853.6有效
发明人：韩东;顾韫;T.布兰道德奥利维拉;A.墨菲;D.E.杰比恩斯基;姜聃;H.莫汉那 -专利权人：飞利浦照明控股有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：公开用于收集照明器信息的方法和系统。第一数据收集装置收集有关多个照明器的第一数据，而第二数据收集装置收集有关多个照明器的第二数据。进一步，处理设备被配置成分析第一和第二数据，以确定多个照明器之中的每一个的至少一个特征。
用于自动化明器检测分类系统方法

[发明专利]具有垂直沟槽的源极或漏极结构-CN202010128420.3在审
发明人： R.基奇;N.米努蒂洛;A.墨菲;A.布德列维奇;P.威尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有带有垂直沟槽的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括鳍，所述鳍具有下鳍部分和上鳍部分。栅极堆叠处于所述鳍的所述上鳍部分之上，所述栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第一侧被嵌入所述鳍中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第二侧被嵌入所述鳍中的外延结构。所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构具有在其中居中的垂直沟槽。所述第一和第二源极或漏极结构包括硅和V族掺杂剂杂质。
具有垂直沟槽结构

[发明专利]锗N沟道装置的源极或漏极结构-CN202010128448.7在审
发明人： R.基赫;B.朱-龚;S.拉菲克;D.默里尔;A.阿格拉沃尔;H.肯内尔;曹阳;D.巴素;J.托雷斯;A.墨菲 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有源极或漏极结构和锗N沟道的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下鳍部分和上鳍部分的鳍，上鳍部分包括锗。栅极堆叠位于鳍的上鳍部分之上。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠的第一侧处嵌入鳍中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠的第二侧处嵌入鳍中的外延结构。每个外延结构包括与上鳍部分接触的第一半导体层、和在第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层包括硅、锗和磷，并且第二半导体层包括硅和磷。
沟道装置结构

[发明专利]具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构-CN202010128920.7在审
发明人： C.邦伯格;A.墨菲;S.高斯;Z.盖格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：描述了具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构，以及制备具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括鳍上方的水平纳米线竖直布置，所述纳米线中的每个纳米线包括锗，并且所述鳍包括在第一半导体层上的缺陷修改层、在所述缺陷修改层上的第二半导体层、和在所述第二半导体层上的第三半导体层。栅极堆叠围绕所述水平纳米线竖直布置。第一外延源极或漏极结构在所述水平纳米线竖直布置的第一端；并且第二外延源极或漏极结构在所述水平纳米线竖直布置的第二端。
具有纳米沟道结构栅极环绕集成电路

[发明专利]通过CVD蚀刻与淀积顺序形成的CMOS晶体管结区-CN201610281969.X有效
发明人： A.墨菲;G.格拉斯;A.韦斯特迈尔;M.哈滕多夫;J.万克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及“通过CVD蚀刻与淀积顺序形成的CMOS晶体管结区”。本发明是对换置源‑漏CMOS晶体管工艺的补充。处理工序可包括用一组设备在衬底材料中蚀刻一凹槽，然后在另一组设备中进行淀积。公开了一种在不暴露于空气的条件下、在同一反应器中进行蚀刻及后续淀积的方法。相对于“异处”蚀刻技术，用于交换源‑漏应用的“原处”蚀刻源‑漏凹槽具有若干优点。晶体管驱动电流通过下列方式获得了提高：(1)当蚀刻中表面暴露于空气时，消除硅‑外延层界面的污染，以及(2)精确控制蚀刻凹槽的形状。淀积可通过包括选择性和非选择性方法的多种工艺来完成。在等厚淀积中，还提出了一种避免性能临界区中的非晶态淀积的方法。
通过 cvd 蚀刻顺序形成 cmos 晶体管

[发明专利]具有子鳍掺杂剂扩散阻挡层的沟道结构-CN201910457456.3在审
发明人： C.邦伯格;A.墨菲;S.切亚;B.古哈;A.博旺德;T.加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域中，并且特别地，描述了具有带有子鳍掺杂剂扩散阻挡层的沟道结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下鳍部分和上鳍部分的鳍。下鳍部分包括被掺杂成第一导电类型的第一半导体层上的掺杂剂扩散阻挡层。上鳍部分包括第二半导体层的一部分，第二半导体层处于掺杂剂扩散阻挡层上。隔离结构沿着下鳍部分的侧壁。栅极堆叠处于上鳍部分的顶部上方并且沿着上鳍部分的侧壁，栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构处于栅极堆叠的第一侧处。
掺杂剂扩散半导体层栅极堆叠阻挡层集成电路结构侧壁第一导电类型高级集成电路隔离结构沟道结构结构制造漏极结构源极掺杂

[发明专利]多糖颗粒疫苗-CN201180020342.4有效
发明人： S.M.雷勒;A.墨菲;B.胡拜 -专利权人：流体科技公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： A61K39/00 文献下载
摘要：制备颗粒组合物用作多糖颗粒疫苗。
多糖颗粒疫苗

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