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[发明专利]一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法-CN202310607567.4在审
发明人： 陈星佑;陈意桥;于天 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法，所述虚拟衬底位于GaAs衬底与周期性材料层之间，所述周期性材料层为交替生长的InAs材料和GaSb材料；所述虚拟衬底的晶格常数d＝(d1*x+d2*y)/(x+y)，其中，x为单个周期中InAs材料层的厚度，y为单个周期中GaSb材料层的厚度，d1为InAs材料的晶格常数，d2为GaSb晶格常数；所述虚拟衬底为Al、Ga、As或Sb元素组成的合金材料。其只要通过目标结构单一周期中InAs和GaSb各自的厚度就可以精确得到所需AlGaAsSb虚拟衬底的晶格常数，避免失配型缺陷的引入，同时又保证整个结构满足在较高的温度下生长的需求，保障了晶体质量，提升光电器件性能。
一种 algaassb 虚拟衬底半导体制备方法

[发明专利]一种改性β-环糊精-DOPO复合材料及其制备方法-CN202111142532.5有效
发明人： 陈星佑;孙铜;徐鹏举;肖玉;袁园 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C08L5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性β‑环糊精‑DOPO复合材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将无水乙醇和去离子水混合后，加入β‑环糊精，再加入硅烷偶联剂反应，产物经洗涤、过滤、烘干后，得到改性β‑环糊精；然后将其溶解于去离子水中，再滴入用THF溶解的DOPO进行反应，得到的产物经旋蒸、抽滤、提纯、干燥处理后，制得。本发明利用β‑环糊精空腔结构包合DOPO，解决了DOPO在单独添加到环氧树脂中时容易迁移到表面的问题，同时对β‑环糊精进行改性增加了其与环氧树脂的相容性，还利用DOPO和β‑环糊精具有良好阻燃性能的特点，构筑了一种具有高效阻燃性能的无卤绿色阻燃材料。
一种改性环糊精 dopo 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法-CN202110440480.3有效
发明人： 陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法。所述的一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构包括依次层叠设置的InPOI衬底、含铝砷化物阻挡层和下接触层、InGaAs吸收层及含铝砷化物窗口层和上接触层，所述InPOI衬底为从InP衬底上剥离下来后，转移至CMOS兼容的SOI衬底上的InP单晶薄膜，所述含铝砷化物阻挡层和下接触层以及所述含铝砷化物窗口层和上接触层的材料均为含铝砷化物，所述InGaAs吸收层的材料为InGaAs。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InP基InGaAs短波红外探测器，适合于低成本、大规模红外焦平面阵列制备，具有广泛的应用前景。
一种基于 inpoi 衬底 ingaas 探测器结构制备方法

[发明专利]一种图像处理方法、装置、设备及存储介质-CN202210307172.8在审
发明人：余恩泽;陈星佑;官其珍 -专利权人：北京沃东天骏信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06T11/60 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种图像处理方法、装置、设备及存储介质，其中，所述方法包括：获取至少两类物品的待处理图像，得到多张待处理图像；确定所述多张待处理图像之间的排布位置；基于所述排布位置，对所述多张待处理图像进行组合，得到目标图像。
一种图像处理方法装置设备存储介质

[发明专利]基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法-CN202110482973.3有效
发明人：贾慧;唐明初;陈星佑;陈思铭 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：本发明提供了基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法。所述的基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件包括Si衬底、n型缓冲层、n型下覆层、有源层、p型上覆层及SiN应力膜和n型、p型金属电极，所述有源层为掺杂的GeSn或SiGeSn有源层，所述掺杂的GeSn或SiGeSn有源层的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，所述n型掺杂可为P(磷)掺杂或Sb(锑)掺杂，所述p型掺杂可为B(硼)掺杂。本发明能大幅提升器件发光效率，提升器件工作温度，降低阈值电流或能耗。
基于掺杂 si gesn 有源 cmos 技术兼容光源器件及其制备方法

[实用新型]一种适用于淤泥烧结体单轴抗压强度测试的制样装置-CN202121034257.0有效
发明人：何怀光;陈星佑;张聪;盛东;刘旭;徐幸仪;谢梦珊;肖熠;许志鹏;山红翠;周双;石锦;潘雨齐 -专利权人：湖南省水利水电科学研究院;中南林业科技大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于淤泥烧结体单轴抗压强度测试的制样装置，所述制样装置包括可相互配合拼接形成制样框体结构的第一成型模块和第二成型模块，所述第一成型模块和第二成型模块拼接形成的制样框体结构的下方设有底板，所述制样装置还包括用于将拼接好的第一成型模块和第二成型模块固定的拼接固定模块，制样装置还包括可自由进出框体内部的压板，用来压实框体内部的土体，制样装置还包括用来排出框体顶部多余淤泥的排土板且排土板上设有多个排土孔，制样框体结构的一端还设置有与排土板相匹配的阶梯槽，并在阶梯槽的至少一侧开设有排土口。本实用新型具有结构简单、制样操作方便、制得试样均一性好、样品标准化程度高等优点。
一种适用于淤泥烧结体单轴抗压强度测试装置

[发明专利]页面主题色更换方法、装置、电子设备和计算机可读介质-CN202111338893.7在审
发明人：夏心瑶;蔡媛媛;毛美霞;桂永红;陈星佑;马剑;王蕾;凌飞 -专利权人：北京沃东天骏信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了页面主题色更换方法、装置、电子设备和计算机可读介质。该方法的一具体实施方式包括：响应于接收到用户提交的对应于目标页面的主题色更换请求，从客户端数据库中读取对应主题色更换请求的配色算法对象作为目标配色算法对象，其中，配色算法对象为预先设置的、存储在客户端数据库中表征配色色值变化的算法对象；根据目标主题颜色色值和目标配色算法对象生成配色信息；根据目标主题颜色色值和配色信息，生成目标颜色数据对象；根据目标颜色数据对象，对目标页面对应的主题色进行更换处理。该实施方式缩短了主题换肤的加载时间。
页面主题更换方法装置电子设备计算机可读介质

[发明专利]一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法-CN202110704500.3在审
发明人： 陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上依次设置的InP(001)衬底、n型InP缓冲层和下接触层、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层，以及p型InP帽层和上接触层。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层中的Sb组分含量为0.001～0.01，其厚度范围为1500～3000nm，其掺杂浓度为1×1014～1×1016cm‑3。本发明中的所述InGaAsSb探测器能够有效改善材料结晶质量，提升探测器的性能。
一种 pin ingaassb 探测器及其制备方法

[实用新型]一种生态驳岸砌筑结构-CN202022883608.7有效
发明人：何怀光;张聪;盛东;许毓才;徐幸仪;陈星佑;刘旭;谢梦珊;山红翠;肖熠;石锦;周双 -专利权人：湖南省水利水电科学研究院;中南林业科技大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： E02B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生态驳岸砌筑结构，包括由轻质骨料制成的砌块本体，所述砌块本体中与砌筑于待护坡堤岸的表面相对的表面上附着有用于植物栽植的植物生长基质层，所述砌块本体上设有沿厚度方向设置的过滤排水孔，附着有植物生长基质层的表面上开设有浅层排水槽，所述浅层排水槽一端连通过滤排水孔，另一端贯通砌块本体的侧壁。本实用新型的生态驳岸砌筑结构具有结构简单、布置合理、亲水性好和保护生态良好发展等优点。
一种生态驳岸砌筑结构

[发明专利]一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法-CN202110463249.6在审
发明人： 陈星佑;陈思铭;唐明初 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法。所述的一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构包括依次层叠设置的GaAsOI衬底、GaAs缓冲层和下接触层、AlGaAs下阻挡层、InAs量子点有源区、AlGaAs上阻挡层及GaAs上接触层，所述GaAsOI衬底为从GaAs衬底上剥离并转移至CMOS兼容的SOI衬底上，并经处理后得到的GaAs单晶薄膜。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InAs量子点激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。
一种基于 gaasoi 衬底 inas 量子激光器结构制备方法

[发明专利]饱和砂土地层可视化注浆模拟装置及方法-CN202110319116.1在审
发明人：张聪;谢梦珊;谢亦朋;阳军生;彭雨杨;刘旭;陈星佑;江学良;孙广臣;范文臣;曹磊 -专利权人：中南林业科技大学;中南大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明涉及注浆模拟试验领域，特别涉及一种饱和砂土地层可视化注浆模拟装置及方法，装置包括受注体容器以及透明砂土介质，受注体容器由透明材料制成，透明砂土介质由吸水膨胀后的海洋宝宝按预设级配组成，受注体容器与注浆系统、围压系统以及水压控制系统连接，注浆系统向透明沙土介质注浆，围压系统实现对透明砂土介质的围压加载，水压控制系统向透明沙土介质提供地下水并控制水压力，还通过监控系统监控注浆参数以及采集、储存图像数据。本发明采用吸水膨胀后的透明海洋宝宝颗粒集合体作为透明砂土介质，实现了饱和砂土地层注浆扩散全过程的可视化，为注浆理论研究创造了条件。
饱和砂土地层可视化模拟装置方法

[发明专利]一种玻璃纤维聚丙烯界面横晶结构的诱导方法-CN202011497342.0在审
发明人：皮林;吴津田;陈星佑 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C03C25/16 文献下载
摘要：本发明属于聚合材料技术领域，公开了一种玻璃纤维聚丙烯界面横晶结构的诱导方法，所述玻璃纤维聚丙烯界面横晶结构的诱导方法包括以下步骤：将制备的玻璃纤维进行改性；将改性后的玻璃纤维置于含碳纳米管和聚丙烯成核剂的稳定水性分散液中进行浸泡，得到表面有碳纳米管和聚丙烯成核剂涂层的玻璃纤维；置于干燥箱中干燥，得到聚丙烯/玻璃纤维界面横晶结构。本发明通过对玻璃纤维的处理实现对其改性，然后利用湿法研磨制备碳纳米管和成核剂稳定分散的分散液，采用浸润法将碳纳米管和成核剂同时引入玻璃纤维表面，制备的表面有碳纳米管和聚丙烯成核剂涂层的玻璃纤维的性能更佳；通过对其诱导实现横晶结构的形成，实现诱导的高效性和有效性。
一种玻璃纤维聚丙烯界面结构诱导方法

[实用新型]基于双路APD探测的铁路安全防护系统-CN201921964216.4有效
发明人：刘军荣;高瞻;印新达;张维;叶梓;陈星佑 -专利权人：武汉驭光科技有限公司;湖北交通职业技术学院
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B61L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于双路APD探测的铁路安全防护系统，属于铁路周界安全防护领域，包括：光信号产生单元、环形器、光纤、光滤波器、偏振分离器件、双路APD及信号采集处理单元；光信号产生单元的脉冲信号光输出端与环形器的第一端口连接；环形器的第二端口与光纤连接，环形器的第三端口与光滤波器的输入端连接，光纤产生的瑞利散射和拉曼散射光信号通过第二端口进入光滤波器；光滤波器的瑞利散射光信号输出端口与偏振分离器件的输入端口连接；偏振分离器件的P光和S光输出端口与双路APD的输入端口连接；双路APD的电信号输出端口与信号采集及处理单元的输入端口连接。本实用新型采用双路APD探测解决P和S偏振分开探测的一致性问题。
基于 apd 探测铁路安全防护系统

[发明专利]无卤阻燃剂和无卤阻燃低密度聚乙烯材料及其制备方法-CN202010326134.8在审
发明人：吴津田;陈星佑;夏高静;皮林 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明涉及无卤阻燃剂和无卤阻燃低密度聚乙烯材料及其制备方法，属于3D材料制备技术领域。无卤阻燃剂，采用下述步骤制备而成：将磷酸与多元醇溶解于水中，90～95℃下反应1～3h，再加三聚氰胺，反应1.5～3h，再烘干制得无卤阻燃剂；其中，磷酸、多元醇和三聚氰胺的重量比为100:20～60:40～80。无卤阻燃低密度聚乙烯材料，由聚乙烯、石墨类材料和无卤阻燃剂按重量比70～99:0～10:10～60组成。本发明制备的无卤阻燃剂阻燃性能好，与LDPE相容性好，无析出。无卤阻燃低密度聚乙烯材料通过3D打印制备的阻燃制件强度高、韧性好、成本低、安全无毒。
阻燃密度聚乙烯材料及其制备方法

[发明专利]一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器-CN201610847176.X有效
发明人：马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si‑Ge、GaAs‑InAs、InP‑InGaAs、InAlAs‑InGaAs、GaAs‑AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。
一种采用量子倍增半导体雪崩光电探测器

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