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[发明专利]取料装置及其取料方法-CN201911088419.6在审
发明人：陈富鑫;李育群 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种取料装置及其取料方法。用以拾取多个微型元件的取料装置包含弹性板材、基板、温控粘着层、至少一发热元件以及电源。弹性板材具有相对的第一表面以及第二表面，基板设置于第一表面，温控粘着层设置于第二表面并配置用以粘着微型元件，发热元件设置于第二表面与温控粘着层之间，电源电性连接发热元件。温控粘着层的粘度随着温控粘着层的温度改变。取料装置能选择性地拾取粘附于承载基板的微型元件。
装置及其方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201911089495.9在审
发明人：陈富鑫;李育群;童鸿钧;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种显示装置及其制造方法。显示装置包含基板、多个白光发光单元以及彩色滤光层。白光发光单元间隔排列于基板上，且白光发光单元为晶片级封装(Chip Scale Package,CSP)。彩色滤光层位于白光发光单元上方。每个白光发光单元包含发光二极管晶片以及波长转换膜。波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，且波长转换膜将发光二极管晶片所发出的光线转换为白光。由于波长转换膜直接包覆发光二极管晶片的顶面与周围侧面，因此显示装置的整体厚度得以下降。此外，以白光发光单元搭配彩色滤光层以得到各种颜色的色光，可提升显示装置的发光均匀性，并解决电控不易的问题。
显示装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管封装结构-CN202010976911.3在审
发明人：王德忠;郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种发光二极管封装结构包含基板、至少一微型发光二极管芯片、黑色材料层以及透光材料层。基板具有宽度介于100微米至1000微米。至少一微型发光二极管芯片电性连接至基板的上表面，微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米。黑色材料层覆盖基板的上表面，且裸露微型发光二极管芯片。透光材料层覆盖微型发光二极管芯片与黑色材料层。
发光二极管封装结构

[发明专利]垂直共振腔面射型激光装置-CN201910954613.1在审
发明人：范纲维;林昱成;洪崇瑜 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种垂直共振腔面射型激光装置包含一半导体基材、一电流传导层、N型与P型布拉格反射层、主动发光层、电流限制层。N型布拉格反射层接触电流转换层。电流限制层位于主动发光层与P型布拉格反射层之间，电流限制层具有一电流限位孔。金属层具有一通孔对准电流限位孔。P型焊垫的一部分对准于电流限位孔与通孔。N型焊垫欧姆接触于电流转换层，P型、N型焊垫位于半导体基材的同一侧，金属层、P型焊垫与该N型焊垫各具有介于20微米到40微米之间的厚度，借以相对形成一应力释放系统。
垂直共振腔面射型激光装置

[发明专利]发光模块-CN201910249237.6有效
发明人：吴弦儒;陈宜民;詹贵丞;施养达 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光模块，包括控制基板以及封装结构。封装结构包括壳体、第一导电元件及第二导电元件、第一导电线路及第二导电线路、发光元件以及上盖。壳体具有顶表面、底表面及侧表面，侧表面连接顶表面及底表面，顶表面朝底表面凹陷以形成容置空间。容置空间包括底面及环绕底面的侧壁。第一导电元件及第二导电元件设置于底面。第一导电线路及第二导电线路，自顶表面延伸至底表面。发光元件设置于容置空间中，且电性连接第一导电元件及第二导电元件，以形成第一回路。上盖具有导电图案，导电图案连接第一导电线路及第二导电线路以形成第二回路，其中导电图案具有开口。
发光模块

[发明专利]微发光二极管结构及微发光二极管的制造方法-CN201710812047.1有效
发明人：郭修邑;陈俊荣;许国翊 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种微发光二极管结构及微发光二极管的制造方法。微发光二极管结构包含固晶基板、粘着层、未掺杂III‑V族半导体层、N型III‑V族半导体层、发光层、以及P型III‑V族半导体层。粘着层设置于固晶基板上。未掺杂III‑V族半导体层设置于粘着层上，且粘着层夹设于固晶基板与未掺杂III‑V族半导体层之间。N型III‑V族半导体层设置于未掺杂III‑V族半导体层上。发光层设置于N型III‑V族半导体层上。P型III‑V族半导体层设置于N型III‑V族半导体层上，且发光层位于N型III‑V族半导体层与P型III‑V族半导体层之间。此微发光二极管结构可以降低制程加工的成本。
发光二极管结构制造方法

[发明专利]一种滤波电路和一种控制系统-CN201810439265.X有效
发明人：赖琮元;洪建昇;贺轩持 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H05B47/24 文献下载
摘要：一种滤波电路和一种控制系统。滤波电路用于过滤一脉冲宽度调变(PWM)信号，包含：阻容电路、比较电路和输出控制电路。阻容电路用于依据PWM信号产生一涟波电压信号。比较电路耦接于阻容电路，用于比较涟波电压信号和一第一参考电压，并用于依据一比较结果输出一开关信号。输出控制电路耦接于比较电路和阻容电路，用于依据开关信号和PWM信号产生一输出信号。其中，当PWM信号的负载比大于预设门槛值时，输出信号的波形对应于PWM信号，当PWM信号的负载比小于预设门槛值时，输出信号的波形不对应于PWM信号。上述滤波电路的优点之一，是无需使用额外的控制芯片，以简单的电路便能依据PWM信号的负载比对PWM信号进行滤波。
一种滤波电路控制系统

[发明专利]像素结构-CN201711020134.X有效
发明人：陈怡君;李育群;杨立诚;郭修邑;林志豪 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种像素结构，包括发光二极管晶片以及光阻隔结构。发光二极管晶片包括P型半导体层、主动层以及N型半导体层。主动层设置于P型半导体层上。N型半导体层设置于主动层上。N型半导体层具有远离主动层的第一顶面。光阻隔结构设置于发光二极管晶片中，并定义出K个子像素区域，其中K为大于或等于3的正整数。主动层及N型半导体层分别被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个子部分，且K个子像素区域共用P型半导体层。第一顶面被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个发光面。如此一来，可提升晶片切割以及固晶的合格率，同时也避免了多晶片之间光线相互再吸收的问题。
像素结构

[发明专利]发光元件、光源模块及背光模块-CN201711011787.1有效
发明人：蔡宗良;林志豪;陈若翔 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光元件、光源模块及背光模块。发光元件包括混光基板以及多个发光二极管晶片。混光基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。发光二极管晶片设置于混光基板的第一表面，发光二极管晶片所发出的光线经由混光基板混合后发出。混光基板为发光二极管晶片的成长基板。混光基板的面积大于发光二极管晶片的面积总和，且任二个发光二极管晶片之间的距离大于任一个发光二极管晶片的边长。如此一来，将使得背光模块的光学距离能够大幅降低，有利于薄型化的产品设计。
发光元件光源模块背光

[发明专利]阵列发光结构及其制造方法-CN201910734649.9在审
发明人：苏信纶;赖世伦;梁建钦;陈若翔;林志豪 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种阵列发光结构及其制造方法。阵列发光结构包含基板、多个显示单元、多个封装结构以及挡光结构。显示单元位于基板上方且包含多个发光元件。发光元件为红光发光元件、绿光发光元件或蓝光发光元件。封装结构分别包覆显示单元。封装结构具有顶面及底面，且顶面的面积小于底面的面积。挡光结构位于基板上方且围绕封装结构。挡光结构可降低光线的全反射以减少色偏现象的产生，并可避免相邻的显示单元的光线彼此干扰以减少混光(crosstalk)现象的发生。
阵列发光结构及其制造方法

[发明专利]反射镜及应用其的封装结构-CN201910618430.2在审
发明人：陈廷楷;赖隆宽;唐伟峰;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：一种反射镜及应用其的封装结构。反射镜包括基座与反射层。基座具有第一斜面与底面。第一斜面与底面具有夹角，且夹角介于40度至50度。反射层至少部分覆盖于第一斜面，以形成对位区。
反射应用封装结构

[发明专利]波长转换物质及发光装置-CN201910671701.0在审
发明人：鍾长志;童鸿钧;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，其中第一保护层包含二氧化硅，在二氧化硅的多个硅中，各该硅分别为第零组态(Q0)、第一组态(Q1)、第二组态(Q2)、第三组态(Q3)和第四组态(Q4)中的任一种，第零组态(Q0)的硅未与硅氧基连接，第一组态(Q1)的硅与一个硅氧基连接，第二组态(Q2)的硅与两个硅氧基连接，第三组态(Q3)的硅与三个硅氧基连接，第四组态(Q4)的硅与四个硅氧基连接，其中第三组态(Q3)的硅和第四组态(Q4)的硅的总含量大于第零组态(Q0)的硅、第一组态(Q1)的硅和第二组态(Q2)的硅的总含量。本发明提供的波长转换物质，可以大幅增加波长转换物质的发光寿命。
波长转换物质发光装置

[发明专利]发光二极管晶片-CN201710929066.2有效
发明人：郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管晶片，包含基板、发光元件、静电防护元件及导电层。发光元件设置于基板上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。静电防护元件设置于基板上且至少一间隔位于发光元件与静电防护元件之间，静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，其中第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间。第一半导体层与第四半导体层透过导电层电性连接，且第二半导体层与第三半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。因此，于发光二极管晶片封装前，可单独对发光元件进行检测，借以降低静电防护元件对检测结果的影响。
发光二极管晶片

[实用新型]发光二极管结构-CN202020711924.3有效
发明人：赖隆宽;林浚朋;陈长翰 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：一种发光二极管结构包含基板、封装杯、发光元件以及封装胶。封装杯位于基板上且具有一开口暴露出基板的一部分。发光元件设置于开口内并电性连接基板，其中发光元件的顶表面高于封装杯的顶表面。封装胶设置于开口内并覆盖发光元件的侧壁，其中发光元件的顶表面未被封装胶覆盖。此发光二极管结构可以避免封装胶劣化。
发光二极管结构

[发明专利]导线架的制造方法以及成形体-CN201711422263.1有效
发明人：陈书伟;柯博喻;赵子威 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种导线架的制造方法以及成形体。导线架的制造方法包括：提供一金属板材，其中金属板材具有第一表面，接着朝向第一表面对金属板材进行第一冲压工序，以于金属板材形成预贯穿孔，以及朝向第一表面对预贯穿孔进行第二冲压工序，以形成贯穿孔结构。贯穿孔结构包括靠近第一表面的第一部分以及远离第一表面的第二部分，第二部分连接于第一部分，第二部分在平行于第一表面的平面上的正投影位于第一部分在平面上的正投影内，第一部分有第一宽度，第二部分具有第二宽度，第一部分与第二部分的一交界处具有第三宽度，且第三宽度小于第一宽度以及第二宽度。接着，导线架局部被模制体所包覆，因此减少了金属板材暴露于高温或是硫化环境的表面积。
导线制造方法以及成形