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[发明专利]一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法-CN202111412253.6在审
发明人：黄建;李睿智;钟玉杰;雷仁方;鄢真真;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括从下至上依次设置的微黑体阵列和透光区，所述微黑体阵列包括多个呈阵列分布的微黑体像元，每一所述微黑体像元均包括吸收区、相对设置在所述吸收区上、下两侧的正面反射区和背面反射区以及设置在所述正面反射区和背面反射区之间且包围所述吸收区的侧面反射区；所述正面反射区上设有一通光孔，使得近红外光经所述透光区聚合并由所述通光孔射入吸收区后，能在正面反射区、背面反射区和侧面反射区之间来回反射，实现所述吸收区对近红外光的反复吸收，增加入射光的吸收率，在提高光电探测器的灵敏度的同时兼顾击穿电压温度系数和响应时间。
一种黑体 apd 光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种单光子Si-APD探测器及其制造方法-CN201910957824.0有效
发明人：郭安然;雷仁方;李睿智;高建威;向华兵 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出了一种单光子Si‑APD探测器，包括：吸收区、P+接触区、N+接触区、雪崩区、介质层，所述P型衬底表面中部设置吸收区，所述吸收区下方设置P+接触区，所述P+接触区下方设置有下电极；所述吸收区上部的两端位置设置有截止环；所述吸收区的上部的中间位置设置雪崩区，且雪崩区由P型杂质和N型杂质补偿掺杂形成；所述雪崩区之上设置N+接触区；所述雪崩区两侧各设有一个保护环，所述保护环上方设置有上电极；所述N+接触区上方设置介质层。该单光子Si‑APD探测器具有较宽的雪崩区且制造过程引入缺陷很少，可实现高探测效率低暗计数的器件性能。
一种光子 si apd 探测器及其制造方法

[实用新型]一种物料萃取装置-CN202021023285.8有效
发明人： 高建威;贾亚杰;谷天杰 -专利权人：阳泉元大量子科技有限公司
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：一种物料萃取装置，属于水溶性营养物的萃取领域，解决现有萃取装置萃取效率低和萃取不充分等技术问题。解决方案为：一种物料萃取装置，其中：包括底座、水箱、机体、反应装置、电控装置和出水嘴；所述水箱和所述机体从后往前依次安装于所述底座顶面，所述反应装置包括蒸汽釜、萃取料杯、储液料杯、萃取杯、加水泵、蒸气水阀、气液切换阀、萃取杯阀、返水阀、离心泵、返水泵、返水切换阀、出水泵和加热装置，所述蒸汽釜安装于所述反应室内腔底面中部，所述加热装置设于所述蒸汽釜下方的底座中且其与所述蒸汽釜电气连接，所述电控装置包括控制系统和触摸显示屏。本实用新型通过泵和阀的配合实现了对物料的充分萃取，提高了萃取效率。
一种物料萃取装置

[发明专利]一种物料萃取装置-CN202010509242.9在审
发明人： 高建威;贾亚杰;谷天杰 -专利权人：阳泉元大量子科技有限公司
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：一种物料萃取装置，属于水溶性营养物的萃取领域，解决现有萃取装置萃取效率低和萃取不充分等技术问题。解决方案为：一种物料萃取装置，其中：包括底座、水箱、机体、反应装置、电控装置和出水嘴；所述水箱和所述机体从后往前依次安装于所述底座顶面，所述反应装置包括蒸气釜、萃取料杯、储液料杯、萃取杯、加水泵、蒸气水阀、气液切换阀、萃取杯阀、返水阀、离心泵、返水泵、返水切换阀、出水泵和加热装置，所述蒸汽釜安装于所述反应室内腔底面中部，所述加热装置设于所述蒸汽釜下方的底座中且其与所述蒸汽釜电气连接，所述电控装置包括控制系统和触摸显示屏。本发明通过泵和阀的配合实现了对物料的充分萃取，提高了萃取效率。
一种物料萃取装置

[外观设计]植物萃取机-CN202030282379.6有效
发明人： 高建威;贾亚杰;谷天杰 -专利权人：阳泉元大量子科技有限公司
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：植物萃取机。2.本外观设计产品的用途：用于植物营养萃取的食品制备机械。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
植物萃取

[发明专利]一种线推扫成像的高光谱遥感图像错行纠正方法及装置-CN201710083240.6有效
发明人：陈正超;朱俊杰;李柏鹏;杨轩;高建威;张兵 -专利权人：中国科学院遥感与数字地球研究所
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种线推扫成像的高光谱遥感图像错行纠正方法及装置，根据高光谱遥感图像数据自身特性计算得到高光谱遥感图像中各相邻两行像素中的下一行像素相对上一行像素要移动的像素位置，进而计算得到所述高光谱遥感图像中每行像素相对所述高光谱遥感图像中第一行像素要移动的像素位置；并依据所述高光谱遥感图像像中所述每行像素相对第一行像素要移动的像素位置，对所述高光谱遥感图像进行纠正。由于本发明提供一种线推扫成像的高光谱遥感图像错行纠正方法及装置，利用的是高光谱遥感图像中多个波段图像数据进行错位纠正，解决了传统的图像错行纠正方法难以应用到线推扫模式下的高光谱图像错行纠正的技术问题。
一种线推扫成像光谱遥感图像纠正方法装置

[实用新型]一种具有自锁功能的按键开关-CN201920378392.3有效
发明人：程鹏;高建威 -专利权人：大连捷成实业发展有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有自锁功能的按键开关，属于电子电路技术领域。其特征在于，按键的输出端与D触发器的第一引脚相连，D触发器的第二引脚与第三引脚相连，第四引脚与地相连，第六、第七引脚与第八引脚相连后，一路与输入电源相连，另一路经第二十三电容与地相连；第五引脚与第二十二电阻和第九十九电阻一端相连，第二十二电阻另一端与第九十五电阻一端和第十四三极管基极相连，第九十九电阻另一端与地相连，第九十五电阻另一端与第九十八电阻一端、第十四三极管集电极及MOS管第四引脚相连，第九十八电阻另一端与输入电源及MOS管的第一、第二和第三引脚相连；第十四三极管发射极与地相连，MOS管的第五、第六、第七和第八引脚与输出电源相连。
引脚电阻输入电源电子电路技术三极管发射极三极管集电极本实用新型三极管基极按键开关输出电源自锁功能电容输出端按键

[发明专利]一种高维数据模式分类方法、装置及系统-CN201610059942.6有效
发明人：张兵;高建威;李利伟;高连如;吴远峰 -专利权人：中国科学院遥感与数字地球研究所
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F16/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种高维数据模式分类方法、装置及系统，方法包括：主节点读取待分类的高维数据，高维数据为三维数组，任意行和列组合对应位置处的数据集合作为一个目标，目标为Bands维列向量，Bands为三维数组的层数；主节点读取标记有分类类别的训练样本集，并在从属节点中分配存储空间，将三维数据、训练样本集拷贝到对应存储空间，以供从属节点启动若干个线程，每个线程分别利用训练样本集，对自身负责的若干个目标进行模式分类计算；主节点将从属节点计算的各目标的分类结果拷贝到主节点。本申请中主节点负责流程控制，从属节点负责并行处理高维数据的模式分类计算工作，提高了计算效率。
一种数据模式分类方法装置系统

[发明专利]一种图像空间退化模拟方法及系统-CN201610274396.8有效
发明人：张文娟;张兵;高连如;陈正超;高建威 -专利权人：中国科学院遥感与数字地球研究所
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像空间退化模拟方法，该方法是依据待模拟图像奈奎斯特频率下的MTF值，以及基础图像和待模拟图像的空间分辨率值，针对基础图像进行空间退化模拟，获得空间退化后的待模拟图像。本发明通过考虑MTF或PSF对于图像空间实际分辨能力的影响，解决了现有技术中由于采用像元求平均值来实现空间退化模拟的方法得到的图像分辨率无法满足新型遥感器图像数据模拟精度或无法为模型算法研究提供需要的图像数据的问题。
一种图像空间退化模拟方法系统

[发明专利]一种在轨运行的宽波段卫星遥感器的光谱响应获取方法-CN201710079765.2有效
发明人：陈正超;张兵;张浩;张文娟;高建威;李柏鹏 -专利权人：中国科学院遥感与数字地球研究所
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：遥感器光谱响应是评价遥感器光谱性能的必要参数，是遥感器把接收到的地物辐射量转换到遥感信号的关键参数，在遥感数据定量处理和应用中必不可少。本发明从理论上提出、并形成一种不依赖于实验室测试数据和星上光谱定标数据的在轨运行宽波段卫星遥感器的光谱响应获取方法。本发明通过分析遥感器成像机理和辐射传输过程，结合优化计算方法建立宽波段卫星遥感器光谱响应解算模型；利用地物光谱库和模拟图像来分析模型解算对数据要求与解算规则；利用同步高光谱遥感图像获取满足模型解算要求的解算样本，并最终实现宽波段卫星遥感器光谱响应的数学解算。
一种运行波段卫星遥感光谱响应获取方法

[发明专利]一种全谱段高光谱图像模拟方法及装置-CN201710447772.3有效
发明人：张文娟;马建行;高连如;陈正超;高建威;张兵 -专利权人：中国科学院遥感与数字地球研究所
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种全谱段高光谱图像模拟方法及装置，该方法针对数据源图像数据生成图像光谱数据，并基于全谱段光谱库进行光谱匹配、初始端元光谱数据计算与修正，考虑到图像中地物组分不变性，结合修正后的地物全谱段光谱数据，通过混合计算得到数据源图像数据的全谱段高光谱图像数据。这就实现了对光学全谱段的遥感数据进行模拟，可直接应用于各波段。
一种全谱段高光谱图像模拟方法装置

[发明专利]微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法-CN201811007058.3在审
发明人：黄建;李睿智;江海波;高建威;郭培;黄烈云 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，涉及微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法。本发明的吸收层上表面的中心区域设置有光敏区钝化层，光敏钝化层的上表面从下至上依次设置有正面反射镜、微透镜垫层和微透镜阵列；微透镜垫层的厚度为微透镜焦距，所述正面反射镜开有多个小的通光孔。本发明的有益效果在于：由微透镜陷光结构的近红外响应增强原理可见，该结构是通过反射镜的反射作用增加光在吸收层的吸收长度来实现响应增强，不依赖于吸收层厚度的增加，因而不会造成探测器击穿电压温度系数与响应时间的增大；而且还可以通过进一步减小吸收层厚度来减小器件的击穿电压温度系数和提高器件响应速度，从而可以大幅提高近红外硅APD光电探测器的综合性能。
微透镜吸收层光电探测器红外响应陷光结构反射镜击穿电压温度系数钝化层上表面垫层减小制备微透镜焦距微透镜阵列反射作用器件响应依次设置中心区域综合性能响应光敏区通光孔探测器光敏吸收

[发明专利]热备份系统的GPIO控制装置及其控制方法-CN201511030525.0有效
发明人：程鹏;韩云东;高建威 -专利权人：大连捷成科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G05B9/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种热备份系统的GPIO控制装置及其控制方法；所述GPIO控制装置包括：配置在主控制板上的主可控开关；配置在主控制板上，与主地址线、备控制器和主逻辑电路相连接的主控制器；配置在主控制板上，与主可控开关、主地址线和主控制线相连接的主逻辑电路；配置在备控制板上的备可控开关；配置在备控制板上，与备地址线、主控制器和备逻辑电路相连接的备控制器；配置在备控制板上，与备可控开关、备地址线和备控制线相连接的备逻辑电路；本发明能够实现系统内部物理接口与系统外部GPIO接口之间的主备控制自动切换，采用硬件控制方式，相对于现有技术中基于软件和程序的控制方式，对于保证系统的可靠性和安全性更有优势。
备份系统 gpio 控制装置及其方法

[发明专利]能降低偏振成像器件像元间光串扰的微透镜阵列-CN201810062611.7在审
发明人：郭安然;伍明娟;高建威;皮晓静;向华兵 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出了一种能降低偏振成像器件像元间光串扰的微透镜阵列，包括像元阵列、平坦化层、光栅阵列和微透镜阵列；像元阵列由多个按阵列形式分布的像元组成；光栅阵列由多个按阵列形式分布的亚波长光栅组成；微透镜阵列由多个按阵列形式分布的微透镜组成；其创新在于：所述微透镜的直径与像元的对角线等长；相邻微透镜之间设置有隔离槽，隔离槽的深度达到光栅阵列表面。本发明的有益技术效果是：提出了一种用于偏振成像器件的微透镜阵列，该微透镜阵列能有效降低像元间的光串扰。
微透镜阵列像元光栅阵列偏振成像阵列形式光串扰微透镜像元阵列隔离槽对角线亚波长光栅技术效果平坦化层等长

[发明专利]带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法-CN201810062599.X在审
发明人： 高建威;刘恋;杨修伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器，该硅基探测器在光敏区表面设置有微结构阵列，微结构阵列表面覆盖有氮化硅应力层；本发明还公开了前述硅基探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：提出了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法，采用本发明方案后，可通过氮化硅应力层向衬底施加应力，从而使衬底持续受到应力作用，改变衬底的吸收特性。
硅基探测器氮化硅应力结构衬底微结构阵列应力层制作表面覆盖表面设置技术效果吸收特性应力作用光敏区施加