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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电路板-CN202180078653.X在审
发明人： 韩姃恩;罗世雄;林炳泰 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：绝缘层，其包括第一区域至第三区域；外层电路图案，其被设置在绝缘层的第一区域至第三区域的上表面上；以及阻焊剂，其包括设置在绝缘层的第一区域中的第一部件、设置在绝缘层的第二区域中的第二部件、以及设置在绝缘层的第三区域中的第三部件。外层电路图案包括设置在绝缘层的第一区域的上表面上的第一迹线；设置在绝缘层的第一区域的上表面上的第一焊盘；以及设置在绝缘层的第三区域的上表面上的第二迹线，其中阻焊剂的第一部件的上表面被定位成低于第一迹线的上表面，以及第一迹线的高度不同于第一焊盘的高度。
电路板

[发明专利]电路板-CN202180056437.5在审
发明人： 韩姃恩;罗世雄;车俊一 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：绝缘层，包括第一区域和第二区域；多个外层电路图案，设置在绝缘层的第一区域和第二区域的上表面上；以及阻焊剂，包括设置在绝缘层的第一区域上的第一部分和设置在绝缘层的第二区域上的第二部分，其中，第一部分包括至少部分具有曲面的上表面并暴露设置在绝缘层的第一区域上的外层电路图案的上表面，第二部分覆盖设置在绝缘层的第二区域上的外层电路图案的上表面，并且第一部分的上表面的至少一部分被设置为低于外层电路图案的上表面。
电路板

[发明专利]电路板-CN202180055886.8在审
发明人：罗世雄;韩姃恩;金武成 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：绝缘层，绝缘层包括第一区域、第二区域和第三区域；外层电路图案，外层电路图案设置在绝缘层的第一区域、第二区域和第三区域的上表面上；以及阻焊剂，阻焊剂包括设置在绝缘层的第一区域中的第一部分、设置在绝缘层的第二区域中的第二部分和设置在绝缘层对的第三区域中的第三部分，其中外层电路图案包括：第一迹线，第一迹线设置在绝缘层的第一区域的上表面上；以及第二迹线，第二迹线设置在绝缘层的第三区域的上表面上，第一迹线的高度与第二迹线的高度不同，阻焊剂的第一部分的上表面位于比第一迹线的上表面低的位置。
电路板

[发明专利]液体透镜、相机模块和包括相机模块的光学装置-CN201980049419.7有效
发明人：金元振;韩姃恩 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B3/12 文献下载
摘要：一种液体透镜，其包括：第一板，其中形成有容纳导电液体和非导电液体的腔体；第一电极，设置在第一板上；第二电极，设置在第一板的下方；第二板，设置在第一电极上；以及第三板，设置在第二电极的下方，其中，导电液体可以包括：溶剂，该溶剂包括重量占比为20wt％至60wt％的水和重量占比为20wt％至60wt％的防冻剂；重量占比为10wt％至20wt％的溶质；以及重量占比为0.4wt％至2.0wt％的螯合剂或离子抑制剂。
液体透镜相机模块包括光学装置

[发明专利]电路板-CN202180037368.3在审
发明人：罗世雄;韩姃恩 -专利权人： LG 伊诺特有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：根据实施例的印刷电路板包括：绝缘层；电路图案，其设置在绝缘层的上表面上；支撑层，其设置在绝缘层的上表面以暴露电路图案的上表面并且与电路图案的侧面接触；以及保护层，其设置在支撑层和电路图案的上表面上，其中绝缘层的上部区域包括第一区域和第二区域，并且保护层包括暴露被设置在第一区域中的支撑物和电路图案的上表面的开口区域，并且支撑层包括被定位在支撑层的上表面之中的最高水平处的第一上表面和被定位在支撑层的上表面之中的最低水平处的第二上表面，该第二上表面低于第一上表面，并且保护层包括接触第一区域的电路图案的上表面的第一部分和接触第一区域的支撑层的上表面的第二部分，并且保护层的第二部分接触支撑层的第二上表面并且包括低于电路图案的上表面的第一下表面。
电路板

[发明专利]电路板-CN202180037962.2在审
发明人：罗世雄;朴峻秀;韩姃恩 -专利权人： LG 伊诺特有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：根据实施例的电路板包括：绝缘层，其包括第一至第三区域；外层电路图案，其设置在绝缘层的第一至第三区域的上表面上；以及阻焊剂，其包括设置在绝缘层的第一区域中的第一部、设置在第二区域中的第二部以及设置在第三区域中的第三部，其中该外层电路图案具有第一高度，阻焊剂的第三部被设置在外层电路图案的上表面上以具有第二高度，第一区域包括第一子区域和第二子区域，第一部包括设置在第一子区域中的第一子部和设置在第二子区域中的第二子部，第一子部的上表面被定位为高于外层电路图案的上表面并且低于第三部的上表面，第二子部的上表面被定位为低于外层电路图案的上表面，并且阻焊剂的第三部的表面粗糙度不同于阻焊剂的第一部的表面粗糙度。
电路板

[发明专利]碳化硅粉末和其制备方法-CN201380054499.8有效
发明人： 韩姃恩;申东根;金柄淑;闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案，制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤通过混合碳源和硅源来收集混合物粉末；通过加热该混合物粉末来合成第一碳化硅粉末；通过对第一碳化硅粉末造粒来形成经造粒的粉末；并且通过加热经造粒的粉末来形成具有比第一碳化硅粉末更大的粒子的第二碳化硅粉末。
碳化硅粉末制备方法

[发明专利]碳化硅粉末和其制备方法-CN201380054592.9在审
发明人：金柄淑;申东根;韩姃恩;闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案，用于制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：将晶种加入β碳化硅粉末中；并且通过热处理该β碳化硅粉末来形成α碳化硅粉末。
碳化硅粉末制备方法

[发明专利]碳化硅及其制造方法-CN201180036969.9无效
发明人： 韩姃恩;金柄淑 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：提供一种碳化硅制备方法。该方法包括将干燥硅源、固体碳源以及粘结剂相互混合起来并对所述混合源加热以形成碳化硅。
碳化硅及其制造方法

[发明专利]用于制备碳化硅粉体的系统和方法-CN201080048287.5无效
发明人：金柄淑;韩姃恩;金相明 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法和系统。即，本发明的高纯碳化硅粉体的制备方法包括：在混合器中制备由硅源和碳源组成的混合物的步骤；和通过在大于0.03托且等于和小于0.5托的真空度和在等于或大于1300℃且等于和小于1900℃的温度下加热所述混合物来合成碳化硅(SiC)粉体的步骤。
用于制备碳化硅系统方法

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