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[发明专利]间接转换检测器阵列-CN201480083456.7在审
发明人：鲁温·戴驰;A·利特温;弗拉丹·里斯丹维克 -专利权人：模拟技术公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明尤其提供了一种用于辐射成像系统的检测器阵列(300)。该检测器阵列包括多个检测器元件。各个检测器元件尤其包括闪烁体(304)和光电检测器(306)。在一些实施例中，所述检测器元件中的两个或更多个检测器元件之间共用闪烁体。在一些实施例中，两个或更多个检测器元件之间具有很少甚至几乎没有被配置成减轻检测器元件之间的串扰的反射材料。
间接转换检测器阵列

[发明专利]通过计算机断层扫描系统生成图像-CN201480079001.8在审
发明人： A·利特温 -专利权人：模拟技术公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本文尤其提供了计算机断层扫描(CT)系统和/或用于经由CT系统生成被检查对象的投影图像的方法。对象的投影图像可以表示整个对象的投影或者仅表示对象的一部分，诸如对象的切片的投影。限定了投影图像所被聚焦到的表面并且从对象的多个视图得到的数据被映射至该表面。在一些实施例中，这样的映射包括：将与第一视图相对应的且从第一探测器单元得到的数据映射到表面上的第一点，将与第一视图相对应的且从第二探测器单元得到的数据映射至表面上的第二点，和/或将与第二视图相对应的且从第一探测器得到的数据映射至表面上的第三点。
通过计算机断层扫描系统生成图像

[发明专利]用于成像模式的探测器阵列-CN201480078631.3在审
发明人：谢尔盖·西马诺夫斯基;A·利特温;丹尼尔·阿卑宁 -专利权人：模拟技术公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：提供了一种如在辐射成像模式中使用的探测器阵列。该探测器阵列包括具有第一闪烁体(402)的第一像素(302a)。第一闪烁体具有第一探测表面(408)和第一光发射表面(412)。第一探测表面沿第一探测表面平面延伸，并且第一光发射表面沿第一光发射表面平面延伸。探测器阵列包括具有第二闪烁体(420)的第二像素(302b)。第二闪烁体具有第二探测表面(426)和第二光发射表面(430)。第二探测表面沿第二探测表面平面延伸，并且第二光发射表面沿第二光发射表面平面延伸。其中，第一探测表面平面与第二探测表面平面不共面，并且/或者第一光发射表面平面与第二光发射表面平面不共面。
用于成像模式探测器阵列

[发明专利]通过计算机断层扫描成像系统的投射影像的生成-CN201380079071.9在审
发明人： A·利特温;R·奈杜;S·希马诺夫斯基 -专利权人：模拟技术公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：除了其它方面以外，本申请提供了计算机断层扫描成像(CT)系统和/或用于通过CT系统生成处于检查中的对象的投射影像的方法。限定有一表面，投射影像关于所述表面聚焦，且从贯穿所述表面的垂直辐射射线获得的数据和从贯穿所述表面的非垂直射线获得的数据用于生成投射影像。在一些实施例中，投射影像由一条或多条投射线组合而成，所述投射线分别与接触所述表面的直线路径相关联，并在平行于辐射源的旋转轴的方向上延伸。一投射线表示贯穿与投射线关联的直线路径且当辐射源处于辐射源轨道的特定段时发射的射线所经历的衰减的程度。
通过计算机断层扫描成像系统投射影像生成

[发明专利]无线电结构-CN98802294.X无效
发明人： A·利特温;S·E·马蒂松 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-01-26 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种数字无线电收发信机集成电路包括在数字电路中具有常规阈值电压而至少在一些模拟RF元件中具有降低的阈值电压的MOS晶体管。可以使收发信机的尺寸和重量减小，而不需要性能折衷。
无线电结构

[发明专利]射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件-CN99812144.4无效
发明人： A·利特温;T·约翰松 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1999-09-23 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及到用来互连射频功率SiC场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感，利用了晶体管的小尺寸，其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上，使大多数源键合引线(6)垂直于栅和漏键合引线(7，8)走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点，降低了源电感。由于正交引线安排造成源/栅之间和源/漏之间互感降低，故这种安排还带来额外的优点。
射频功率碳化硅场效应晶体管互连方法器件

[发明专利]电器件及其制造方法-CN200310116398.7有效
发明人： A·利特温;S·E·马蒂松 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-09-01 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：提供具有随电压变化的电容的电器件(10)，包括半导体材料的第一区(12)及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13)和第三区(14)，第二和第三区通过隔离区隔离；形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15)；形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16)，以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区；与基本导电元件连接的第一电极(17)；与第二和第三区连接的第二电极(18)。并公开了器件的制造方法。
器件及其制造方法

[发明专利]用于高频集成电路的衬底-CN98806113.9无效
发明人： A·利特温;A·瑟德贝格 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-06-17 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种硅基硅衬底材料具有使体衬底料与顶层(7)绝缘的半绝缘内部层(5)，其中集成电路要设置在顶层中。该半绝缘层是这样形成的，即通过形成具有肖特基势垒或pn异质结势垒的亚微米颗粒，并且使颗粒分布得使所形成的围绕相邻颗粒的耗尽区互相重叠。这种颗粒将通过电荷载流子耗尽硅材料。随后可以使用标准硅处理方法处理衬底材料，并允许制造适于高频应用的集成电路。通过在硅晶片(1)中溅射金属如钴，然后借助退火处理使溅射的钴原子硅化，由此制成硅衬底。然后将在其底表面具有二氧化硅层(13)的顶部硅晶片(11)键合到该溅射的层上。最后将顶部晶片(11)薄化以提供适于在元件制造中所需处理步骤的层厚度。
用于高频集成电路衬底

[发明专利]击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管-CN96193285.6无效
发明人： A·利特温;T·阿恩博格 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1996-04-09 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极绝缘体上硅晶体管，包括具有主表面的衬底(1)，所述主表面上的氧化层(2)，所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3)，延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4)，延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5)，以及距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6)，所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)到达临近所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2)，所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下距基区(4)的下表面一段距离沿氧化层(2)的表面横向地向集电区(6)延伸，并且所述插入区电连接到所述基区(4)。
击穿电压增加绝缘体晶体管

[发明专利]电器件及其制造方法-CN98809076.7有效
发明人： A·利特温;S·E·马蒂松 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-09-01 - 公布日： 2000-10-18 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：提供具有随电压变化的电容的电器件(10),包括半导体材料的第一区(12)及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13)和第三区(14),第二和第三区通过隔离区隔离;形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15);形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16),以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区;与基本导电元件连接的第一电极(17);与第二和第三区连接的第二电极(18)。并公开了器件的制造方法。
器件及其制造方法

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