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[发明专利]波长转换物质以及发光装置-CN201911087553.4有效
发明人：鍾长志;王宏嘉;童鸿钧;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，且第一保护层包含硅酸铝。在硅酸铝的多个硅中，各个硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)中的一者。第零组态Q4(0Al)的硅未与铝氧基连接，第一组态Q4(1Al)的硅与一个铝氧基连接，第二组态Q4(2Al)的硅与两个铝氧基连接，第三组态Q4(3Al)的硅与三个铝氧基连接，第四组态Q4(4Al)的硅与四个铝氧基连接，且第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)及第二组态Q4(2Al)的硅的总含量。本揭露提供的波长转换物质，可以大幅增加波长转换物质的发光寿命。
波长转换物质以及发光装置

[发明专利]发光装置-CN202011137860.1在审
发明人：邱一国;赖隆宽;陈廷楷;林峻弘 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：一种发光装置，包括基板、多个发光元件及导光结构。发光元件设置于基板上。导光结构设置于基板上，导光结构分隔发光元件并连续围绕发光元件，导光结构与发光元件彼此分离，发光元件发出的光能进入到导光结构内而使导光结构发光，导光结构由折射率为1.1至3的材料制成。本发明的导光结构可在大量减少发光二极管的数量及采用较薄的扩散结构的情况下仍使发光装置保有良好的亮度均匀度。
发光装置

[发明专利]发光二极体结构及其制造方法-CN201911120205.2有效
发明人：郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种发光二极体结构及其制造方法。发光二极体结构包括半导体叠层及支撑断点。半导体叠层包括第一半导体层、发光层、及第二半导体层。第一半导体层具有暴露在外的发光面，且发光面具有粗糙纹理。发光层设置在第一半导体层上。第二半导体层设置在发光层上，并且第二半导体层具有与第一半导体层不同的型态。支撑断点位于发光面上。此发光二极体结构可以应用于广色域(WCG)背光模块或超薄(ultra‑thin)背光模块，且可以减少转移时间。
发光二极体结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装-CN202010166210.3有效
发明人：林志豪;林浚朋;陈长翰;杨光能;郭政达 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。
发光二极管以及具有封装

[发明专利]发光二极管装置-CN201911140300.9有效
发明人：谢昆达;罗锦宏;吴厚润 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管装置包含第一半导体层、主动层、第二半导体层以及第一接触电极层。第一半导体层具有第一部分与第二部分，主动层覆盖第一半导体层的第一部分且不覆盖第二部分，第二半导体层设置于主动层上。第一接触电极层电性连接第一半导体层，并包含多个导电部。导电部位于第一半导体层远离主动层的一侧，并包含至少一外围导电部，外围导电部设置于第一半导体层的第二部分之下。上述结构配置有利于维持发光二极管装置的可靠度，并同时提升其亮度。
发光二极管装置

[发明专利]像素电路及驱动方法-CN201910836546.3有效
发明人：叶建男;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本案关于一种像素电路，包含发光单元、处理电路及驱动电路。处理电路用以接收帧显示信号，且用以根据驱动电流值对帧显示信号进行运算，以产生对应于驱动周期的驱动时间比。驱动电路电性连接于处理电路及发光单元，且用以根据驱动时间比、驱动电流值及驱动次数，于驱动周期中驱动发光单元，使得发光单元以较佳的发光效率运行，并精准地产生预期的亮度。
像素电路驱动方法

[发明专利]光学元件及光学模块-CN201910137445.7有效
发明人：许汉忠 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种光学元件及光学模块，光学元件包含底面、反射面、凹部、第一出光面、第二出光面以及底部侧面。反射面位于底面上方。凹部由底面朝反射面凹陷。第一出光面、第二出光面和底部侧面分别由上而下连续地连接反射面和底面。第一出光面的曲率半径大于底部侧面的曲率半径，且底部侧面的曲率半径大于第二出光面的曲率半径。此光学元件具有一中心轴，且第一出光面、第二出光面和底部侧面相对于中心轴呈旋转对称。此光学元件可以增加其正上方的亮度，避免暗点产生。
光学元件模块

[发明专利]发光装置及其显示装置和背光装置-CN202110642323.0在审
发明人：许仲*;叶建男 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种发光装置及其显示装置和背光装置，发光装置具有可拼接至主电路基板上的多个发光驱动模块。发光驱动模块各自包括载板、多个发光单元以及驱动电路晶片。发光单元设置在载板的第一表面上。驱动电路晶片设置在载板的第二表面上，并电性连接发光单元。第二表面固设至主电路基板。驱动电路晶片位于载板与主电路基板之间。载板的第二表面上设置多个第一接触垫。主电路基板设置对应第一接触垫的多个第二接触垫。第一接触垫接触并固设于第二接触垫上。本发明形成由发光单元、载板和驱动电路晶片三者为一整体的模块化结构，以达到让主电路机板上不同区域的发光单元彼此间色差大幅下降的效果。
发光装置及其显示装置背光

[发明专利]发光装置-CN202010650792.2在审
发明人：陈日康;杨世伟;宋彩蓁 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：发光装置包括固晶基板、发光半导体结构、导电柱、绝缘层、第一和第二电极。固晶基板具有相对的第一和第二表面。发光半导体结构由下至上包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层位于第一表面。导电柱位于发光半导体结构中。导电柱贯穿第一型半导体层及发光层，但不贯穿第二型半导体层，其接触第二型半导体层并电性连接固晶基板。绝缘层的第一部分位于第一型半导体层与固晶基板之间，绝缘层的第二部分将第一型半导体层和发光层与导电柱电性绝缘。第一部分具有邻近发光半导体结构边缘的沟槽以及多个开口，开口的宽度小于导电柱的宽度。第一电极位于第一表面，电性连接第一型半导体层且电性绝缘导电柱。第二电极位于第二表面并电性连接导电柱。
发光装置

[实用新型]发光元件-CN202121620990.0有效
发明人：张智超;郭家彰;黄国维;宋玉玺 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种发光元件包含一基板、一金属镀层以及一发光芯片。基板包含一顶面，顶面具有一面积A1。金属镀层配置于顶面上，金属镀层具有一总面积A2。发光芯片配置于金属镀层上，发光芯片具有一底面积A3，其中(A2‑A3)/A1的面积比例在35～50％之间，使得金属镀层的老化变色的速度符合老化变色速度的规范。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201910580133.3有效
发明人：郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光元件包含第一磊晶层、第二磊晶层、主动层以及电流限制层。第二磊晶层配置于第一磊晶层的一侧，第二磊晶层包含邻近第一磊晶层的第一侧及相对于第一侧的第二侧。主动层配置于第一磊晶层与第二磊晶层之间。电流限制层配置于第二磊晶层的第二侧或配置于第二磊晶层中，电流限制层包含开口，开口暴露出第二磊晶层的一部分，电流限制层的开口定义出电流流通区，电流限制层环绕电流流通区。
发光元件

[发明专利]发光装置-CN201910213401.8有效
发明人：周秀玫;王德忠;汪信全 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光装置，包括基板、设置于基板上的缓冲层、设置于缓冲层上的N型半导体层、设置于N型半导体层上的发光层、设置于发光层上的P型半导体层、第一电极、以及第二电极。N型半导体层具有电极接触区，并包含多个凸形微结构，位于电极接触区。各凸形微结构包含交替堆叠的多个第一子层及多个第二子层。第一子层包含AlxGa(1‑x)N，且第二子层包含AlyGa(1‑y)N，其中0x1，0y1，且x≠y。第一电极及第二电极分别设置于N型半导体层的电极接触区及P型半导体层上。第一电极覆盖所述多个凸形微结构，且凸形微结构的至少一个第一子层的侧壁，以及至少一个第二子层的侧壁接触第一电极。本发明的发光装置具有优异的发光效率及良率，并且发光装置中的各半导体层具有良好的结晶品质。
发光装置

[发明专利]发光二极管结构-CN201910500322.5有效
发明人：郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光二极管结构包含基底层、电性接触层、半导体叠层以及绝缘层。基底层具有最大第一宽度。电性接触层具有最大第二宽度并设置于基底层上。半导体叠层具有最大第三宽度并设置于电性接触层上。半导体叠层包括第一型半导体层、发光层及第二型半导体层依序堆叠，其中第一型半导体层、发光层及第二型半导体层的宽度实质上小于或等于最大第三宽度。绝缘层至少覆盖基底层的一侧壁、电性接触层的一侧壁及半导体叠层的一侧壁。最大第二宽度大于最大第三宽度，且最大第二宽度小于或等于最大第一宽度。此发光二极管结构可以提升出光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管封装体-CN202010363316.2在审
发明人：柯博喻;郭家彰;黄崇维 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光二极管封装体包含二第一金属电极层、二第二金属电极层、至少一发光二极管芯片以及一同质的封装胶体。二第二金属电极层分别位于二第一金属电极层的顶面上，且每一第二金属电极层的面积均小于每一第一金属电极层的面积。发光二极管芯片位于二第二金属电极层至少其中的一者上。同质的封装胶体包覆二第一金属电极层、二第二金属电极层以及发光二极管芯片，封装胶体可被发光二极管芯片发出的光线穿透。
发光二极管封装

[发明专利]发光装置-CN201910068627.3有效
发明人：林志豪;陈长翰;林浚朋 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光装置，包括平板基板、发光晶片、以及取光层。发光晶片设置于平板基板上。取光层覆盖发光晶片及平板基板，并且取光层具有一侧部分。以发光晶片的边缘与平板基板接触的一位置处为原点，侧部分与原点界定出与侧部分的表面相切的一圆。该圆具有一半径，且半径为c，其满足下列式(1)：其中，H为发光晶片的一高度。在此揭露的发光装置具有极小厚度的取光层，提供发光装置优异的出光效率及寿命。
发光装置