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[发明专利]一种区块链异常节点的检测方法、系统、设备和存储介质-CN202310973153.3有效
发明人：刘兆伟;鲁明杰;王莹洁;王海洋;徐金东;赵相福 -专利权人：烟台大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明涉及区块链技术领域，具体为一种区块链异常节点的检测方法、系统、设备和存储介质，该检测方法通过多种信息源去特征提取和分析节点数据，最后得到更精确、适用性强、误差小的高质量图结构，进而得到特征信息丰富的高阶邻居特征，便于进一步分类检测，提高检测结果的准确性，并根据检测结果更新节点权限，有利于维护区块链的安全。
一种区块异常节点检测方法系统设备存储介质

[实用新型]一种改良式风量调节阀-CN202320309532.8有效
发明人：王东洋;鲁明杰;孙卫强;唐李斌;李将军;彭新华 -专利权人：广东顶和智能环境科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： F24F13/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及风量调节阀技术领域，具体为一种改良式风量调节阀，包括插接在限位槽内壁的海绵和固定在抵紧环外表面的防滑垫，所述海绵的下端固定连接有可限位的卡板，所述卡板的下端固定连接有可支撑的连接柱，所述连接柱的外表面开设有可限位的插孔，所述防滑垫的内壁插接有可吸附的吸铁石，所述抵紧环远离所述防滑垫的一端固定连接有可支撑的支撑柱。该改良式风量调节阀，通过限位槽、海绵、卡板和连接柱的设置，使用人员可以将海绵固定在卡板的一端，将其卡紧插接在限位槽的内壁中，增加摩擦力，防止脱落，可以进行安装或者拆卸，便于使用人员进行组装，有利于提升使用人员的工作效率。
一种改良风量调节

[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法-CN202310117468.8在审
发明人： 鲁明杰;袁家贵;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法，栅间介质层的形成过程包括：在沟槽中形成栅间介质材料层，所述栅间介质材料层位于屏蔽栅结构上，所述栅间介质材料层具有开口；在所述开口中填充可流动涂层；以及，刻蚀所述沟槽中的所述栅间介质材料层以及所述可流动涂层以形成所述栅间介质层。通过在沟槽中形成栅间介质材料层时，所述栅间介质材料层中留有开口；接着再用可流动涂层填充所述开口，由此，再通过刻蚀所述沟槽中的所述栅间介质材料层以及所述可流动涂层以形成所述栅间介质层时，能够得到厚度均匀、符合要求的栅间介质层，进而能够有效隔离屏蔽栅和多晶硅栅，提升了栅源电流(IGSS)。
屏蔽沟槽 mos 器件制造方法

[发明专利]集成ESD多晶硅层的半导体装置-CN202210483478.9有效
发明人： 鲁明杰;陈一;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成ESD多晶硅层的半导体装置，包括设置于半导体基底上的ESD多晶硅层、设置于ESD多晶硅层上的层间介质层和设置于层间介质层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极具有第一间隙，从在半导体基底表面的正投影来看，ESD多晶硅层投影的部分边界线围出至少一个凸出部，第一间隙投影从ESD多晶硅层投影跨过所述部分边界线并延伸到ESD多晶硅层投影的外部，该部分边界线围出的凸出部均落在第一间隙投影内，该半导体装置中，在第一间隙内的层间介质层表面不容易残留将第一金属电极和第二金属电极短路的导电材料，有助于避免第一间隙两侧的第一金属电极和第二金属电极导通，提高半导体装置的可靠性。
集成 esd 多晶半导体装置

[发明专利]MOSFET功率器件及其形成方法、CSP封装模块-CN202210401232.2有效
发明人： 鲁明杰;梁卉荣;陈一;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOSFET功率器件及其形成方法、CSP封装模块。器件包括在半导体基底上的第一层间介质层中设置的下插塞和在第二层间介质层中设置的上插塞，在栅极沟槽之间的间隙的长度方向上，多个上插塞交错设置，至少一对相邻的源插塞通过相应的上插塞分别连接第一源电极和第二源电极。由于分别连接所述第一源电极和所述第二源电极的相邻两源插塞之间的距离较小，在进行CSP封装并导通时，一个源电极引入的漏端电流可沿着基底内的导通路径流动到另一个源电极，该导通路径的电阻较小，使得器件的总导通电阻较小，并且对芯片厚度和背面金属厚度要求低，不增加工艺难度，可以节约成本。
mosfet 功率器件及其形成方法 csp 封装模块

[发明专利]一种臭氧杀菌对烟叶烘烤霉烂病的防控方法-CN202210451035.1在审
发明人：韦克苏;王丰;武圣江;李德仑;涂永高;马云飞;鲁明杰;任竹;史跃伟 -专利权人：贵州省烟草科学研究院
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： A24B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种臭氧杀菌对烟叶烘烤霉烂病的防控方法，包括以下步骤：1）按要求将烟叶装入烤房内，关闭烤房门及排湿窗；2）将臭氧输入到烤房内，同时开启循环风机空转，当烤房内的臭氧浓度达到设定阈值时，停止输入臭氧，并关闭循环风机，保持烤房密闭设定时间；3）点火升温，设置40‑42℃/33‑35℃的高温低湿目标温度，点火运行1‑3小时，确保烤房冷风门打开排出残余臭氧；4）将目标温湿度调回至35℃/34℃，进入十个关键稳温点烘烤程序。本发明通过在烘烤前将臭氧导入到烤房内，并开启循环风机循环，然后保持烤房密闭一段时间后再点火烘烤，与未处理相比，采用本发明能够极大的降低霉烂病的发病率，同时减小烟叶感染面积。
一种臭氧杀菌烟叶烘烤霉烂方法

[实用新型]一种旋转式台面的蒸汽保温桌-CN201721672566.4有效
发明人：张超;鲁亚明;文艳格;李义斌;白欢;曹皓清;任峰;孙岚子;鲁明杰 -专利权人：长安大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： A47B31/02 文献下载
摘要：一种旋转式台面的蒸汽保温桌，包括旋转蒸汽台面、蒸汽腔、传动装置；蒸汽腔为上端开口的箱体，两个旋转蒸汽台面并排设置在蒸汽腔上端的开口处；蒸汽腔的底部设置有传动装置，传动装置能够带动两个旋转蒸汽台面旋转；蒸汽腔内部设置有加热管；旋转蒸汽台面上设置有若干透气孔。本实用新型使人们在用餐过程中，放餐人员将控制杆回拉，控制隔汽片阻挡回转台面的半边透气孔，打开外部电机来驱动旋转蒸汽台转动，放餐人员可以在没被挡住透气孔的台面上半边进行布餐，而用餐人员在另一边拿取菜品，同时不会被蒸汽伤害。
蒸汽蒸汽腔传动装置透气孔台面蒸汽保温旋转式半边本实用新型并排设置回转台面内部设置驱动旋转上端开口外部电机用餐过程开口处控制杆上端布餐菜品回拉拿取热管用餐转动挡住阻挡伤害

[发明专利]金刚石单晶表面金属化处理的方法-CN201710105208.3有效
发明人：于盛旺;郑可;鲁明杰;高洁;李亮亮;王洪孔;任咪娜 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-02-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公布了一种金刚石单晶表面金属化处理的方法，该方法通过以下步骤实现：使用双辉等离子体渗金属技术，以Fe、Co或Ni作为源极靶材，轰击溅射金刚石单晶表面；然后使用酸溶液浸泡单晶去除残留的金属以及石墨；最后再使用双辉等离子体渗金属技术，以强碳化物金属作为靶材在上述金刚石单晶表面制备金属渗镀涂层。本发明通过利用双辉等离子体的轰击溅射作用和Fe、Co、Ni等铁族金属的石墨化催化作用，在单晶表面形成均匀分布的微坑，使表面粗化、活化，再利用强碳化物金属元素与金刚石表面部分碳原子反应形成化学键结合，提高表面金属化涂层与单晶金刚石的结合强度。轰击刻蚀与金属化处理使用一种装置即可完成，工艺简单、成本低，适合工业化生产。
金刚石表面金属化处理方法

[发明专利]等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置-CN201710244250.3有效
发明人：于盛旺;郑可;高洁;鲁明杰;王洪孔;李亮亮;任咪娜 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明为一种等离子体化学气相沉积微波谐振腔，达到了提高谐振腔聚焦能力和配置灵活性的目的。该谐振腔包括两个顶部相交的等腰三角形布尔并集运算后形成的回转体，其中等腰三角形的底边边长为2nλ~（2n+0.5）λ，底角为50°~75°，两个等腰三角形的底边长相等或相差nλ，上等腰三角形的重心与下等腰三角形的重心间距为0~4/5λ，其中λ为微波波长。本发明利用了电磁波的反射和干涉原理，通过调节上、下等腰三角形的底边长、底边角度以及二者之间的中心距离形成强聚焦电场。同时，该谐振腔能够根据具体的应用选择不同的介质窗口、微波耦合方式以及反应气体进出方式，具有结构简单、方便灵活等特点。
等离子体化学沉积微波谐振腔装置

[发明专利]非真空条件下非晶合金快速成形的方法-CN201510357004.X在审
发明人：曹国华;张宝庆;张波;程静云;鲁明杰 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： B22D18/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非真空条件下非晶合金快速成形的方法，在非真空且无气体保护的条件下，通过电流加热非晶合金，非晶合金快速升温到过冷液相区，然后再对非晶合金施加机械力，在机械力与模具的作用下，使非晶合金成形为所需的零部件的形状。从而实现非晶合金在非真空条件下的快速成形。本发明的在非真空条件下就可以实施，也不需要特别的气体保护，大大降低了非晶合金成形所需的外在条件，操作简单方便，成本低，电流加热升温快速，所需时间短，加热效率高，并且产品不易被氧化。本发明的非晶合金的成形方法简单实用、实施方便、效率高，能够有效的提高非晶合金产品的成形效率，降低生产成本。
真空条件下合金快速成形方法

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