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[发明专利]一种镍离子注入的P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用-CN202310915881.9在审
发明人： 韦素芬;陈为军;李明逵;徐文俊;柴智;施倩倩;陈涛 -专利权人：厦门芯矽望集成电路技术有限公司;集美大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍离子注入的P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用，该制备方法通过离子注入的方式，将高阻态弱N型氧化镓薄膜电性转变为P型空穴导电的半导体薄膜，且提高空穴载流子的浓度，将三价Ni3+阳离子在室温的情况下垂直注入至β‑Ga2O3薄膜中，通过掺杂Ni正离子替代了β‑Ga2O3中的Ga，引入空穴，从而获得P型β‑Ga2O3薄膜。
一种离子注入氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于离子注入的p型多晶β-Ga2-CN202310949190.0在审
发明人：施倩倩;韦素芬;李明逵;柴智;陈涛;吴梦春 -专利权人：厦门芯矽望集成电路技术有限公司;集美大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入的p型多晶β‑Ga2O3薄膜的制备方法，以高能量注入超大剂量的氧正离子，在离子注入深度内，使O：Ga的原子比例大于等于β‑Ga2O3理想原子比1.5，并形成氮氧镓Ga‑O‑N的非晶或多晶化合物；离子注入之后，进行高温热退火，使氮氧镓Ga‑O‑N的非晶或多晶化合物转化为N掺杂的p型多晶β‑Ga2O3薄膜，并应用于紫外光电探测器。本发明制备的p型多晶β‑Ga2O3薄膜具有较优的P型电性，空穴载流子浓度达到1018cm‑3的数量级，提高了应用器件的性能。
一种基于离子注入多晶 ga base sub

[发明专利]一种基于光波导效应的氧化镓薄膜及其制备方法-CN202210366065.2有效
发明人： 韦素芬;刘毅;李明逵;柴智;陈杰;黄保勋;许嘉巡;连水养 -专利权人：集美大学;厦门芯矽望集成电路技术有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于光波导效应的氧化镓薄膜及其制备方法，该制备方法通过限定薄膜中晶体的形态来提升氧化镓薄膜在特定入射光频段透射率的方法。包括如下步骤：第一步，采用磁控溅射的射频模式，保持本底真空、工作压力、溅射功率、时长、气氛工艺参数为特定值，利用薄膜结构与溅射温度之间的强烈依赖关系，设定最优溅射温度，溅射制备出截面有明显纳米柱结构的氧化镓薄膜。
一种基于波导效应氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种通过低键能N2-CN202210662337.3有效
发明人：刘毅;韦素芬;李明逵 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过低键能N2O热氧化制备高质量稳态β‑Ga2O3薄膜的制备方法，是在蓝宝石衬底上形成GaN膜层，然后在GaN膜层上生长一层Ga2O3超薄之薄膜层，作为柔性种子晶体，再在低键能N2O气氛中进行两阶段高温热氧化处理生长单晶稳态β‑Ga2O3薄膜。本发明的工艺实现方法简易、稳定且有效缓解了Ga2O3薄膜与衬底间的晶格失配问题，大大提高了薄膜质量，此方法为Ga2O3基相关器件提供了强力支撑。
一种通过低键能 base sub

[发明专利]一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用-CN202211600734.4在审
发明人： 韦素芬;施倩倩;李明逵;何廷霖;李鹭彤;刘毅 -专利权人：集美大学;李明逵
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用，在N2O氛围下，将非掺杂氮化镓衬底在700℃‑1000℃下氧化即可得到霍尔空穴掺杂浓度大于2.2×1016cm‑3的P型氮掺杂的P型氧化镓薄膜，利用N2O“N‑O”单键比O2“O＝O”双键键能更低的特点，使得N2O在较低温度下就能分解成为N原子和O原子，分解出的O原子发挥替位作用，N原子发挥掺杂作用；GaN中N原子摆脱共价键“Ga‑N”的束缚，其中N原子一部分逸出，另一部分N原子也发挥掺杂作用；GaN中的N原子摆脱共价键的位置后，被由N2O分解出的O原子进入而取代，从GaN转而形成多晶Ga2O3薄膜，自N2O和GaN中分解出的N原子同时进行N掺杂，从而提高了所形成Ga2O3薄膜的霍尔空穴掺杂浓度,使得氧化生成的Ga2O3薄膜获得了更好的P型电性。
一种氧化薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种分级式压取器-CN202221219539.2有效
发明人：齐红艳;曾艳云;韦素芬;陈裕华;杨艳琴;张彩飞 -专利权人：广州医科大学附属第五医院
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B65D83/76 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分级式压取器，包括按压头、吸液管、打气管和外套管，打气管外套在吸液管中上部，打气管顶部与外套管固定连接；按压头中间位置设有出液管，底部设有活塞，侧部设有卡块，吸液管顶部插入出液管内；打气管底部设有打气口，内部设有复位弹簧，顶部设有限位卡口，复位弹簧设于活塞底部，限位卡口与卡块配合并限制卡块上下移动的距离。本实用新型可以根据自己需要调节压取液体积，然后按需压取。本实用新型使用方便，并且可以避免浪费，制作成本不高，具有良好的市场应用前景。
一种分级式压取器

[发明专利]一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管及其制备方法-CN202110615886.0有效
发明人： 韦素芬;李明逵;杨证富;门凯;刘航;杨杰圣 -专利权人：集美大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，结构简单，设计合理，开态电流等级高，能够抑制双极电流产生。其包括沿横向依次设置的源区、体区和漏区，在体区内靠近源区的界面区形成源区pocket区域；体区上下表面分别设置体区氧化层，体区氧化层上下表面分别设置有主栅多晶硅电极，作为栅极连接栅极电压VGS；源区和源区pocket区域的上下表面分别设置源区介质层，源区介质层上下表面分别对应源区pocket区域设置金属栅电极；金属栅电极连接栅极电压VGS；所述漏区上下表面分别设置漏区氧化层；源区与漏区的侧面分别设置金属电极，作为源极和漏极，对应连接源极电压VS和漏极电压VDS。
一种调制动态 pocket 场效应及其制备方法

[发明专利]一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法-CN202010888516.X有效
发明人：黄辉祥;毕大炜;韦素芬;潘金艳;林海军;陈铖颖 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。
一种基于中子辐照加固 soi 器件及其制备方法

[发明专利]低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法-CN201811265097.3有效
发明人：潘金艳;高云龙;李明逵;李铁军;黄辉祥;袁占生;韦素芬 -专利权人：集美大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得RRAM导电细丝限定在纳米线内，难以在空间上发散、衍生，从而形成导电路径更短，随机性较低，进而提高高、低阻状态阻变参数均匀性，并采用CNTs/石墨烯符合电极进一步降低编程电压。此外，在限定单元区域内生长纳米线使得各RRAM存储单元间的导电路径分布更均匀，进一步降低RRAM的特征参数发散性。从而设计实现一种具有阻变参数均匀的低漏电流、大阻值比MgO纳米线RRAM。
漏电阻值 mgo 纳米 rram 及其制造方法

[发明专利]一种多核处理器及其控制方法-CN202110414528.3在审
发明人： 韦素芬;柴智;刘毅;李明逵;刘璟;陈红霞 -专利权人：集美大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明提供一种多核处理器及其控制方法，结构简单，设计合理，访问内存时不会冲突，不需要礼让也无需裁决，彼此能够保持高速高性能。所述的一种多核处理器，包括，一组成对设置的处理器核A和处理器核B；共享内存，用于分别连接成对设置的处理器核A和处理器核B；时钟生成电路，配置为产生时钟信号；所述时钟信号输入处理器核A，并作为处理器核A工作时序，控制与共享内存的交互；逆变器，连接时钟生成电路输出端，配置为将所述时钟信号反相以产生反相时钟信号；所述反相时钟信号输入处理器核B，并作为处理器核B工作时序，控制与共享内存的交互。
一种多核处理器及其控制方法

[实用新型]一种眼科用滴眼药架-CN202020448597.7有效
发明人： 韦素芬;张晓玲;于小会;代青 -专利权人： 韦素芬
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： A61F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种眼科用滴眼药架，包括椅板，椅板的顶部固定连接有调节箱，调节箱内腔底部的右侧固定连接有固定块，调节箱内腔的顶部与底部之间活动连接有第一螺纹杆，第一螺纹杆的表面从上至下依次套设有第一螺纹套和第一锥齿轮。本实用新型通过设置椅板、调节箱、固定块、第一螺纹杆、第一螺纹套、第一锥齿轮、第一手轮、旋转杆、第二锥齿轮、伸缩杆、固定箱、第二手轮、第二螺纹杆、连接杆、夹板、垫板、撑杆、限位盒、活动块、活动杆、储药盒、压板、压杆、压块、弹簧和第二螺纹套，解决了眼科治疗时儿童患者不配合的问题，该眼科用滴眼药架，具备限制儿童患者头部的位置不会产生较大移动的优点，值得推广。
一种眼科眼药

[实用新型]一种带手持按摩装置的理疗垫-CN201820882303.4有效
发明人： 韦素芬 -专利权人： 韦素芬
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带手持按摩装置的理疗垫，包括有底座和手持按摩装置，所述手持按摩装置通过电导线与底座电连接，所述手持按摩装置包括有照射灯和手柄，通过握持手持按摩装置的手柄，可将照射灯定向照向使用者疼痛部位。底座设有若干玉石与设于其上方的磁贴，所述玉石用于刺激人体穴位，所述磁贴用于增加磁场,利用红外线光照射与玉石刺激穴位缓解人们的疼痛。
一种手持按摩装置理疗

[发明专利]一种体接电位PD‑SOIMOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法-CN201510442616.9有效
发明人： 韦素芬;黄辉祥;张国和;邵志标;耿莉 -专利权人：集美大学
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电势分布函数的线性叠加。在边界条件制约下，通过求解硅膜耗尽区的泊松方程和拉普拉斯方程，得到电势分布函数的解析表达式。根据高斯定理求得栅氧化层两端的电压。并依据本发明对阈值电压的定义和电势分布函数模型，推导出硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。物理概念清晰，无需经验参数，计算精度高，提供了考虑短沟效应的PD‑SOI器件的阈值电压解析模型。
一种电位 pd soi mosfet 二维阈值电压解析模型及其建立方法计算方法

[发明专利]一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法-CN201610391993.9在审
发明人：黄辉祥;耿莉;韦素芬;唐凯;袁占生;徐文斌;吴一亮;邱邑亮;郑佳春 -专利权人：集美大学
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，并且半导体体区位于源区和漏区之间，所述LDD区位于半导体体区的两侧顶端并分别与源区和漏区接触，所述栅区位于半导体体区之上，所述两个栅侧墙分别位于栅区的两侧并在LDD区之上，所述源延伸区位于源区、半导体体区和埋氧层之间，所述源延伸区的掺杂类型与源区的掺杂类型相反，本发明还公开了其制备方法。本发明有效抑制单粒子辐射引起的SOI器件单粒子翻转和单粒子瞬态效应，工艺流程简单且与现有的工艺技术兼容。
一种粒子瞬态加固 soi 器件及其制备方法

[发明专利]预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法-CN201110417640.9有效
发明人： 韦素芬;邵志标;耿莉 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在开路缺陷的金属线，提取它周围信号线的耦合电容值，利用第二个电压预测模型计算出电压逻辑。在可测性设计的自动测试向量生成步骤中，加载与计算出的电压逻辑相反的测试向量，若观测到的开路电压逻辑等于由第二个电压预测模型得到的计算值，则说明此处有全开路缺陷。本发明的有益效果是：建立准确而且在工程上有可行性意义的两个电压模型；并且提出将两个模型结合使用的完整方法。
预测微米集成电路互连开路缺陷电压方法

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