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[发明专利]磨削磨轮的制造方法和磨削磨轮-CN202310402525.7在审
发明人：星川裕俊;邱晓明;青木昌史 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明提供磨削磨轮的制造方法和磨削磨轮，提高磨具对环状基台的粘接力。提供磨削磨轮的制造方法，该磨削磨轮的制造方法具有：凹凸形成工序，从超声波振动赋予单元经由水对在一个面上沿周向形成有环状槽的环状基台的该环状槽赋予超声波振动，由此在环状槽的侧面和底面中的一方或双方上形成凹凸；以及磨具固定工序，在凹凸形成工序之后，利用粘接剂将多个磨具固定于环状槽。
磨削制造方法

[发明专利]去疵层形成装置和加工装置-CN202310331596.2在审
发明人：田篠文照;青木昌史;邱晓明 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B24B1/04 文献下载
摘要：本发明提供去疵层形成装置和加工装置，短时间且高效地在磨削后的晶片的背面上形成去疵层。去疵层形成装置包含：旋转工作台，其具有对晶片进行吸引保持的旋转保持面和配置于该旋转保持面的径向外侧的环状的载置面；圆环部，其载置于载置面，围绕晶片而形成水槽；移动机构，其将该圆环部载置于载置面或使该圆环部远离载置面；磨粒喷嘴，其向水槽投入游离磨粒；水喷嘴，其向水槽提供水而使晶片淹没；超声波变幅器，其向游离磨粒传播超声波振动；以及水平移动机构，其使该超声波变幅器和旋转工作台在与旋转保持面平行的方向上相对地移动。
去疵层形成装置加工

[发明专利]磨削装置-CN201810788553.6在审
发明人： 青木昌史 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：提供磨削装置，以适当的加工条件实施磨削加工。该磨削装置具有：卡盘工作台；磨削单元，其具有主轴和安装在主轴的下方并且随着主轴的旋转而旋转的磨削磨具，利用该磨削磨具对卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削；磨削进给单元，其将磨削单元朝向保持面进行磨削进给；声发射传感器，其安装于磨削单元或磨削进给单元；以及控制单元，其在被加工物的磨削时使卡盘工作台和磨削磨具旋转，通过磨削进给单元将磨削单元进行磨削进给而使磨削磨具与被加工物接触，该控制单元根据因磨削产生并且由声发射传感器检测的弹性波对卡盘工作台的旋转速度、磨削磨具的旋转速度、或磨削进给单元将磨削单元进行磨削进给的速度进行控制。
磨削磨削磨具进给单元被加工物磨削装置进给声发射传感器卡盘工作台对卡盘工作台加工条件磨削加工弹性波检测

[发明专利]加工装置-CN201810536178.6在审
发明人：田篠文照;青木昌史 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供加工装置，能够适当地检测直动机构的劣化。加工装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；加工单元，其对保持于卡盘工作台的被加工物进行加工；直动机构，其包含通过伺服电动机进行旋转的滚珠丝杠、与滚珠丝杠螺合的螺母以及固定有螺母的滑块部；以及劣化检测单元，其检测直动机构的劣化，劣化检测单元包含：AE传感器，其检测使滑块部按照规定的速度进行移动时从直动机构发出的弹性波；阈值登记部，其登记有在使滑块部按照规定的速度移动时AE传感器所检测出的弹性波的振幅的阈值；以及通知单元，其在AE传感器所检测出的弹性波的振幅脱离由阈值登记部登记的阈值所规定的范围的情况下，通知滚珠丝杠与螺母的螺纹槽之间的间隙扩大。
直动螺母滚珠丝杠加工装置弹性波滑块部检测劣化检测单元卡盘工作台被加工物劣化伺服电动机加工单元间隙扩大通知单元螺纹槽移动螺合脱离加工

[发明专利]晶片的加工方法-CN201010521814.1有效
发明人：五木田洋平;山口崇;小山真史;青木昌史;铃木将昭;关谷胜彦;陈晔;梶山启一;台井晓治 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片的加工方法，其能够在不使磨削至预定厚度的晶片破裂的情况下将晶片分割成一个个器件，并且能够在不使分割成一个一个的器件的表面损伤的情况下进行拾取。该晶片的加工方法是将晶片沿间隔道分割成一个个器件的晶片的加工方法，该晶片的加工方法包括：框架保持工序，将晶片的表面粘贴到切割带上；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削使晶片形成为预定的厚度；断裂起点形成工序，从晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点；晶片断裂工序，使晶片沿形成有断裂起点的间隔道断裂而分割成一个个器件；晶片转移工序，将被分割成一个个器件后的晶片的背面粘贴到粘接带的表面；以及拾取工序，将被分割成一个一个的器件从粘接带剥离并进行拾取。
晶片加工方法

[发明专利]晶片加工方法-CN200410085521.8有效
发明人：永井祐介;青木昌史;小林贤史 -专利权人：株式会社迪斯科
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种用于沿分割线分割具有光学器件的晶片的晶片加工方法，该光学器件形成在被以晶格图案形成于前表面的分割线截取的多个区域中，包括：激光束施加步骤，施加一个能够沿分割线穿过晶片的激光束，从晶片的后表面形成具有预定深度的破坏层；防护板粘贴步骤，将一个防护板粘贴到要形成破坏层的晶片的前表面；分割步骤，沿着破坏层分割前表面粘贴有防护板的晶片；以及研磨步骤，在晶片粘贴有防护板的状态下对沿着破坏层被分割的晶片的后表面进行研磨，从而除去破坏层。
晶片加工方法

[发明专利]晶片加工方法-CN200410087419.1有效
发明人：永井祐介;青木昌史;星野仁志 -专利权人：株式会社迪斯科
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括：激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具有预定深度的槽；防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分割的晶片的后表面进行研磨，从而去掉槽。
晶片加工方法

[发明专利]打磨工具和使用其的打磨方法及装置-CN02119818.7有效
发明人：关家臣之典;山本节男;狛丰;青木昌史;松谷直宏 -专利权人：株式会社迪斯科
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种打磨工具,其包括支撑件和固定到该支撑件上的打磨装置。该打磨装置包括毡制品和散布到该毡制品中的磨粒,该毡制品的密度为0.20克/厘米3或以上,其硬度为30或以上。一种在转动工件和打磨工具时将该打磨工具压靠到被打磨工件表面上的打磨方法和设备。
打磨工具使用方法装置

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